Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

HongKong Wei Ya Hua Electronic Technology Co.,Limited.

Manufacturer from China
Проверенные Поставщика
3 лет
Главная / продукты / IGBT Transistor Module /

Держатель IXBT14N300HV модуля 3000V 38A 200W транзистора TO-268HV IGBT поверхностный

контакт
Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.
Посетите вебсайт
Город:shenzhen
Страна/регион:china
Контактное лицо:Missalphademo@maoyt.com
контакт

Держатель IXBT14N300HV модуля 3000V 38A 200W транзистора TO-268HV IGBT поверхностный

Спросите последнюю цену
Номер модели :IXBT14N300HV
Количество минимального заказа :50pcs
Способность поставки :1000000 шт.
Пробой напряжения коллектор-эмиттер (макс.) :3000 v
Ток - коллектор (Ic) (макс.) :38 А
Настоящий - пульсированный сборник (Icm) :120 А
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic :2.7V @ 15V, 14A
Мощность - Макс. :200 w
Тип ввода :Стандарт
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

IXBT14N300HV IGBT 3000 v 38 держатель TO-268HV a 200 w поверхностный (IXBT)

IXYS IXBx14N300HV обратное проводя BiMOSFET™ IGBTs

IXYS IXBx14N300HV обратное проводя BiMOSFET™ IGBTs совмещают прочности MOSFETs и IGBTs. Эти высоковольтные приборы идеальны для параллельной деятельности должной к положительному коэффициенту температуры напряжения тока как своего напряжения тока сатурации, так и падения пропускного напряжения своего внутреннеприсущего диода. «Свободные» внутреннеприсущие диоды тела подачи IXBx14N300HV BiMOSFET IGBTs как диод защиты, обеспечивая альтернативный путь для индуктивной нагрузки настоящей во время поворота- прибора, предотвращая высокие переходные процессы напряжения тока Ldi/dt от наносить повреждение к прибору.

Используя IXBx14N300HV BiMOSFET IGBTs, дизайнеров силы могут исключить множественное сери-параллельное более низкое напряжение тока, более низкоточные расклассифицированные приборы, таким образом уменьшать число необходимы компонентов силы и упрощать связанные сети привода ворот. Эта особенность приводит в гораздо проще системном проектировании с более недорогой и улучшенной надежностью.

IXYS IXBx14N300HV BiMOSFET™ IGBTs доступны в пакетах TO-263HV (IXBA14N300HV) и TO-268HV (IXBT14N300HV). Эти приборы отличают -55°C к диапазону температур соединения +150°C.




ОСОБЕННОСТИ

  • «Свободный» внутреннеприсущий диод тела
  • Сохраняет космос путем исключать множественное сери-параллельное более низкое напряжение тока, более низкоточные расклассифицированные приборы
  • Плотность наивысшей мощности
  • Высокочастотная деятельность
  • Низкие потери при теплопроводности
  • Ворота MOS поворачивают дальше для простоты привода
  • электрическая изоляция 4000V
  • Низкие требования к привода ворот

ПРИМЕНЕНИЯ

  • Переключател-режим и электропитания резонирующ-режима
  • Бесперебойные электропитания (UPS)
  • Генераторы лазера
  • Цепи разряда конденсатора
  • Переключатели AC

СПЕЦИФИКАЦИИ

  • напряжение тока коллектор- эмиттера 3000V (vCES)
  • напряжение тока сборник-ворот 3000V (vCGR)
  • напряжение тока ворот-излучателя ±20V (vGES)
  • течение сборника ±38A на +25°C (IC25)
  • течение утечки ворот ±100nA (IGES)
  • течение сборника ±14A на +110°C (IC110)
  • напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера 2.7V (vCE (сидел))
  • 10μs коротк-цеп-выдерживают время (tsc)
  • диссипация силы сборника 200W (pC)
  • -55°C к диапазону температур соединения +150°C

ОБОЗНАЧЕНИЯ & СХЕМА PIN

Держатель IXBT14N300HV модуля 3000V 38A 200W транзистора TO-268HV IGBT поверхностный

ПЛАН ПАКЕТА TO-263HV

Держатель IXBT14N300HV модуля 3000V 38A 200W транзистора TO-268HV IGBT поверхностный

ПЛАН ПАКЕТА TO-268HV

Держатель IXBT14N300HV модуля 3000V 38A 200W транзистора TO-268HV IGBT поверхностный
Запрос Корзина 0