Мод усиления мосфета

DMN26D0UFB4-7 Диоды MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 20V N-Chan X2-DFN1006 DMN26D0UFB4-7B Производитель: Diodes IncorporatedКатегория продукции: MOSFE.........

JY4N8M N Режим усиления канала Мост на поверхности питания MOSFET для драйвера BLDC Общее описание: JY4N8M использует новейшие методы обработки тр.........

4А 500В 2.1Ω N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET для питания в режиме ожидания Мод усиления мощности N-канала MOSFET Номер части: CS4N50A Па.........

МОперационные системыФETВластьЭлектроникаMGSF2N02ELT1G SOT-23 Package 2,8 A 20 VN МОП-транзистор с режимом расширения канала .........

МОСФЭТ режима повышения П-канала -30В Описание Общее описание: 9435А одиночные транзисторы влияния поля силы режима повышения логики.........

Режим BSP315 SIPMOS повышения канала p транзистора Mosfet силы сигнала • Канал p • Режим повышения • Уровень логики.........

40В интегральный микросхема DMT47M2SFVWQ 150°C N-Channel Enhancement Mode MOSFET Описание продукта DMT47M2SFVWQ DMT47M2SFVWQ N-Channel MOSFET предс.........

Мощный полевой МОП-транзистор NVMS5P02 с одним P-каналом в улучшенном режиме, мощный полевой МОП-транзистор -20 В, -5,4 А, 33 мОм [Втчо м.........

МОСФЭЦ боковой части Повышени-режима Н-канала транзисторов силы МРФ6В2150НБР1 РФ Особенности • Охарактеризованный с большой серии соответствующа.........

ОБЛОМОК AP4953GM ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМАЫ --MOSFET СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ P-КАНАЛА Быстрая деталь: MOSFET СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ P-КАНАЛА Спе.........

Mosfet силы канавы mosfet силы MOSFET РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ P-КАНАЛА ZXMP10A17E6TA 100V линейный ОСОБЕННОСТИ • Низкое на-сопротивление • Быстра.........

MOSFET силы режима повышения канала JY8N5M n для электропитания режима переключателя Общее описаниеПродукт использует предварительные плоскостные ме........

MOSFET Повышени-режима N-канала FS8205A двойной (20V, 6A) 1.Description Этот N-канал 2.5V определил MOSFET изрезанная версия ворот предварительн.........

BS816A-1 П-КАНАЛЬ УЗРОВАНИЯ МОДА ДМОС-ТРАНЗИСТОР РЧ-Транзисторы Производитель: Диоды Категория продукции: Улучшение П-канала RoHS: Подробная и.........

N-канал 600 v Mosfet транзистора силы STWA65N60DM6 Mosfet, тип 0,084 омов., 30 особенность силы TO-247 a MDmesh DM6 • Весьма - низкие *area RDS (дальш......

Деталь продукта 1. Товары запаса, заказа или изготовляя гостеприимсво.2. Заказ образца.3. Мы ответим вы для вашего дознания в 24 часах.4. П.........

Общее описание: Особенности: JY4N8M использует новейшие методы обработки траншеи для достижения высокой плотности клеток и уменьшает сопротивление.........

Компания Shenzhen Qingfengyuan Technology Co., Ltd.Добро пожаловать в нашу компанию! Мы являемся вашим универсальным поставщиком электронных компонен.......

Транзистор канала n mosfets силы SIHF10N40D-E3 работает в режиме повышения Диссипация силы SIHF10N40D-E3 Vishay максимальная 33000 mW. Этот транзисто.......