Категории продукта

Аналоговые устройства откалывают

[70]

Интегральные схемаы сентенции

[110]

контакт

HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED

Город:shenzhen

Страна/регион:china

Контактное лицо:Mrkezhiwei

контактная информация

контакт

IPD082N10N3 TO-252 Ic интегральная схема N-канал Мосфетовый транзистор

Спросите последнюю цену

Видеоканал

Номер модели :IPD082N10N3

Место происхождения :Оригинал

Количество минимального заказа :1PCS

Условия оплаты :D/A, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram

Способность поставки :57830pcs

Срок поставки :3

Упаковывая детали :4000

Запас :8000+

качество :Совершенно новое неиспользованное

Пакет/коробка :TO-252

контакт

Add to Cart

Посмотреть описание продукта

ISO9001.pdf

IPD082N10N3 - N-канальный MOSFET-транзистор.
Применение:
Используется как переключатель высокого напряжения и высокой мощности
Используется в качестве переключателя для преобразователей и регуляторов
Заключение:
Способность к высокому напряжению: Vds=100V
Низкое сопротивление проводимости: Rds (on) = 8,2m Ω (typ.)
Быстрая скорость переключения: td (включено) = 16 нс (обычно), td (выключено) = 60 нс (обычно)
Высокотемпературные характеристики: может работать при температуре до 175 °C
Соответствует директивам RoHS и требованиям, касающимся предотвращения использования свинца
Параметры:
Vds (напряжение источника оттока): 100V
Vgs (напряжение источника шлюза): ± 20V
Id (текущий отвод): 80A
Rds (включенный) (сопротивление проводности): 8,2m Ω (типичный)
Qg (заряд шлюза): 135nC (обычно)
Td (включен) (время задержки запуска): 16 ns (обычно)
Td (выключенный) (время задержки отключения): 60 нс (типичный)
Tj (температура соединения): 175 °C
Соответствует директивам RoHS и требованиям без свинца.

Технические спецификации продукции

RoHS ЕС	Соответствует требованиям исключения
ECCN (США)	EAR99
Статус части	Не подтверждено
SVHC	Да, да.
СВХС превышает пороговое значение	Да, да.
Автомобильная промышленность	Неизвестно
PPAP	Неизвестно
Категория продукции	Мощность MOSFET
Конфигурация	Одинокий
Технологии обработки	OptiMOS 3
Режим канала	Улучшение
Тип канала	N
Количество элементов на чип	1
Максимальное напряжение источника отвода (V)	100
Максимальное напряжение источника входа (V)	¥20
Максимальное пороговое напряжение (V)	3.5
Максимальный непрерывный ток оттока (A)	80
Максимальный ток утечки источника выхода (nA)	100
Максимальный IDSS (uA)	1
Максимальное сопротивление источника оттока (mOhm)	8.2@10В
Типичное зарядное устройство @ Vgs (nC)	42@10В
Типичное заряжение шлюза @ 10В (nC)	42
Типичная емкость ввода @ Vds (pF)	2990@50В
Максимальное рассеивание мощности (мВт)	125000
Типичное время падения (ns)	8
Типичное время повышения (ns)	42
Типичное время задержки отключения (ns)	31
Типичное время задержки включения (ns)	18
Минимальная рабочая температура ( capturC)	-55
Максимальная рабочая температура ( capturedC)	175
Опаковка	Лента и катушка
Установка	Поверхностный монтаж
Высота упаковки	2.41 (макс.)
Ширина пакета	6.22 (макс.)
Длина упаковки	6.73 (макс.)
Изменение ПХБ	2
Вкладка	Вкладка
Стандартное название пакета	TO-252
Пакет поставщиков	DPAK
Количество пин	3
Форма свинца	Ореховые

Метки товара: