XIAMEN POWERWAY ВЫДВИНУЛ МАТЕРИАЛЬНОЕ CO., LTD.
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Add to Cart
Н печатает, субстрат ИнП с (100), (111) или ориентация (110), 3", фиктивная ранг
ПАМ-СИАМЭН изготовляет вафли фосфида индия одиночного кристалла особой чистоты для применения оптической электроники. Наши стандартные диаметры вафли выстраивают в ряд от 25,4 мм (1 дюйма) до 200 мм (6 дюймов) в размере; вафли можно произвести в различных толщинах и ориентациях с отполированными или уньполишед сторонами и могут включить допанц. ПАМ-СИАМЭН может произвести ранги широкого диапазона: основная ранг, ранг теста, фиктивная ранг, техническая ранг, и оптически ранг. ПАМ-СИАМЭН также предлагают материалы к спецификациям клиента запросом, в дополнение к изготовленным на заказ составам для применений рекламы и исследования и новых собственнических технологий.
Н печатает, субстрат ИнП, 3", фиктивная ранг
| 3" спецификация вафли ИнП | ||||
| Деталь | Спецификации | |||
| Тип кондукции | Н типа | Н типа | ||
| Допант | Ундопед | Сера | ||
| Диаметр вафли | 3" | |||
| Ориентация вафли | 100±0.5° | |||
| Толщина вафли | 600±25ум | |||
| Основная плоская длина | 16±2мм | |||
| Вторичная плоская длина | 8±1мм | |||
| Концентрация несущей | ≤3кс1016км-3 | (0.8-6) кс1018км-3 | (0.6-6) кс1018км-3 | Н/А |
| Подвижность | (3.5-4) кс103км2/В.с | (1.5-3.5) кс103км2/В.с | 50-70км2/В.с | >1000км2/В.с |
| Резистивность | Н/А | Н/А | Н/А | >0.5кс107Ω.км |
| ЭПД | <1000cm>-2 | <500cm>-2 | <1x10>3км-2 | <5x10>3км-2 |
| ТТВ | <12um> | |||
| СМЫЧОК | <12um> | |||
| ИСКРИВЛЕНИЕ | <15um> | |||
| Маркировка лазера | по требованию | |||
| Финиш Суфасе | П/Э, П/П | |||
| Эпи готовое | да | |||
| Пакет | Одиночные контейнер или кассета вафли | |||
Чистка вафли
Чистка вафли неотъемлемая часть индустрии вафли. Процесс чистки включает удаление частичных и химических примесей от полупроводника. Необходимо во время процесса чистки что субстрат не поврежден в любом случае. Чистка вафли идеальна для основанных на кремни материалов в виду того что самый общий элемент который использован. Некоторые из преимуществ чистки вафли включают:
 | Фиельд зависимость скорости дрейфа электронов в ИнП, К. 300. Твердая кривая теоретический расчет. Брошенный и точечная пунктирная кривая измеренные данные. (Малоней и Фрей [1977]) и ( Гонцалез Санчез и др. [1992]). |
| Зависимость поля скорости дрейфа электронов для сильных электрических полей. Т (К): 1. 95; 2. 300; 3. 400. ( Виндхорн и др. [1983]). |
| Фиельд зависимость скорости дрейфа электронов на различных температурах. Изогните 1 -77 к ( Гонцалез Санчез и др. [1992]). Кривая 2 до 300 к, изогните 3 - 500 к (Фавсетт и Холм [1975]). |
| Электронная температура против электрического поля для К. 77 к и 300. (Малоней и Фрей [1977]) |
| Часть электронов в долинах нЛ/но и нС/но л и кс как функция электрического поля, К. 300. (Бородовскии и Осадчии [1987]). |
| Зависимость частоты η эффективности вначале (сплошная линия) и на второй (гармонике брошенной линии) в режиме ЛСА. Симуляция Монте-Карло. Ф = Фо + Ф1·грех (2π·фт) + Ф2·[грех (4π·фт) +3π/2], См-1 Фо=Ф1=35 кВ, См-1 Ф2=10.5 кВ (Бородовскии и Осадчии [1987]). |
| Продольный (д || Ф) и поперечные (⊥ ф д) коэффициенты диффузии электронов на К. 300. Симуляция Монте-Карло ансамбля. (Айшима и Фукусима [1983]). |
| Продольный (д || Ф) и поперечные (⊥ ф д) коэффициенты диффузии электронов на 77К. Симуляция Монте-Карло ансамбля. (Айшима и Фукусима [1983]). |
Фосфид индия (InP) использован для произведения эффективных лазеров, чувствительных фотодетекторов и модуляторов/демодулятор в окне длины волны типично используемом для радиосвязей, т.е., 1550 длин волны нм, по мере того как сразу материал сложного полупроводника бандгап ИИИ-В. Длина волны между около 1510 нм и 1600 нм имеет самую низкую амортизацию доступную на стекловолокне (около 0,26 дБ/км). ИнП обыкновенно используемый материал для поколения сигналов лазера и обнаружения и преобразования тех сигналов назад к электронной форме. Диаметры вафли выстраивают в ряд от 2-4 дюймов.
Применения являются следующими:
• Соединения стекловолокна долгого пути над большим расстоянием до 5000 км типично >10 Тбит/с
• Сети доступа кольца метро
• Сети и центр данных компании
• Волокно к дому
• Соединения с беспроводными базовыми станциями 3Г, ЛТЭ и 5Г
• Спутниковая связь открытого космоса
Вы ищете субстрат ИнП?
ПАМ-СИАМЭН гордо предложить субстрат фосфида индия для всех различных видов проектов. Если вы ищете вафли ИнП, то отправьте нами дознание сегодня для того чтобы выучить больше о том, как мы можем работать с вами для того чтобы получить вам вафли ИнП вам для вашего следующего проекта. Наша команда группы смотрит вперед к обеспечивать и качественные продучты и превосходное обслуживание для вас!