6H-N полуизоляционный SiC субстарт / вафель для MOSFETs、JFETs BJTs высокая сопротивляемость широкий диапазон

Номер модели:4H полуизоляционная SiC-подставка/вафля

Место происхождения:Китай

Минимальное количество заказа:1

Условия оплаты:T/T

Время доставки:2-4 недели

Уровень:Производственный уровень исследовательский уровень фиктивный

контакт

Add to Cart

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Проверенные Поставщика

Shanghai Shanghai China

Адрес: Комната 1-1805, No.1079 улица Дианшанху, район Цинпу, город Шанхай, Китай /201799

последний раз поставщика входа: в рамках 38 .

контактная информация

Информация о продукте Профиль Компании

Информация о продукте

6H-N полуизоляционная SiC подставка/вафель для MOSFET, JFET, BJT, высокой сопротивляемости широкого диапазона

Полуизоляционная субстанция SiC/абстракт пластинки

Полуизолирующие карбиды кремния (SiC) стали важнейшими материалами в области передовых электронных устройств.высокая теплопроводностьВ данном резюме представлен обзор свойств и применений полуизоляционных SiC-субстратов/вофров.Он обсуждает их полуизоляционное поведение, что препятствует свободному движению электронов, тем самым повышая производительность и стабильность электронных устройств.Широкий диапазон SiC позволяет высокие скорости дрейфа электронов и насыщенияКроме того, отличная теплопроводность SiC обеспечивает эффективное рассеивание тепла.что делает его пригодным для использования в суровых условиях эксплуатацииХимическая стабильность и механическая твердость SiC еще больше повышают его надежность и долговечность в различных применениях.полуизолирующие субстраты/вафры SiC предлагают убедительное решение для разработки электронных устройств следующего поколения с повышенной производительностью и надежностью.

Витрина полуизолирующего SiC-субстрата/вафры

Таблица данных полуизоляционной подточки SiC/вафры (частично)

Основные параметры производительности
Наименование продукта	Силиконокарбидная подложка, вафель из карбида кремния, вафель SiC, субстрат SiC
Способ выращивания	MOCVD
Структура кристалла	6h, 4h
Параметры решетки	6H ((a=3.073 Å c=15.117 Å), 4H ((a=3,076 Å c=10,053 Å)
Последовательность складирования	6H: ABCACB, 4H: ABCB
Уровень	Производственный класс, исследовательский класс, фиктивный класс
Тип проводимости	N-тип или полуизоляционный
Пробелы между полосками	3.23 eV
Твердость	9.2 (мох)
Теплопроводность @300K	30,2-4,9 Вт/см.К
Диэлектрические константы	e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33
Сопротивляемость	4H-SiC-N: 0,015 ~ 0,028 Ω·cm, 6H-SiC-N: 0,02 ~ 0,1 Ω·cm, 4H/6H-SiC-SI: >1E7 Ω·cm
Упаковка	Чистая сумка класса 100, в чистой комнате класса 1000

Стандартная спецификация
Наименование продукта	Ориентация	Стандартный размер	Толщина	Полировка
6H-SiC субстрат 4H-SiC субстрат	<0001> <0001> 4° в сторону <11-20> < 11-20> <10-10> Или другие не под углом	10х10 мм 10х5 мм 5х5 мм 20х20 мм φ2" x 0,35 мм φ3" x 0,35 мм φ4" x 0,35 мм φ4" x 0,5 мм φ6" x 0,35 мм Или другие.	0.1 мм 0.2 мм 0.5 мм 10,0 мм 20,0 мм Или другие.	Прекрасная почва Полированные с одной стороны Двухсторонний полированный Грубость: Ra<3A ((0,3nm)	Расследование Oнелинейный

ключевые приложения:

Полуизолирующие карбиды кремния (SiC) находят различные применения в нескольких высокопроизводительных электронных устройствах.

Электротехника:Полуизоляционные субстраты SiC широко используются в производстве силовых устройств, таких как транзисторы с полевым эффектом металлических оксидов полупроводников (MOSFET),Транзисторы с полевым эффектом соединения (JFET)Широкий диапазон SiC позволяет этим устройствам работать при более высоких температурах и напряжениях.что приводит к повышению эффективности и снижению потерь в системах преобразования мощности для таких приложений, как электромобили, возобновляемые источники энергии и промышленные источники энергии.
Радиочастотные (RF) устройства:Высокая мобильность электронов и скорость насыщения SiC позволяют развивать высокочастотные,высокомощные радиочастотные устройства для таких приложений, как беспроводная связь, радиолокационных систем и спутниковой связи.
Оптоэлектроника:Полуизоляционные субстраты SiC используются при изготовлении ультрафиолетовых (УФ) фотодетекторов и светоизлучающих диодов (LED).Чувствительность SiC к УФ-излучению делает его подходящим для применения в области обнаружения УФ-излучения в таких областях, как обнаружение пламениУльтрафиолетовая стерилизация и мониторинг окружающей среды.
Высокотемпературная электроника:Устройства SiC работают надежно при повышенных температурах, что делает их подходящими для применения при высоких температурах, таких как аэрокосмическая, автомобильная и буровая работа.Субстраты SiC используются для производства датчиков, приводы и системы управления, которые могут выдерживать суровые условия эксплуатации.
Фотоника:Субстраты SiC используются при разработке фотонических устройств, таких как оптические переключатели, модуляторы и волноводы.Широкий диапазон SiC и высокая теплопроводность позволяют изготавливать высокопроизводительные, высокоскоростные фотонические устройства для применения в телекоммуникациях, датчиках и оптических вычислениях.
Приложения для высокочастотных и высокомощных устройств:Субстраты SiC используются при производстве высокочастотных устройств с высокой мощностью, таких как диоды Шоттки, тиристоры и транзисторы с высокой мобильностью электронов (HEMT).Эти устройства используются в радиолокационных системах., беспроводной коммуникационной инфраструктуры и ускорителей частиц.

Подводя итог, полуизоляционные подложки/вафры SiC играют решающую роль в различных электронных приложениях, предлагая превосходную производительность, надежность,и эффективности по сравнению с традиционными полупроводниковыми материаламиИх универсальность делает их предпочтительным выбором для электронных систем нового поколения во многих отраслях.