semiconductor germanium substrates

N типа окно Ge субстрата германия вафель Ge 4inch для ультракрасных лазеров СО2 Материал Ge вводит Среди оптически материалов, матер.........

Описание продукта 2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма германий субстраты полупроводниковые пластинки Германий обладает хорошими полупроводниковыми свойствами. В........

Субстрат германия оптически ранга Моно кристаллический Кристаллы и вафли вафли германия предложений ПАМ-СИАМЭН, который одиночные выросло ВГФ/ЛЭК, м........

Применение: Электроника памяти драхмы, карта Sd, карта памяти, весь вид ycard memor, MicroSD, карты MicroTF, карты флэш-памяти, ГДР, Semi пакета, полу......

Ультракрасный объектив германия Диапазон длины волны 2 - 16μм Изрезанный, прочный материал Идеал для обороны, безопасности, и применений термического ......

99,999% слиток германия металлического стержня 5N германия Адвокатуры германия 1. Свойства слитка германия/штанги (теоретические).........

Описание продукта: Керамическая подложка - Керамическая подложка AIN Керамический субстрат - это высокопроизводительный электронный материал, предна........

Масштабы плиты СПД датчика тензометрического датчика полупроводника высокоскоростные гнуть Тензометрические датчики СПД полупроводника Тензометри.........

...

Аппарат из молочно-белого кварца, кварцевые изделия, клеммная база для полупроводников Полупроводники: Кварцевое стекло является незаменимым ма.........

Субстрат нитрида кремния Си3Н4 высокой износостойкости тугоплавкий изготовленный на заказ керамический Основные особенности керамического субстрата.........

Субстрат вафли молибдена для полупроводника и обломоков Mo СИД, MoCu 25.4mm 1inch Субстрат вафли сделанный из материалов молибдена, меди молибдена.........

Гладкость c плоская высокая и высокий субстрат сапфира чистоты для полупроводника Вафли сапфира главным образом соответствующие для научных иссле.........

Никелевая плита на основе медного сплава молибдена с покрытием 2 ~ 10 мкм для полупроводников IGBT 1Информация о пластинке на основе MoCu с покрытие........

Полностью автоматическая система формования Параметры производительности ● Давление закрытия формы: 98-1764 кН; ● Давление впрыска: 4,9-30 кН регули........

Цепь тонкопленочной цепи обломока глинозема керамическая основная полупроводник-интегрированная привела лампу Обломок глинозема керамический осно.........