Атрибут продукта	Атрибут со значением
Категория продукта:	MOSFET
Устанавливать стиль:	SMD/SMT
Пакет/случай:	TSDSON-8
Полярность транзистора:	N-канал, P-канал
Количество каналов:	Канал 2
Vds - пробивное напряжение Сток-источника:	20 v
Id - непрерывное течение стока:	5,1 A, 3,2 A
Rds на - сопротивлении Сток-источника:	41 mOhms, 97 mOhms
Vgs - напряжение тока Ворот-источника:	- 12 V, + 12 V
Th Vgs - напряжение тока порога Ворот-источника:	1,1 V, 1 V
Qg - обязанность ворот:	700 ПК, ПК 590
Минимальная рабочая температура:	- 55 c
Максимальная рабочая температура:	+ 175 c
Pd - диссипация силы:	2,5 w
Режим канала:	Повышение
Упаковка:	Вьюрок
Упаковка:	Раскроенная лента
Упаковка:	MouseReel
Конфигурация:	Двойной
Время падения:	1,4 ns, 4,7 ns
Передний Transconductance - минута:	5,5 S, 3,4 S
Высота:	1,1 mm
Длина:	3,3 mm
Тип продукта:	MOSFET
Время восхода:	2 ns, 3,7 ns
	5000
Subcategory:	MOSFETs
Тип транзистора:	1 N-канал, 1 P-канал
Типичное время задержки поворота-:	12,2 ns, ns 11,3
Типичное время задержки включения:	4,9 ns, 7,4 ns
Ширина:	3,3 mm
Часть # псевдонимы:	SP000961028 BSZ15DC02KDHXTMA1
Вес блока:	0,001367 oz

MOSFET транзисторов полупроводников BSZ15DC02KDH дискретный первоначальный и новый

Обломок интегральной схемаы

Обломок IC транзистора

Обломок датчика температуры

Беспроводные модули RF

Общецелевые реле

Диод SMD ТВ

Конденсаторы обломока тантала

Настоящие резисторы чувства

Микросхемы памяти EMMC

Гнезда IC ПОГРУЖЕНИЯ

Переключатель мощности ICs

Optocouplers выхода транзистора

Обломок СИД SMD

Управление ICs силы

MOSFET транзисторов полупроводников BSZ15DC02KDH дискретный первоначальный и новый

catalyst 2960 series specs

igbt semiconductor

sram groupset