Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

HongKong Wei Ya Hua Electronic Technology Co.,Limited.

Manufacturer from China
Проверенные Поставщика
3 лет
Главная / продукты /

Модуль транзистора IGBT

контакт
Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.
Посетите вебсайт
Город:shenzhen
Страна/регион:china
Контактное лицо:Missalphademo@maoyt.com
контакт
1 - 10 из 20

 Модуль транзистора IGBT

Модуль IXYH30N450HV 4500 v 60 a 430 w транзистора TO-247HV IGBT через отверстие

IXYH30N450HV IGBT PT 4500 v 60 a 430 w до отверстие TO-247HVIXYS IXYT30N450HV & IXYH30N450HV XPT™ IGBTsОсобенность IXYS IXYT30N450HV и IXYH30N45......
контакт

Add to Cart

Канава IGBT 650V 80A 375W диафрагмы поля зрения FGHL75T65MQDTL4 до отверстие TO-247-4L

Диафрагма поля зрения 650 v 80 a 375 w канавы FGHL75T65MQDTL4 IGBT до отверстие TO-247-4Lканава IGBTs onsemi FGHL75T65MQDTx канава IGBTs onsemi FGH......
контакт

Add to Cart

Модуль 1200V 80A 306W транзистора FGH4L40T120LQD IGBT до отверстие TO-247-4L

Диафрагма поля зрения 1200 v 80 a 306 w канавы FGH4L40T120LQD IGBT до отверстие TO-247-4Lonsemi FGH4L40T120LQD IGBT onsemi FGH4L40T120LQD IGBT креп......
контакт

Add to Cart

Диафрагма поля зрения IGBT 1200V 340A 1360W канавы IXYX110N120B4 через отверстие

IXYX110N120B4 IGBT 1200 v 340 a w 1360 до отверстие PLUS247™-3 Атрибут продукта Атрибут со значением Отборный атрибут......
контакт

Add to Cart

Держатель TO-263HV модуля 2500V 30A 150W транзистора IXGA20N250HV IGBT поверхностный

IXGA20N250HV IGBT 2500 v 30 держатель TO-263HV a 150 w поверхностныйIXYS IXGA20N250HV высоковольтное IGBTIXYS IXGA20N250HV высоковольтное IGBT (изол.....
контакт

Add to Cart

IKWH50N65WR6XKSA1 изолировало транзистор 650V ворот двухполярный для бытовых техник

БЫТОВЫЕ ТЕХНИКИ 14 транзисторов IKWH50N65WR6XKSA1 IGBTТехнологии TRENCHSTOP™ 5 обратное проводя IGBTs InfineonТехнологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon обра.....
контакт

Add to Cart

Держатель IXBT14N300HV модуля 3000V 38A 200W транзистора TO-268HV IGBT поверхностный

IXBT14N300HV IGBT 3000 v 38 держатель TO-268HV a 200 w поверхностный (IXBT)IXYS IXBx14N300HV обратное проводя BiMOSFET™ IGBTsIXYS IXBx14N300HV обрат.....
контакт

Add to Cart

Транзистор силы 1200V IXYK110N120A4 IGBT 375A 1360W до отверстие TO-264

IXYK110N120A4 IGBT PT 1200 v 375 a w 1360 до отверстие TO-264 (IXYK)Канава 650V IXYS к 1200V XPT™ GenX4™ IGBTsКанава 650V IXYS к 1200V XPT™ GenX4™ I.....
контакт

Add to Cart

модуль транзистора 1200V 48A 529W IGBT, диафрагма поля зрения IGBT AFGHL40T120RLD канавы

Диафрагма поля зрения 1200 v 48 a 529 w канавы AFGHL40T120RLD IGBT до отверстие TO-247-3 Атрибут продукта Атрибут со значением......
контакт

Add to Cart

Держатель 1200 канала v 4.7A 65W n модуля транзистора IMBG120R350M1HXTMA1 IGBT поверхностный

IMBG120R350M1HXTMA1 держатель PG-TO263-7-12 поверхности v 4.7A N-канала 1200 (Tc) 65W (Tc)Модули технологий 1200V CoolSiC™ Infineon Модули технолог......
контакт

Add to Cart

Запрос Корзина 0