XIAMEN POWERWAY ВЫДВИНУЛ МАТЕРИАЛЬНОЕ CO., LTD.
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Add to Cart
Полу-изолирующ, субстрат ГаАс, 2", механическая ранг
ПАМ-СИАМЭН начинает и изготовляет кристалл и вафлю арсенида субстрат-галлия сложного полупроводника. Мы использовали предварительную технологию выращивания кристаллов, вертикальное замораживание градиента (ВГФ) и вафлю арсенида галлия (ГаАс) технологический прочесс. Необходимые электрические свойства получены путем добавление допанц как кремний или цинк. Результат н типа или п типа высокоомные (>10^7 ohm.cm) или низко-сопротивление (<10 -="" 2="" ohm="">
Вафли арсенида галлия (ГаАс), Полу-изолируя для применений микроэлектроники
| Деталь | Спецификации | Примечания |
| Тип кондукции | Изолировать | |
| Метод роста | ВГФ | |
| Допант | Ундопед | |
| Вафля Дямтер | 2, дюйм | Слиток доступный |
| Ориентировка кристаллов | (100) +/- 0.5° | |
| ЭДЖ, США или зазубрина | ||
| Концентрация несущей | н/а | |
| Резистивность на РТ | >1Э7 Охм.км | |
| Подвижность | >5000 км2/В.сек | |
| Плотность ямы травления | <8000> | |
| Маркировка лазера | по требованию | |
| Поверхностный финиш | П/П | |
| Толщина | 350~675ум | |
| Эпитаксия готовая | Да | |
| Пакет | Одиночные контейнер или кассета вафли | |
Свойства ГаАс Кристл
| Свойства | ГаАс |
| Атомс/км3 | 4,42 кс 1022 |
| Атомный вес | 144,63 |
| Поле нервного расстройства | приблизительно 4 кс 105 |
| Кристаллическая структура | Зинкбленде |
| Плотность (г/км3) | 5,32 |
| Диэлектрическая константа | 13,1 |
| Эффективная плотность состояний в зоне проводимости, Нк (см-3) | 4,7 кс 1017 |
| Эффективная плотность состояний в валентной полосе, Нв (см-3) | 7,0 кс 1018 |
| Сродство к электрону (в) | 4,07 |
| Перепад энергии на 300К (еВ) | 1,424 |
| Концентрация внутреннеприсущей несущей (см-3) | 1,79 кс 106 |
| Внутреннеприсущая длина Дебе (микроны) | 2250 |
| Внутреннеприсущая резистивность (ом-см) | 108 |
| Константа решетки (ангстромы) | 5,6533 |
| Линейный коэффициент теплового расширения, | 6,86 кс 10-6 |
| ΔЛ/Л/ΔТ (1 ДЕГ К) | |
| Точка плавления (ДЕГ К) | 1238 |
| Продолжительность жизни несущей меньшинства (с) | приблизительно 10-8 |
| Подвижность (смещение) | 8500 |
| (см2/В-с) | |
| µн, электроны | |
| Подвижность (смещение) | 400 |
| (см2/В-с) | |
| µп, отверстия | |
| Оптически энергия (eV) фонона | 0,035 |
| Длина свободного пути фонона средняя (ангстромы) | 58 |
| Специфическая жара | 0,35 |
| (Дж/г-дег к) | |
| Термальная проводимость на 300 к | 0,46 |
| (В/км-дегК) | |
| Термальная диффузорность (см2/сек) | 0,24 |
| Давление пара (Pa) | 100 на 1050 ДЕГ К; |
| 1 на 900 ДЕГ К |
| Длина волны | Индекс |
| (µм) | |
| 2,6 | 3,3239 |
| 2,8 | 3,3204 |
| 3 | 3,3169 |
| 3,2 | 3,3149 |
| 3,4 | 3,3129 |
| 3,6 | 3,3109 |
| 3,8 | 3,3089 |
| 4 | 3,3069 |
| 4,2 | 3,3057 |
| 4,4 | 3,3045 |
| 4,6 | 3,3034 |
| 4,8 | 3,3022 |
| 5 | 3,301 |
| 5,2 | 3,3001 |
| 5,4 | 3,2991 |
| 5,6 | 3,2982 |
| 5,8 | 3,2972 |
| 6 | 3,2963 |
| 6,2 | 3,2955 |
| 6,4 | 3,2947 |
| 6,6 | 3,2939 |
| 6,8 | 3,2931 |
| 7 | 3,2923 |
| 7,2 | 3,2914 |
| 7,4 | 3,2905 |
