продукты
Поставщики
Sign in
Register
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
КО. ПРЕДВАРИТЕЛЬНОГО МАТЕРИАЛА СИАМЭН ПОВЭРВАИ, ЛТД.
Manufacturer from China
Активный участник
7 лет
Главная
продукты.
Профиль Компании
Контроль качества
Свяжитесь с нами
Запрос цены:
Русский язык
English
Français
Español
日本語
Português
ган вафля (36)
вафля сик (44)
вафля гаас (20)
вафля иньп (21)
Вафля ИнАс (16)
Вафля ИнСб (11)
Вафля ГаСб (16)
Вафля германия (15)
Вафля КдЗнТе (1)
Кремниевая пластина (65)
Стеклянная вафля (1)
Главная
/
продукты
/
Silicon Wafer
/
3" толщина 20-25μм слоя толщины 381±25µм субстрата вафли кремния эпитаксиальная/резистивность <0.018Ωкм Эпи
/
show pictures
Категории продукта
ган вафля
[36]
вафля сик
[44]
вафля гаас
[20]
вафля иньп
[21]
Вафля ИнАс
[16]
Вафля ИнСб
[11]
Вафля ГаСб
[16]
Вафля германия
[15]
Вафля КдЗнТе
[1]
Кремниевая пластина
[65]
Стеклянная вафля
[1]
контакт
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Город:
xiamen
Область/Штат:
fujian
Страна/регион:
china
контактная информация
контакт
3" толщина 20-25μм слоя толщины 381±25µм субстрата вафли кремния эпитаксиальная/резистивность <0.018Ωкм Эпи
продукты подробные
3" толщина 381±25µм субстрата вафли кремния эпитаксиальная/резистивность Вафля кремния эпитаксиальная слой кремния одиночного кристалла депозированног...
список продуктов, подробные →
Метки товара:
si толщина вафли
толщина кремниевой пластины
толщина пластины