CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
6 лет
Главная / продукты / Mos Field Effect Transistor /

МОСФЭТ режима повышения канала н транзистора влияния поля Мос 60Н06ХС 60В

контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контакт

МОСФЭТ режима повышения канала н транзистора влияния поля Мос 60Н06ХС 60В

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :1000-2000 ПК
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Срок поставки :1 до 2 недели
Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день
Номер модели :60Н06ХС
Название продукта :транзистор силы mosfet
Температура соединения :150℃
Материал :кремний
Случае :Лента/поднос/вьюрок
Тип :Транзистор Mosfet
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта
МОСФЭТ режима повышения Н-канала 60Н06ХС 200В

 

Сводка продукта

 

Технология 18Н20С выдвинутая пользами плоская для предусмотрения превосходного РДС (ДАЛЬШЕ), низких обязанности ворот и деятельности с напряжениями тока ворот как низкими как 2.5В. Этот прибор соответствующий для пользы как предохранение от батареи или в другом применении переключения.
 
 
МОСФЭТ режима повышения канала н транзистора влияния поля Мос 60Н06ХС 60ВМОСФЭТ режима повышения канала н транзистора влияния поля Мос 60Н06ХС 60ВМОСФЭТ режима повышения канала н транзистора влияния поля Мос 60Н06ХС 60ВМОСФЭТ режима повышения канала н транзистора влияния поля Мос 60Н06ХС 60ВМОСФЭТ режима повышения канала н транзистора влияния поля Мос 60Н06ХС 60ВМОСФЭТ режима повышения канала н транзистора влияния поля Мос 60Н06ХС 60ВМОСФЭТ режима повышения канала н транзистора влияния поля Мос 60Н06ХС 60В
Запрос Корзина 0