CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
6 лет
Главная / продукты / Mos Field Effect Transistor /

ИД 13А РДС транзистора влияния поля Мос ХСИ4406А ВДС 30В (ДАЛЬШЕ) < 11.5мΩ

контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контакт

ИД 13А РДС транзистора влияния поля Мос ХСИ4406А ВДС 30В (ДАЛЬШЕ) < 11.5мΩ

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :1000-2000 ПК
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Срок поставки :1 до 2 недели
Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день
Номер модели :ХСИ4406А
Название продукта :транзистор силы mosfet
ВДС :30В
ИД (на ВГС=10В) :13А
РДС (ДАЛЬШЕ) (на ВГС=10В) :< 11="">
Тип :Транзистор Mosfet
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта
60В Н-канал АлфаСГТ ХСИ4264
 

 

Сводка продукта

 

 

ВДС 30В
ИД (на ВГС=10В) 13А
РДС (ДАЛЬШЕ) (на ВГС=10В) < 11="">
РДС (ДАЛЬШЕ) (на ВГС = 4.5В) < 15="">

 

 

 

Общее описание

 

Топровиде выдвинутое пользами канавы ХСИ4406А технологии превосходный РДС (ДАЛЬШЕ) с низкой обязанностью ворот. Этот прибор соответствующий для высокого бортового переключателя в применениях цели СМПС андгенерал.

 

 

ИД 13А РДС транзистора влияния поля Мос ХСИ4406А ВДС 30В (ДАЛЬШЕ) < 11.5мΩ

 

 

 

Электрические характеристики (т =25°К если не указано иное)

ИД 13А РДС транзистора влияния поля Мос ХСИ4406А ВДС 30В (ДАЛЬШЕ) < 11.5мΩ

 

 

А. Значение θДЖА р измерено с прибором установленным на доске 1ин2 ФР-4 с 2оз. Омедняйте, в неподвижной окружающей среде воздуха с Та =25°К.

значение в любом, который дали применении зависит от дизайна доски потребителя специфического.

Б. Диссипация силы пд основана на тдж(МАКСЕ) =150°К, используя сопротивление ≤ 10с соединени-к-окружающее термальное.

К. повторяющийся оценка, ширина ИМПа ульс ограничиваемая оценками температуры соединения тдж(МАКСА) =150°К. основана на низкочастотном и кругах обязаностей для того чтобы держать

инитялТ =25°К.

Д. ΘДЖА р сумма термального импеданса от соединения для того чтобы привестиθДЖЛ р и привести к окружающему.

Э. Статические характеристики в диаграммах 1 до 6 получены используя <300>

Ф. Эти кривые основаны на соединени-к-окружающем термальном импедансе которым измеряет с прибором установленным на доске 1ин2 ФР-4 с

2оз. Омедняйте, принимающ что максимальная температура соединения тдж(МАКСА) =150°К. кривая СОА обеспечивает одиночную оценку ИМПа ульс.

Г. Круг обязаностей 5% шипа максимальное, ограниченный температурой соединения ТДЖ (МАКСОМ) =125°К.

 

ТИПИЧНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ТЕРМАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

 

ИД 13А РДС транзистора влияния поля Мос ХСИ4406А ВДС 30В (ДАЛЬШЕ) < 11.5мΩИД 13А РДС транзистора влияния поля Мос ХСИ4406А ВДС 30В (ДАЛЬШЕ) < 11.5мΩ
ИД 13А РДС транзистора влияния поля Мос ХСИ4406А ВДС 30В (ДАЛЬШЕ) < 11.5мΩИД 13А РДС транзистора влияния поля Мос ХСИ4406А ВДС 30В (ДАЛЬШЕ) < 11.5мΩИД 13А РДС транзистора влияния поля Мос ХСИ4406А ВДС 30В (ДАЛЬШЕ) < 11.5мΩ

ИД 13А РДС транзистора влияния поля Мос ХСИ4406А ВДС 30В (ДАЛЬШЕ) < 11.5мΩИД 13А РДС транзистора влияния поля Мос ХСИ4406А ВДС 30В (ДАЛЬШЕ) < 11.5мΩ

Запрос Корзина 0