Сик мосфет

модуль силы 602W MOSFET SiC моста массива MSCSM170HM23CT3AG Mosfet 4N-Channel полный Характер продукции MSCSM170HM23CT3AG MSCSM170HM23CT3AG п.........

Вспомогательный трансформатор привода ворот 750319331 для SiC-MOSFET и IGBT Характеристики: Емкость Interwinding вниз к Крошечный поверхностны.........

NH1GG69V125P 1250В 69A SiC MOSFET модуль, низкое Rds(on) 11mΩ, быстрое переключение, высокая частота, высокая температура 175°C, низкие поте.........

Описание Керамика из нитрида кремния обладает множеством превосходных характеристик, таких как высокая твердость, высокая прочность, небольшой коэффиц......

АннотацияСеменные пластинки SiC Семенная пластинка SiC 4H N типа Dia 153 155 2 дюйма-12 дюймов на заказ Используется для производства MOSFET.........

6H-N полуизоляционная SiC подставка/вафель для MOSFET, JFET, BJT, высокой сопротивляемости широкого диапазона Полуизоляционная субстанция SiC/абстракт......

Черный карбид кремния используется в качестве огнеупорного вещества в керамическом производстве Описание: Почему карбид кремния выдерживает такое.........

C2M1000170 Транс MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin ((3+Tab) TO-247 Наиболее популярные биполярные транзисторы JANTX2N2222AUBBCP56-16T1GMJD122T.........

Управление инвертора водителей EV ворот; IGBT & SiC GDIC Атрибут продукта Атрибут со значением Отборный атрибут.........

QPD1016 RF JFET Транзисторы DC-1.7 ГГц 500 Вт 50 Вт GaN RF Tr Производитель: Корво Категория продукции: Транзисторы RF JFET RoHS: Подр.........

Спецификации CAS325M12HM2 Состояние части Активный Тип FE...

...

Описание продукта Тип продукции:Транзистор с полевым эффектом карбида кремнияНомер модели:C3M0016120KСерия:Циклон III EP3C40Продавец:C3MОпаковка:TO-........

Доска логики 43D3F 6870C-0532A VER V0.6 монтажная плата НОВОГО И ПЕРВОНАЧАЛЬНОГО бытовой техники PCBA gerber C430F16-E3-L солнечная светлая Продукты........

Усилитель мощности для вибрационных испытаний Основные преимущества Конструкция энергосберегающего Ультрапрочная, надежная технология MOSFET из кар.........

ZXGD3006E6TA DrivenConfigurationНизко-сторонаChannelTypeОдиночныйNumberofDrivers1GateTypeIGBT, MOSFET SiCНапряжени тока-поставка40V (Макс)LogicVoltage......

IMBG120R350M1HXTMA1 держатель PG-TO263-7-12 поверхности v 4.7A N-канала 1200 (Tc) 65W (Tc)Модули технологий 1200V CoolSiC™ Infineon Модули технолог.........