модуль силы 602W MOSFET SiC моста массива MSCSM170HM23CT3AG Mosfet 4N-Channel полный Характер продукции MSCSM170HM23CT3AG MSCSM170HM23CT3AG п.........
Add to Cart
Вспомогательный трансформатор привода ворот 750319331 для SiC-MOSFET и IGBT Характеристики: Емкость Interwinding вниз к Крошечный поверхностны.........
Add to Cart
Описание Керамика из нитрида кремния обладает множеством превосходных характеристик, таких как высокая твердость, высокая прочность, небольшой коэффиц......
Add to Cart
6H-N полуизоляционная SiC подставка/вафель для MOSFET, JFET, BJT, высокой сопротивляемости широкого диапазона Полуизоляционная субстанция SiC/абстракт......
Add to Cart
Черный карбид кремния используется в качестве огнеупорного вещества в керамическом производстве Описание: Почему карбид кремния выдерживает такое.........
Add to Cart
Управление инвертора водителей EV ворот; IGBT & SiC GDIC Атрибут продукта Атрибут со значением Отборный атрибут.........
Add to Cart
Спецификации CAS325M12HM2 Состояние части Активный Тип FE...
Add to Cart
...
Add to Cart
Доска логики 43D3F 6870C-0532A VER V0.6 описание продуктов монтажной платы НОВОГО И ПЕРВОНАЧАЛЬНОГО бытовой техники PCBA gerber C430F16-E3-L солнечное ......
Add to Cart
ZXGD3006E6TA DrivenConfigurationНизко-сторонаChannelTypeОдиночныйNumberofDrivers1GateTypeIGBT, MOSFET SiCНапряжени тока-поставка40V (Макс)LogicVoltage......
Add to Cart
IMBG120R350M1HXTMA1 держатель PG-TO263-7-12 поверхности v 4.7A N-канала 1200 (Tc) 65W (Tc)Модули технологий 1200V CoolSiC™ Infineon Модули технолог.........
Add to Cart