модуль силы 602W MOSFET SiC моста массива MSCSM170HM23CT3AG Mosfet 4N-Channel полный Характер продукции MSCSM170HM23CT3AG MSCSM170HM23CT3AG п.........
Add to Cart
Вспомогательный трансформатор привода ворот 750319331 для SiC-MOSFET и IGBT Характеристики: Емкость Interwinding вниз к Крошечный поверхностны.........
Add to Cart
Описание продукта: Silicon Carbide MOSFET is a type of Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) that has been developed to optimiz......
Add to Cart
Описание Керамика из нитрида кремния обладает множеством превосходных характеристик, таких как высокая твердость, высокая прочность, небольшой коэффиц......
Add to Cart
6H-N полуизоляционная SiC подставка/вафель для MOSFET, JFET, BJT, высокой сопротивляемости широкого диапазона Полуизоляционная субстанция SiC/абстракт......
Add to Cart
В формирует высокотемпературные нагревающие элементы СиК, топление штангу кремниевого карбида до 1400℃ Форма нагревающих элементов СИК: Форма в (тип в......
Add to Cart
FDV301N Силовая электроника с N-канальным МОП-транзистором FDV301N — это мощный N-канальный полевой МОП-транзистор, предназначенный для комму.........
Add to Cart
Черный карбид кремния используется в качестве огнеупорного вещества в керамическом производстве Описание: Почему карбид кремния выдерживает такое.........
Add to Cart
МОСФЭТ 200В 50А 300В Н-канала ИРФП260НПБФ до отверстие ТО-247АК РоХС уступчивое Другое имя: 64-6005ПБФ Особенность л предварительный технологический п......
Add to Cart
ИРФП240, СиХФП240 МОСФЭТ силы ОСОБЕННОСТИ • Динамическая оценка дВ/дт • Повторяющийся расклассифицированная лавина • Изолированное.........
Add to Cart
Управление инвертора водителей EV ворот; IGBT & SiC GDIC Атрибут продукта Атрибут со значением Отборный атрибут.........
Add to Cart
ХСИ9926А 20В удваивают МОСФЭТ Н-канала Общее описание Технология канавы ХСИ9926А выдвинутая пользами к предусмотрите превосходный РД.........
Add to Cart
MOSFET N-канала HXY9926A 20V двойной Общее описание HXY9926A использует предварительную технологию канавы к предусмотрите превосходный.........
Add to Cart
Печь для эпитаксического роста с силиконовым карбидом (CVD SIC) HTCVD Это оборудование используется для покрытия карбидом кремния материалов на основе......
Add to Cart
MOSFETs HiPerFET силы Mosfet 800V 27A 0,32 Rds канала IXFK27N80Q n Описание MOSFETs Q-CLASS силы HiPerFETTM Одиночный MOSFET умирает Лавина реж.........
Add to Cart
ДЕРЖАТЕЛЬ D2PAK ПОВЕРХНОСТИ ТРАНЗИСТОРА 200V MOSFET КАНАЛА IRF640NSTRLPBF N Товары подготовляют: Совершенно новый Состояние части:.........
Add to Cart