Оригинал Si транзисторов MRF9045LR1TRANSISTORS RF двухполярный в запасе
ASI MRF9045LR1 золото-металлизированное высокое напряжение,
сбоку отраженный полупроводник металлической окиси. Идеал для сегодняшнего
Применения усилителя силы RF.
|
Транзисторы MOSFET RF |
| RoHS: |
Детали |
|
N-канал |
|
Si |
|
4,25 a |
|
65 v |
|
945 MHz |
|
dB 18,8 |
|
60 w |
|
SMD/SMT |
|
NI-360 |
|
Поднос |
| Конфигурация: |
Одиночный |
| Передний Transconductance - минута: |
3 s |
| Pd - диссипация силы: |
117 w |
| Тип продукта: |
Транзисторы MOSFET RF |
| Subcategory: |
MOSFETs |
| Тип: |
MOSFET силы RF |
| Vgs - напряжение тока Ворот-источника: |
15 v |
| Th Vgs - напряжение тока порога Ворот-источника: |
4,8 v |
| Вес блока: |
0,032480 oz |
Типичные 2•
−
Представление тона на 945 MHz, 28 вольтах
Сила выхода — 45 ватт ПОДБАДРИВАЮЩЕГО
Увеличение силы — dB 18,8
Эффективность — 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Интегрированное предохранение от ESD
•
Конструированный для максимальной плоскостности участка увеличения и ввода
•
Способный на регулировать 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 945 MHz, 45 ватт CW
Сила выхода
•
Превосходная термическая стабильность
•
Охарактеризованный с эквивалентом серии большим
−
Параметры импеданса сигнала
•
В ленте и вьюрке. Суффикс R1 = 500 блоков в 32 mm, вьюрок 13 дюймов.
•
Низкая толщина плакировкой золота на руководствах. L суффикс показывает 40
′ ′ μ
Nomin
•
Типичные 2
−
Представление тона на 945 MHz, 28 вольтах
Сила выхода — 45 ватт ПОДБАДРИВАЮЩЕГО
Увеличение силы — dB 18,8
Эффективность — 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Интегрированное предохранение от ESD
•
Конструированный для максимальной плоскостности участка увеличения и ввода
•
Способный на регулировать 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 945 MHz, 45 ватт CW
Сила выхода
•
Превосходная термическая стабильность
•
Охарактеризованный с эквивалентом серии большим
−
Параметры импеданса сигнала
•
В ленте и вьюрке. Суффикс R1 = 500 блоков в 32 mm, вьюрок 13 дюймов.
•
Низкая толщина плакировкой золота на руководствах. L суффикс показывает 40
′ ′ μ
Nomin
•
Типичные 2
−
Представление тона на 945 MHz, 28 вольтах
Сила выхода — 45 ватт ПОДБАДРИВАЮЩЕГО
Увеличение силы — dB 18,8
Эффективность — 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Интегрированное предохранение от ESD
•
Конструированный для максимальной плоскостности участка увеличения и ввода
•
Способный на регулировать 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 945 MHz, 45 ватт CW
Сила выхода
•
Превосходная термическая стабильность
•
Охарактеризованный с эквивалентом серии большим
−
Параметры импеданса сигнала
•
В ленте и вьюрке. Суффикс R1 = 500 блоков в 32 mm, вьюрок 13 дюймов.
•
Низкая толщина плакировкой золота на руководствах. L суффикс показывает 40
′ ′ μ
Nomin
•
Типичные 2
−
Представление тона на 945 MHz, 28 вольтах
Сила выхода — 45 ватт ПОДБАДРИВАЮЩЕГО
Увеличение силы — dB 18,8
Эффективность — 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Интегрированное предохранение от ESD
•
Конструированный для максимальной плоскостности участка увеличения и ввода
•
Способный на регулировать 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 945 MHz, 45 ватт CW
Сила выхода
•
Превосходная термическая стабильность
•
Охарактеризованный с эквивалентом серии большим
−
Параметры импеданса сигнала
•
В ленте и вьюрке. Суффикс R1 = 500 блоков в 32 mm, вьюрок 13 дюймов.
•
Низкая толщина плакировкой золота на руководствах. L суффикс показывает 40
′ ′ μ
Nomin
MRF9045LR1 MRF9045LSR1
5
−
1
Данные по прибора RF
Полупроводник Freescale
Транзисторы влияния поля силы RF
N
−
Повышение канала
−
MOSFETs режима боковые
Конструированный
для широкополосных коммерчески и промышленных применений с frequen-
cies до 1000 MHz. Высокий ga
в и широкополосное представление этих
приборы делают их идеальный для большой
−
сигнал, общий
−
applica- усилителя источника
tions в оборудовании базовой станции 28 вольт.
•
Типичные 2
−
Представление тона на 945 MHz, 28 вольтах
Сила выхода — 45 ватт ПОДБАДРИВАЮЩЕГО
Увеличение силы — dB 18,8
Эффективность — 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Интегрированное предохранение от ESD
•
Конструированный для максимальной плоскостности участка увеличения и ввода
•
Способный на регулировать 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 945 MHz, 45 ватт CW
Сила выхода
•
Превосходная термическая стабильность
•
Охарактеризованный с эквивалентом серии большим
−
Параметры импеданса сигнала
•
В ленте и вьюрке. Суффикс R1 = 500 блоков в 32 mm, вьюрок 13 дюймов.
•
Низкая толщина плакировкой золота на руководствах. L суффикс показывает 40
′ ′ μ
Никакой
