XIAMEN POWERWAY ВЫДВИНУЛ МАТЕРИАЛЬНОЕ CO., LTD.
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Add to Cart
3" толщина 381±25µм субстрата вафли кремния эпитаксиальная/резистивность <0>
Вафля кремния эпитаксиальная слой кремния одиночного кристалла депозированного на одиночную кристаллическую кремниевую пластину (примечание: она имеет в распоряжении вырасти слой поли кристаллического слоя кремния поверх сильно данной допинг в одиночку кристаллической кремниевой пластины, но для этого нужен амортизирующий слой (как окись или поли-Си) между субстратом Си большей части и верхним эпитаксиальным слоем)
Эпитаксиальному слою можно дать допинг, по мере того как он депозирован, к точной давая допинг концентрации пока продолжающ кристаллическое строение субстрата.
Резистивность эпислоя: <1 ohm-cm="" up="" to="" 150="" ohm-cm="">
Толщина эпислоя: < 1="" um="" up="" to="" 150="" um="">
Структура: Н/Н+, Н-/Н/Н+, Н/П/Н+, Н/Н+/П-, Н/П/П+, П/П+, П-/П/П+.
Применение вафли: Цифров, линейные, сила, МОС, приборы БиКМОС.
Наши преимущества с одного взгляда
1. Предварительные оборудование и испытательное оборудование роста эпитаксии.
2. Предложите самое высококачественное с низкой плотностью дефекта и хорошей шероховатостью поверхности.
3. Сильные поддержка и технологическая поддержка научно-исследовательской группы для наших клиентов
Вафля ПАМ-СИАМЭН эпитаксиальная обслуживает спецификации:
• Диаметры: 50мм, 75мм, 100мм, 125мм, 150мм
• Ориентация вафли: <100> <111>, <110>
• Толщина ЭПИ: 4μм до 150μм
• Допанц: Мышьяк, фосфор, бор
• Типичные ряды резистивности
• 0,05 до 1 200 ом-см
• 3000 до 5 000 ом-см (внутреннеприсущие слои)
3" ± 25µм толщины 381 субстрата вафли кремния эпитаксиальное/резистивность <0>
| 3" спецификация вафли кремния эпитаксиальная | |
| Субстрат | |
| Метод роста | КЗ |
| Диаметр | 76,2 +/- 0,5 |
| Ориентация | 111 |
| С ориентации | 3° - 4° |
| Тип/Допант | Н/Сб (сурьма) |
| Резистивность | <0> |
| Квартиры | СЭМИ |
| Плоский, положение | 110 +/- 2 градусов |
| Плоский, основной | 22,22 +/- 3.17мм |
| Плоский, положение | 45 +/- 5 градусов КВ от основного |
| Плоский, вторичный | 11,18 +/- 1.52мм |
| Толщина | 381 +/- 25µм |
| СМЫЧОК | < 40=""> |
| ИСКРИВЛЕНИЕ | < 40=""> |
| ТТВ | < 10=""> |
| Края | СЭМИ округленный |
| Финиш | Одиночная отполированная сторона |
| Задняя сторона | Сложенный & вытравленный |
| Уплотнение задней стороны | Полысиликон перенесенный массой |
| Задняя поли толщина | 2µм |
| Эпитаксиальный слой | |
| Тип/Допант | Н/Фосфорус |
| Резистивность | 7.5 - 10Ωкм |
| Толщина | 20 - 25µм |
| Другие | СЭМИ |
| Способ уплотнения прокладками | епак |
Что вафля кремния эпитаксиальная?
Вафли епи кремния сперва были начаты около 1966, и достигли коммерчески принятия началом 80-х. [5] методов для расти эпитаксиальный слой на монокрысталлине кремнии или других вафлях включают: различные типы низложения химического пара (CVD) расклассифицированного как КВД атмосферного давления (АПКВД) или низложение химического пара (MOCVD) металла органическое, так же, как эпитаксия молекулярного луча (MBE). Вызваны 2 «керфлесс» метода (без истирательного савинг) для отделять эпитаксиальный слой от субстрата «имплант-колют» и «усильте старт». Метод применимый когда эпислой и субстрат такой же материал использует вживление иона для того чтобы депозировать тонкий слой кристаллических атомов примеси и приводя механического стресса на точной глубине запланированной толщины слоя епи. Наведенный локализованный стресс обеспечивает контролируемый путь для великолепного распространения в следующем шаге расщепления. [7] в сухом процессе старта стресса применимом когда эпислой и субстрат подходяще различные материалы, контролируемый отказ управляется изменением температуры на интерфейсе епи/вафли чисто термальными стрессами должными к рассогласованию в тепловом расширении между слоем епи и субстратом, без необходимости для любых внешних механических силы или инструмента для помощи великолепного распространения. Было сообщено что этот процесс производит одиночное атомное плоское расщепление, уменьшая потребность для старта столба полируя, и позволяя множественным повторным пользованиям субстрата до 10 раз
Вы ищете кремниевая пластина?
ПАМ-СИАМЭН ваше идти-к месту для вафель полупроводника, включая кремниевые пластины, по мере того как мы делаем его на почти 30 лет! Отправьте нами дознание для того чтобы выучить больше о вафлях которые мы предлагаем и как мы можем помочь вам с вашим следующим проектом. Наша команда группы может дать вам технологическую поддержку. отправьте нами электронную почту на sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com