Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
Add to Cart
Передовая технологическая технология
Динамический dv / dt Рейтинг 175 ° C Рабочая температура
Быстрое переключение Полностью лавина
Простота параллелизма
Простые требования к приводу
Описание
Силовые МОП-транзисторы HEXFET® Fitth поколения от International Rectifier используют передовые технологии обработки для достижения чрезвычайно низкой стойкости к воздействию на кремниевую зону. Это преимущество, в сочетании с быстрой скоростью переключения и надежным дизайном устройств, которые хорошо известны для полевых МОП-транзисторов HEXFET, предоставляет разработчику чрезвычайно эффективное и надежное устройство для использования в самых разнообразных приложениях. Пакет TO-220 универсален для всех промышленно-промышленных применений при уровнях рассеиваемой мощности примерно до 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление и низкая стоимость пакета TO-220 способствуют его широкому признанию во всей отрасли. D2Pak - это пакет для поверхностного монтажа, способный размещать размеры до HEX-4. Он обеспечивает максимальную мощность и минимально возможное сопротивление в любом существующем пакете поверхностного монтажа. D2Pak подходит для приложений с высоким током из-за низкого внутреннего сопротивления соединения и может рассеивать до 2,0 Вт в типичном приложении для поверхностного монтажа. Версия для сквозных отверстий (IRF640NL) доступна для низкопрофильного приложения.
| производитель | Infineon Technologies | |
|---|---|---|
| Серии | HEXFET® | |
| упаковка | Лента и катушка (TR) | |
| Статус детали | активный | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Технологии | МОП-транзистор (оксид металла) | |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 200В | |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 18A (Tc) | |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V | |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA | |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 67nC @ 10V | |
| Vgs (Макс.) | ± 20V | |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 1160pF @ 25V | |
| Функция FET | - | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 150 Вт (Tc) | |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 150 мОм при 11А, 10 В | |
| Рабочая Температура | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | |
| Тип монтажа | Поверхностное крепление | |
| Пакет устройств поставщика | D2PAK | |
| Пакет / чехол | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Список других электронных компонентов на складе | ||||
| НОМЕР ЧАСТИ | MFG / BRAND | НОМЕР ЧАСТИ | MFG / BRAND | |
| 88PG8211A2-NXS2C000-Т | MARVELL | BCM8704AKFB | BROADCOM | |
| PIC16LF1828-I / SO | MICROCHIP | SAFEB1G90FA0F05R14 | MURATA | |
| MT9V022IA7ATC | MICRON | N25Q128A13ESFC0F | MICRON | |
| THS4503IDGKG4 | TI | MAX2116UTL + | МАКСИМ | |
| IR4426SPBF | инфракрасный | EMH2 T2R | RONM | |
| HD74LS73AP | RENESAS | 2SJ132-Z-E1 | NEC | |
| SN74F74DR | TI | 1S222345TCG44FA | AMD | |
| SC11024CN | SIERRA | TC94A93MFG-201 | TOSHIBA | |
| HEF4050BT | Компания | S29GL256N10TAI010 | Spansion | |
| CY7C1327G-133AXC | КИПАРИС | NSR05F40NXT5G | НА | |
| SM4142 | SM | SCD57103-20-Z, | OSRAM | |
| G6JU-2FS-Y-TR-4.5V | OMRON | S9S12P128J0MLH | FREESCALE | |
| 2SC2712-Y (T5L | TOSHIBA | P0300SARP | LITTELFUS | |
| TPS77501MPWPREPG4 | TI | GL660USB | GENESYS | |
| RT9170-18PB | Richtek | BCM5356KFBG | BROADCOM | |
| PEMH10 | PHILIPS | S-8424AACFT-TB-G | SII | |
| LFEC1E-3QN208C | РЕШЕТКИ | GP1UXC27QS | SHARP | |
| BFP320WE6327 | INFINEON | C2151BX2 | CAMBRIDGE | |
| XC7Z020-2CLG400I | XILINX | TMR 1-0511SM | TRACO | |
| AUO-K1900 | AUO | MC74LVX08DTR2 | НА | |