Категории продукта

Разнослоистые керамические конденсаторы

[10]

Клетка кнопки двуокиси марганца лития

[10]

Управление ICs силы

[12]

контакт

Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

Посетите вебсайт

Город:shenzhen

Страна/регион:china

Контактное лицо:Missalphademo@maoyt.com

контактная информация

контакт

Держатель IXBT14N300HV модуля 3000V 38A 200W транзистора TO-268HV IGBT поверхностный

Спросите последнюю цену

Номер модели :IXBT14N300HV

Количество минимального заказа :50pcs

Способность поставки :1000000 шт.

Пробой напряжения коллектор-эмиттер (макс.) :3000 v

Ток - коллектор (Ic) (макс.) :38 А

Настоящий - пульсированный сборник (Icm) :120 А

Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic :2.7V @ 15V, 14A

Мощность - Макс. :200 w

Тип ввода :Стандарт

контакт

Add to Cart

Посмотреть описание продукта

IXBT14N300HV IGBT 3000 v 38 держатель TO-268HV a 200 w поверхностный (IXBT)

IXYS IXBx14N300HV обратное проводя BiMOSFET™ IGBTs

IXYS IXBx14N300HV обратное проводя BiMOSFET™ IGBTs совмещают прочности MOSFETs и IGBTs. Эти высоковольтные приборы идеальны для параллельной деятельности должной к положительному коэффициенту температуры напряжения тока как своего напряжения тока сатурации, так и падения пропускного напряжения своего внутреннеприсущего диода. «Свободные» внутреннеприсущие диоды тела подачи IXBx14N300HV BiMOSFET IGBTs как диод защиты, обеспечивая альтернативный путь для индуктивной нагрузки настоящей во время поворота- прибора, предотвращая высокие переходные процессы напряжения тока Ldi/dt от наносить повреждение к прибору.

Используя IXBx14N300HV BiMOSFET IGBTs, дизайнеров силы могут исключить множественное сери-параллельное более низкое напряжение тока, более низкоточные расклассифицированные приборы, таким образом уменьшать число необходимы компонентов силы и упрощать связанные сети привода ворот. Эта особенность приводит в гораздо проще системном проектировании с более недорогой и улучшенной надежностью.

IXYS IXBx14N300HV BiMOSFET™ IGBTs доступны в пакетах TO-263HV (IXBA14N300HV) и TO-268HV (IXBT14N300HV). Эти приборы отличают -55°C к диапазону температур соединения +150°C.

ОСОБЕННОСТИ

«Свободный» внутреннеприсущий диод тела
Сохраняет космос путем исключать множественное сери-параллельное более низкое напряжение тока, более низкоточные расклассифицированные приборы
Плотность наивысшей мощности
Высокочастотная деятельность

Низкие потери при теплопроводности
Ворота MOS поворачивают дальше для простоты привода
электрическая изоляция 4000V
Низкие требования к привода ворот

ПРИМЕНЕНИЯ

Переключател-режим и электропитания резонирующ-режима
Бесперебойные электропитания (UPS)
Генераторы лазера

Цепи разряда конденсатора
Переключатели AC

СПЕЦИФИКАЦИИ

напряжение тока коллектор- эмиттера 3000V (vCES)
напряжение тока сборник-ворот 3000V (vCGR)
напряжение тока ворот-излучателя ±20V (vGES)
течение сборника ±38A на +25°C (IC25)
течение утечки ворот ±100nA (IGES)

течение сборника ±14A на +110°C (IC110)
напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера 2.7V (vCE (сидел))
10μs коротк-цеп-выдерживают время (tsc)
диссипация силы сборника 200W (pC)
-55°C к диапазону температур соединения +150°C

ОБОЗНАЧЕНИЯ & СХЕМА PIN

Держатель IXBT14N300HV модуля 3000V 38A 200W транзистора TO-268HV IGBT поверхностный

ПЛАН ПАКЕТА TO-263HV

ПЛАН ПАКЕТА TO-268HV

Метки товара: