китай категории
Русский язык
Главная /

субстрат полупроводника

1 - 20 Результаты поиска по запросу субстрат полупроводника от 83 продукты

2-4 дюймовый галлиевый антимонид GaSb субстрат однокристаллический монокристалл для полупроводниковАрсенид индия InAs субстрат однокристаллический мон......

Time : Nov,29,2025
контакт

Add to Cart

ранг продукции вафель 4inch 6inch 4H-N sic фиктивная основная для прибора MOS SBD, качества полупроводника вафель 4H-N 4inch 6inch Sic высокого криста......

Time : Jun,18,2025
контакт

Add to Cart

Применение: Semi пакет, полупроводники, полупроводник, пакет IC, субстрат IC, uMCP, MCP, UFS, CMOS, MEMS, собрание IC, substrage IC хранения; Умный те......

Time : Sep,04,2023
контакт

Add to Cart

Описание продукта: Керамическая подложка - Керамическая подложка AIN Керамический субстрат - это высокопроизводительный электронный материал, предна........

Time : Sep,05,2025
контакт

Add to Cart

Масштабы плиты СПД датчика тензометрического датчика полупроводника высокоскоростные гнуть Тензометрические датчики СПД полупроводника Тензометри.........

Time : Nov,09,2025
контакт

Add to Cart

Субстрат нитрида кремния Си3Н4 высокой износостойкости тугоплавкий изготовленный на заказ керамический Основные особенности керамического субстрата.........

Time : Jun,05,2024
контакт

Add to Cart

Субстрат вафли молибдена для полупроводника и обломоков Mo СИД, MoCu 25.4mm 1inch Субстрат вафли сделанный из материалов молибдена, меди молибдена.........

Time : Dec,09,2024
контакт

Add to Cart

Гладкость c плоская высокая и высокий субстрат сапфира чистоты для полупроводника Вафли сапфира главным образом соответствующие для научных иссле.........

Time : Nov,26,2024
контакт

Add to Cart

Никелевая плита на основе медного сплава молибдена с покрытием 2 ~ 10 мкм для полупроводников IGBT 1Информация о пластинке на основе MoCu с покрытие........

Time : Nov,06,2025
контакт

Add to Cart

Полностью автоматическая система формования Параметры производительности ● Давление закрытия формы: 98-1764 кН; ● Давление впрыска: 4,9-30 кН регули........

Time : Apr,18,2025
контакт

Add to Cart

Субстраты ГаН 4 дюймов Фрестандинг как материалы полупроводника ИИИ-нитрида ПАМ-СИАМЭН установило технологию изготовления для фрестандинг (н.........

Time : Jun,05,2024
контакт

Add to Cart

Ультрафиолетоустойчивая лента Ультрафиолетовая лента - это специальная лента, которая обладает превосходной клеящей способностью в обычных условиях.........

Time : Dec,01,2024
контакт

Add to Cart

Благодаря широкому прямому диапазону (в диапазоне 3,4 eV), сильным атомным связям, высокой теплопроводности и превосходной устойчивости к излучению, G......

Time : May,13,2025
контакт

Add to Cart

Субстрат керамической вафли полупроводника Чукинг для комплектовать вверх вафлю Ключевое слово: Субстрат керамической вафли Чукинг.........

Time : Dec,09,2024
контакт

Add to Cart

Запрос Корзина 0