25AA02E48T-I OT прочитало только Programmable памяти электрически стираемое

25AA02E48T-I/OT электрически стираемое хранение данных памяти Programmable прочитанной единственной памяти BAV20-TAP MFRC50001T/0FE

Особенности

• Предпрограммированное глобально - уникальное, бит 48 или 64-разрядный адрес узла

• Совместимый с EUI-48™ и EUI-64™

• 10 MHz максимальной тактовой частоты

• Маломощная технология CMOS: - Максимум пишет течение: 5 мам на 5.5V - прочитанное настоящем: 5 мам на 5.5V, 10 MHz - резервное течение: 1 µA на 2.5V

• 8-разрядная организация 256 x

• Напишите режим страницы (до 16 байт)

• Последовательное чтение

• Само-синхронизированное стирание и написать циклы (максимум 5 госпож)

• Блок пишет защиту: - Не защитите никакой, 1/4, 1/2 или весь из массива

• Разъем пишет защиту: - Включение питания/с сетей защиты данных - Write позволить запереть на задвижку - защитите штырь от записи

• Высокая надежность: - Выносливость: 1 000 000 стираний/пишет циклы - удерживание данных: >200 леты - предохранение от ESD: >4000V

• Поддержанные диапазоны температур:

- Промышленный (я): -40 ℃ к ℃ +85

• Pb свободный от и RoHS уступчивые

Описание

Микросхема Технология Inc. 25AA02E48/25AA02E64 (25AA02EXX) только запоминающее устройство 2 Kbit серийное электрически стираемое Programmable (EEPROM). Память получать доступ к через простой серийный периферийный автобус интерфейса (SPI) совместимый серийный. Необходимы сигналы автобуса входной сигнал часов (SCK) плюс отдельные данные в (SI) и данных линии вне (ТАК). Доступ к прибору проконтролирован через входной сигнал обломока отборный (CS).