n-канальный мосфетовый транзистор

IRF640NSTRLPBF Транзистор с мотивом N-Channel 200V 18A (Tc) 150 Вт (Tc) D2PAK Передовая технологическая технология Динамический dv / dt Рейтинг 17.........

Транзистор Mosfet MOSFET P-CH 30V 21.1A/49A 8PQFN FDMS6681Z первоначальный Продукты Описание: 1. Транзистор ПОЛУПРОВОДНИКА FDMS66.........

Обломок 650V TO-263-8 интегральной схемаы транзисторов IPBE65R115CFD7A MOSFETs канала n Характер продукции IPBE65R115CFD7A Транзисторы MO.........

MOSFETs HiPerFET силы Mosfet 800V 27A 0,32 Rds канала IXFK27N80Q n Описание MOSFETs Q-CLASS силы HiPerFETTM Одиночный MOSFET умирает Лавина реж.........

Описание продукта: Высоковольтный MOSFET - это тип мощного MOSFET, который предназначен для высоковольтных приложений.применение MOSFET сверхвысоког........

Параметры продукта Производитель:СтандартныйОпаковка:ТрубкаКатегория продукции:MOSFETМарка:стандартныйRoHS:Подробная информацияКонфигурация:Одиноки.........

D1028UK RF MOSFET Транзисторы RF MOSFET N-CH 70V 30A 5-прикосновный корпус DR Производитель: TT Electronics Категория продукции: Транзисторы М.........

СИ2301КДС - Т1 - транзисторы п мосфет наивысшей мощности Э3 - МОСФЭТ канала 20-В (Д-С) МОСФЭТ П-канала 20-В (Д-С) ОСОБЕННОСТИ • свободный от Г.........

Планарный N-канал высокомощный MOSFET поверхностный монтаж Промышленный Мосфетовый транзистор Описание продукта: Наш высокопроизводительный MOSFET п........

MOSFET FDG6321C чипы диодные транзисторные интегральные схемы ОПИСАНИЕ ПРОДУКТА МОП-транзистор SC70-6 COMP NP-CH СВ.........

8205A SOT-23-6L Пластмасс-помещают MOSFET N-канала MOSFETS двойной Общее описание VDSS= V ID= 6,0 A z 20...

FETs транзисторов MOSFET 49V 80A N-канала BTS282Z E3230 TO220-7 MOSFET силы BTS282ZE3230AKSA2 от технологий Infineon. Своя максимальная диссипаци.........

Триод MOSFET N-канала кремния транзисторов MOSFET BF 999 E6327 RF триод MOSFET N-канала 1.Silicon Для высокочастотных этапов до 300 MHz предпочтите.........

...

ГОРЯЧИЕ компоненты электроники транзистора Sak-tc387qp Sak-tc387qp-160f300s Ae Tc387qp-160f300s Mosfet MOSFET (транзистор пол-влияния металл-окис.........

MOSFETs канала H2PAK-6 STMicroelectronics STH315N10F7-6 100V 60A 315W n Дискретные продукты полупроводника включают электронные блоки которые выполняю......

NTA4153NT1G IC Электронные компоненты Малый сигнал MOSFET транзистор Описание продукта переоцененный температура от -40°C до +105°C Номер част.........

Водитель JY21L повсюду бортовой, высокое напряжение, высокоскоростной водитель MOSFET силы и IGBT основанные на процессе P-SUB P-EPI. Общее описа.........

Обломок MOSFET N-канала IRFP150NPBF TO-247 42A 100V совершенно новый и первоначальный интегральной схемаы ХАРАКТЕР ПРОДУКЦИИ Номер детали IR.........