Категории продукта

Разнослоистые керамические конденсаторы

[10]

Клетка кнопки двуокиси марганца лития

[10]

Управление ICs силы

[12]

контакт

Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

Посетите вебсайт

Город:shenzhen

Страна/регион:china

Контактное лицо:Missalphademo@maoyt.com

контактная информация

контакт

Держатель TO-263HV модуля 2500V 30A 150W транзистора IXGA20N250HV IGBT поверхностный

Спросите последнюю цену

Номер модели :IXGA20N250HV

Количество минимального заказа :50pcs

Способность поставки :1000000 шт.

Пробой напряжения коллектор-эмиттер (макс.) :2500 v

Ток - коллектор (Ic) (макс.) :30 a

Настоящий - пульсированный сборник (Icm) :105 a

Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic :3.1V @ 15V, 20A

Мощность - Макс. :150 w

Пакет/случай :TO-263-3, D²Pak (2 отведения + вкладка), TO-263AB

контакт

Add to Cart

Посмотреть описание продукта

IXGA20N250HV IGBT 2500 v 30 держатель TO-263HV a 150 w поверхностный

IXYS IXGA20N250HV высоковольтное IGBT

IXYS IXGA20N250HV высоковольтное IGBT (изолированный транзистор ворот двухполярный) обеспечивает квадратную обратной косой безопасной возможность рабочей зоны (RBSOA) и короткого замыкания 10µs выдерживая. IXGA20N250HV отличает напряжением тока сатурации напряжения тока сборник-к-излучателя 2500V, течение сборника 12A на +110°C, и коллектор- эмиттера 3.1V. Прибор имеет положительный коэффициент temp v(Сидеть) CE, идеальный для проходить параллельно.

IXGA20N250HV IGBT включает одиночный прибор в системах цепи которых ранее использовали множественные каскадированные переключатели низк-напряжения тока. Такая консолидация прибора уменьшает число приборов силы и улучшает цену и эффективность путем исключать сложные компоненты привода и напряжения тока балансируя. В системах цепи которых ранее использовали высоковольтные SCRs, это высоковольтное IGBT обеспечивает дизайнера с истинным переключателем легко для того чтобы снабдить схемы модуляции сигнала. Эта способность улучшает эффективность, упрощая волн-формировать и включать разъединение нагрузки для улучшенной безопасности системы. Традиционное высокое напряжение EMRs и реле разрядки можно также заменить, уменьшающ сложность системы и улучшающ общую надежность.

IXYS IXGA20N250HV высоковольтное IGBT предложено в пакете индустриального стандарта TO-263HV и отличает -55°C к диапазону температур соединения +150°C.

ОСОБЕННОСТИ

Пакет индустриального стандарта TO-263HV
Высоковольтный пакет
Электрически изолированная плата

Высокая пиковая настоящая возможность
Низкое напряжение тока сатурации
Отливая в форму эпоксидная смола встречает классификацию воспламеняемости V-0 UL 94

ПРИМЕНЕНИЯ

Pulser цепи
Цепи разряда конденсатора
Высоковольтные электропитания

Высоковольтное испытательное оборудование
Генераторы лазера и рентгеновского снимка

СПЕЦИФИКАЦИИ

напряжение тока коллектор- эмиттера 2500V (vCES)
напряжение тока сборник-ворот 2500V (vCGR)
напряжение тока ворот-излучателя ±20V (vGES)
переходный процесс напряжения тока ворот-излучателя ±30V (vСАМОЦВЕТ)
диссипация силы сборника 150W (pC)

течение сборника 30A на +25°C (IC25)
течение сборника 12A на +110°C (IC110)
напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера 3.10V (vCE (сидел))
Сопротивление соединени-случая 0.83°C/W термальное (rthJC)
-55°C к диапазону температур соединения +150°C (Tj)

ОБОЗНАЧЕНИЯ & СХЕМА PIN

Держатель TO-263HV модуля 2500V 30A 150W транзистора IXGA20N250HV IGBT поверхностный

ПЛАН ПАКЕТА

Метки товара: