XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.

КО. ПРЕДВАРИТЕЛЬНОГО МАТЕРИАЛА СИАМЭН ПОВЭРВАИ, ЛТД.

ПАМ-СИАМЭН принимают ОЭМ или заказ ОДМ под согласованием НДА, нормально для серисе епи, нестандартная конструкция много часто, по мере того как исследователи и пользователи предпочитают разрешить фиксированную проблему и им нужно отрегулировать дизайн для принятия этих исправленный прибор.

В 2008, производственная линия вафли кремниевого карбида 2 дюймов успешно завершила техническую отладку, теперь его осуществляет НИОКР и производство вафель СиК 6 дюймов для СБД, штыря, МОСФЭТ и других приборов.

ПАМ-СИАМЭН интернационально выдвигало печь МОКВД эпитаксиальную и эпитаксиальное оборудование характеризации, производственную линию обломока сложного полупроводника 6 дюймов, вафлю в системе обнаружения обломока, систему испытания надежности и систему разработки приложений.: материалы субстрата полупроводника нитрида галлия (ГАН), составной субстрат ГаН/АИ2О3, кристалл ГаН субстрат одиночный и оборудование (HVPE) эпитаксии участка пара гидрида, етк. емкость месячной производительности 150 мм ГаН на вафлях Си эпитаксиальных достигают 800ваферс, и 4-8 дюйм ГаН на СиК/вафли сапфира эпитаксиальные успешно был произведен. Эпитаксиальная вафля поддерживает высокое кристаллическое качество, высокое единообразие и высокую надежность эпитаксиальных материалов, которые могут полно соотвествовать прикладным требованиям высоковольтных электронных устройств силы в индустрии.

ПАМ-СИАМЭН на массовом производстве вафель 6 дюймов 650 в основанных на кремни ГаН эпитаксиальных для производительности электроники, которые главным образом использованы в управлении силы, солнечном инверторе, электротранспорте и промышленном приводе мотора и других полях. В поле микроволны и радиочастоты, компания уносила развитие материалов основанного на кремни нитрида галлия эпитаксиальных, НИОКР и промышленная подготовка вафель радиочастоты также была запущена.

Команда НИОКР, которая фокусирует на научных исследованиях и разработки и прикладном исследовании (сравненных с фундаментальными исследованиями). Отличающийся от технологический отдел, который разрешить трудные проблемы в продукции, отдел НИОКР исследовать и начать новые вафли, фуртерморе, задача НИОКР начать более большие слитки, более большой размер вафли но более небольшие дефекты и СМЫЧОК етк.

Команда продукции, который ответственный за контролировать всю производственную линию от роста слитка к паковать.

Команда технологии, который от продукции депт, всегда технологическая поддержка предложения от дознания к после продажам.

Команда Салес&маркетинг, которые ответственны за продукты выходить на рынок и надувательства, там члены инженеров по сбыту на начале, члены администрации, который нужно общаться с документами и пересылки, сторонники вебсайта.

Команда НИОКР, которая фокусирует на научных исследованиях и разработки и прикладном исследовании (сравненных с фундаментальными исследованиями).

Покупающ команду, которые ответственны за покупку машины, оборудования и материала

Команда бухгалтерии, которая принадлежит головному офису.

2009, ПАМ-СИАМЭН начинает технологию ГаН, интегрирует субстрат ГаН кристаллический, эпитаксию и прибор СИД РФ& Повер&. Было интеграцией НИОКР, дизайна, продукции и продаж материалов полупроводника, эпитаксии, приборов и модулей, и соединять всю цепь индустрии третьего поколения полупроводников включая материал ГаН и материал СиК,

инкубировать ВКСЭЛ, электронные устройства силы, приборы РФ сложного полупроводника, модуль лазера модулей лампы упаковывая упаковывая и другие международные самые современные технологии.

2007, обслуживание епи предложения ПАМ-СИАМЭН основанное на субстрате ИИИ-В (включая субстрат ГаАс, субстрат ГаСб, субстрат ИнСб, субстрат ИнАс и субстрат ИнП, субстрат ГаН, субстрат АлН), материале покрывает ГаИнСб, ИнАс, АлСб, ГаИнНасСб, ИнГаАс, АлГаАс, ИнГаАсП, АлИнГаАс, ГаАлАс, ИнГаАлП, АлГаИнП, ИнГаП, ИнГаН, АлГаН, применение включает силу &РФ, Фотоникс, СИД, фотоэлемент и электронику.

2004, ПАМ-СИАМЭН предлагает вафли СиК полупроводника с вафлей 6Х СиК и 4Х СиК в различных качественных рангах для изготовителей исследователя и индустрии. Мы начинали всю производственную линию с технологическим прочессом технологии выращивания кристаллов СиК и вафли СиК, размером от 2" до 6". Мы обеспечиваем изготовленную на заказ эпитаксию СиК тонкого фильма (кремниевого карбида) на субстратах 6Х или 4Х для развития приборов кремниевого карбида. Вафля епи СиК главным образом использована для диодов Шотткы, транзисторов пол-влияния металлоокисного полупроводника, влияния поля соединения.

От 2001, мы начинаем и производим материал германия включая вафлю германия которая для микроэлектроники, оптически применения и фотоэлемента.

От 1990, мы посвящаем для того чтобы исследовать и произвести кремниевую пластину и слиток КЗ, после десятилетия, мы начинаем кремниевую пластину ФЗ с >1000 ohm.cm. и теперь мы можем предложить размер вафли от 2" до 12" с основной рангом и испытать ранг.

Обслуживание консультанта технологии вафли предложения ПАМ-СИАМЭН с нашим опытом 29+ в материале полупроводника, мы умеем как соединить знание от субстрата, эпитаксию с прибором, и нас умеем как выбрать или вырасти право и квалифицированный субстрат для вас когда вы используете его для експитаксы или другого применения, мы также умеем как отрегулировать структуру вафли для различного прибора.

Обслуживание консультанта вафли полупроводника ПАМ-СИАМЭН квалифицированное предложением и технологии вафли с нашим опытом 29+ в материале полупроводника от начала к задней части, мы умеем как соединить знание от субстрата, эпитаксию с прибором, и нас умеем как выбрать или вырасти право и квалифицированный субстрат для вас когда вы используете его для експитаксы или другого применения, мы также умеем как отрегулировать структуру вафли для различного прибора и вырасти структуры права для вас.