Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd

CO. технологии Шэньчжэня Hongxinwei, Ltd Принять новую технологию, для произведения продуктов качества, предложить обслуживание высоко-класса.

Manufacturer from China
Сайт Участник
6 лет
Главная / продукты / Electronic Integrated Circuits /

Триод 200mW MOSFET канала n кремния BF999 E6327 RF

контакт
Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:Mr段
контакт

Триод 200mW MOSFET канала n кремния BF999 E6327 RF

Спросите последнюю цену
Номер модели :BF999 E6327
Место происхождения :Китай
Количество минимального заказа :10pcs
Условия оплаты :T/T, западное соединение
Способность поставки :12000ПКС/ВЭЭК
Срок поставки :2-3days
Упаковывая детали :3000ПКС/РЭЭЛ
Полярность транзистора :Н-канал
Технология :Си
Id - непрерывное течение стока :30 a
Vds - пробивное напряжение Сток-источника :20 v
Минимальная рабочая температура :- 55 c
Максимальная рабочая температура :+ 150 c
Высота :1 мм
Длина :2,9 мм
ШИРИНА :1,3 мм
Пд - диссипация силы :200мВ
Vgs - напряжение тока Ворот-источника :6,5 v
Количество пакета фабрики :3000
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Триод MOSFET N-канала кремния транзисторов MOSFET BF 999 E6327 RF

триод MOSFET N-канала 1.Silicon

Для высокочастотных этапов до 300 MHz предпочтительно в применениях FM
• Pb свободные от (RoHS уступчивое) package1)

Триод 200mW MOSFET канала n кремния BF999 E6327 RF

 

Триод 200mW MOSFET канала n кремния BF999 E6327 RF

 

 

2.Why выбирают нас?

100% новое и originao с ценой преимущества
Высокая эффективность
Быстрая доставка
Профессиональное обслуживание команды
10 электронных блоков многолетнего опыта
Агент электронных блоков
Скидка преимущества логистическая
Превосходное послепродажное обслуживание

Запрос Корзина 0