| 7,6 | 3,2896 |
| 7,8 | 3,2887 |
| 8 | 3,2878 |
| 8,2 | 3,2868 |
| 8,4 | 3,2859 |
| 8,6 | 3,2849 |
| 8,8 | 3,284 |
| 9 | 3,283 |
| 9,2 | 3,2818 |
| 9,4 | 3,2806 |
| 9,6 | 3,2794 |
| 9,8 | 3,2782 |
| 10 | 3,277 |
| 10,2 | 3,2761 |
| 10,4 | 3,2752 |
| 10,6 | 3,2743 |
| 10,8 | 3,2734 |
| 11 | 3,2725 |
| 11,2 | 3,2713 |
| 11,4 | 3,2701 |
| 11,6 | 3,269 |
| 11,8 | 3,2678 |
| 12 | 3,2666 |
| 12,2 | 3,2651 |
| 12,4 | 3,2635 |
| 12,6 | 3,262 |
| 12,8 | 3,2604 |
| 13 | 3,2589 |
| 13,2 | 3,2573 |
| 13,4 | 3,2557 |
| 13,6 | 3,2541 |
Что вафля ГаАс?
Арсенид галлия (GaAs) смесь элементов галлия и мышьяка. Это полупроводник зазора диапазона ИИИ-В сразу с кристаллической структурой сфалерита цинка.
Вафля ГаАс важный материал семикондукор. Она принадлежит для того чтобы собрать сложный полупроводник ИИИ-В. Тип решетчатая структура сфалерита с константой решетки 5.65кс 10-10м, точки плавления ℃ 1237 и зазора диапазона 1,4 ЭВ. Арсенид галлия можно сделать в семи изолировать высокоомные материалы с резистивностью более высоко чем кремний и германий больше чем 3 порядками величины, могущие понадобиться для того чтобы сделать субстрат интегральной схемаы, ультракрасный детектор, детектор фотона γ, етк. потому что своя подвижность электрона 5-6 раз больше чем это из кремния, оно широко был использован в приборах микроволны и высокоскоростных вычислительных цепях. Полупроводниковое устройство сделанное ГаАс имеет преимущества сопротивления частоты коротковолнового диапазона, высокотемпературных и низких температуры, малошумных и сильных радиации. К тому же, его можно также использовать для того чтобы сделать приборы оптового влияния.
| Модуль основной массы | 7,53·1011 см-2 дын |
| Точка плавления | °К 1240 |
| Специфическая жара | 0,33 дж г-1°К -1 |
| Термальная проводимость | 0,55 °К -1 см-1 в |
| Термальная диффузорность | 0.31км2с-1 |
| Тепловое расширение, линейное | 5,73·10-6 °К -1 |
 |
Зависимость температуры термальной проводимости н типа образец, никакой (км-3): 1. 1016; 2. 1,4·1016; 3. 1018; п типа образец, по (км-3): 4. 3·1018; 5. 1,2·1019. |
|
Зависимость температуры термальной проводимости (для высокой температуры) н типа образец, никакой (км-3): 1. 7·1015; 2. 5·1016; 3. 4·1017; 4. 8·1018; п типа образец, по (км-3): 5. 6·1019. |
|
Зависимость температуры специфической жары на давлении постоянного Ккл= 3кбН = 0,345 дж г-1°К -1. Н число атомов в 1 ог ГаАс г. Брошенная линия: Кп= (4π2Ккл/5θо3)·Т3 для К. θо= 345. |
|
Зависимость температуры линейного α коэффициента расширения |
| Точка плавления | Тм=1513 к |
| Для 0 < P=""> | Тм= 1513 - 3.5П (п в кбар) |
| Давление насыщенного пара | (в паскалях) |
| К 1173 | 1 |
| К 1323 | 100 |
Вы ищете субстрат ГаАс?
ПАМ-СИАМЭН гордо предложить субстрат фосфида индия для всех различных видов проектов. Если вы ищете вафли ГаАс, то отправьте нами дознание сегодня для того чтобы выучить больше о том, как мы можем работать с вами для того чтобы получить вам вафли ГаАс вам для вашего следующего проекта. Наша команда группы смотрит вперед к обеспечивать и качественные продучты и превосходное обслуживание для вас!