Zhuhai Cersol Technology Co, Ltd

Manufacturer from China
Проверенные Поставщика
4 лет
Главная / продукты / Продукты из нитрида кремния /

Размер на заказ толщина 0,32 мм Силиконовые нитриды субстраты для IGBT и SiC MOSFET

контакт
Zhuhai Cersol Technology Co, Ltd
Город:zhuhai
Область/Штат:guangdong
Контактное лицо:MissChen
контакт

Размер на заказ толщина 0,32 мм Силиконовые нитриды субстраты для IGBT и SiC MOSFET

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Китай
Условия оплаты :T/T ЗАРАНЕЕ
Срок поставки :ОБЫЧНО 1 МЕСЯЦ
Упаковывая детали :СУМКИ, БОЧОНКИ, КОРОБКИ
Материал :нитрид силикона
Цвет :Черный
Применение :IGBT
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Описание

 

Керамика из нитрида кремния обладает множеством превосходных характеристик, таких как высокая твердость, высокая прочность, небольшой коэффициент теплового расширения, небольшой высокотемпературный пропол, хорошие антиоксидантные характеристики,хорошие характеристики тепловой коррозии;Это лучший керамический материал в комплексной производительности. Он широко используется в области аэрокосмической, скоростной железной дороги и новых энергетических транспортных средств.Это важный материал для рассеивания тепла для изоляционных биполярных кристаллических труб (IGBT) и силовых модулей карбида кремния (SIC MOSFET).

Размер на заказ толщина 0,32 мм Силиконовые нитриды субстраты для IGBT и SiC MOSFET  Размер на заказ толщина 0,32 мм Силиконовые нитриды субстраты для IGBT и SiC MOSFET

 

Особенности

  • Высокая твердость, высокая прочность
  • Хорошая антиоксидантная эффективность
  • Хорошие характеристики тепловой коррозии
  • Коэффициент теплового расширения небольшой
  • Маленький высокотемпературный ползунок
  • Небольшие коэффициенты трения

 

Размер

РазмерТолщинаДлина и ширина
0.32 мм.114.3*114.3 мм
138*190 мм
Примечания: на заказ

 

 
Свойства материалов

Свойства материаловФормулаДа, да.3N4
ЦветСерый/белый
Плотность ((g/cm)3)≥ 3.20
Грубость поверхности Ra
(μm)
0.200-0.600
Сила изгиба
(MPa)
>800
Кэмбер
(длина‰)
≤ 3
Теплопроводность
(25
°C,В/мк)
>80
Коэффициент теплового расширения
(10
-6/K{40-400°C- Нет.
2.0-3.0
Коэффициент теплового расширения
(10
-6/K{40-800°C- Нет.
2.0-3.0
Диэлектрическая постоянная≥ 17
Сопротивление объема≥ 1014

 

Запрос Корзина 0