p channel mosfet high side switch

Транзистор ОЭМ сильнотоковый/переключатель Мосфет прочного канала п высокий бортовой Сильнотоковое описание особенности транзистора 40В/1.........

IRF7473TRPBF MOSFET Power Electronics N-Channel 100V High Speed ​​Switching Package 8-SOIC Тип полевого транзи...

ДЖИ21Л повсюду встают на сторону водитель, высокое напряжение, высокоскоростной водитель МОСФЭТ силы и ИГБТ основанные на процессе П-СУБ П-ЭПИ. .........

IRFP4227 200V 65A N CHANNEL MOSFET TRANSISTOR TO-247AC IRFP4227PBF Особенности Передовая технологическая технология Ключевые параметры, оптимизи.........

MOSFETs HiPerFET силы Mosfet 800V 27A 0,32 Rds канала IXFK27N80Q n Описание MOSFETs Q-CLASS силы HiPerFETTM Одиночный MOSFET умирает Лавина реж.........

8205A SOT-23-6L Пластмасс-помещают MOSFET N-канала MOSFETS двойной Общее описание VDSS= V ID= 6,0 A z 20...

MOSFET PowerTrench P-канала MOSFET 30V транзистора силы Mosfet FDS6681Z Особенности общего описания Этот MOSFET P-канала произведен испо.........

Канал 200В 18А Транс н ПОГРУЖЕНИЯ ИРФ640НПБФ переключая транзистор силы МОСФЭТ Описание МОСФЭТ с силы ® пятого поколения ХЭСФЭТ от междуна.........

Описание продукта: Высокомощный MOSFET - это тип N-канального MOSFET, который основан на национальной военной производственной линии стандарта и явл........

ФКП10Н20К/ФКПФ10Н20К МОСФЭТ Н-канала 200В Общее описание Эти транзисторы влияния поля силы режима повышения Н-канала произведены используя Фэйрчайлда.......

ISO9001.pdf IPD082N10N3 - N-канальный MOSFET-транзистор.Применение:Используется как переключатель высокого напряжения и высокой мощностиИспользуется........

ИЛИ переключение 2:1 P-канала IC переключателя селектора источника регулятора автоматическое между источниками DC ХАРАКТЕР ПРОДУКЦИИ.........

МОСФЭТ Н-канала транзисторов КДЖ2310 С10 НПН ПНП Пластмасс-помещает МОСФЭТС ОПИСАНИЕ Выдвинутые пользы КДЖ2310 вскапывают технологию для предусмотрени......

Водитель JY21L повсюду бортовой, высокое напряжение, высокоскоростной водитель MOSFET силы и IGBT основанные на процессе P-SUB P-EPI. Общее описа.........

Название продукта: FQA11N90F109Быстрая деталь: FQA11N90F109 MOSFET N-канала 900V с максимальным течением стока 11A и низким сопротивлением на-го.........

Общее описание: JY16M использует новейшие методы обработки траншеи для достижения высокой плотности клеток и уменьшает сопротивление при высоком уро........

РенезаHAT2029R-EL-EЭлектронные компоненты HAT2029R-EL-E DC:22+ Пакет:SOP-8 Бренд:RENESAS Полупроводниковые решения-REN......