Лист данных транзистора mosfet

HEXFET Мощность полевой МОП - транзистор, мощность MOSFET модуль IRF7329 Trench технологии Ультра низким сопротивлением Dual P-канальный МОП.........

D1028UK RF MOSFET Транзисторы RF MOSFET N-CH 70V 30A 5-прикосновный корпус DR Производитель: TT Electronics Категория продукции: Транзисторы М.........

Транзистор Mosfet MOSFET P-CH 30V 21.1A/49A 8PQFN FDMS6681Z первоначальный Продукты Описание: 1. Транзистор ПОЛУПРОВОДНИКА FDMS66.........

Планарный N-канал высокомощный MOSFET поверхностный монтаж Промышленный Мосфетовый транзистор Описание продукта: Наш высокопроизводительный MOSFET п........

IRF640NSTRLPBF Транзистор с мотивом N-Channel 200V 18A (Tc) 150 Вт (Tc) D2PAK Передовая технологическая технология Динамический dv / dt Рейтинг 17.........

Описание продукта: Высоковольтный MOSFET - это Ultra-hv MOSFET, своего рода высоковольтный транзистор Mosfet, который предлагает выдающиеся характер........

Вид продукции Полупроводники STB24N60DM2 приводят транзистор в действие влияния поля транзисторов Mosfet дискретный N-канал N-канал 600 v, 0,13.........

...

FDA50N50 высоковольтный транзистор электропитания Mosfet 48A 500V DMOS AC−DC Описание MOSFET UniFET НА семье MOSFET полупроводника высоковольтной о.........

Транзисторы MOSFET силы SiC N-канала обломока SCT4018KEC11 TO-247-3 интегральной схемаы Характер продукции SCT4018KEC11 SCT4045DW7HRTL транзист.........

ГОРЯЧИЕ компоненты электроники транзистора Sak-tc387qp Sak-tc387qp-160f300s Ae Tc387qp-160f300s Mosfet MOSFET (транзистор пол-влияния металл-окис.........

Интегрированные схемы IC E047 05 Мосфетский транзистор TO247 IRFP064NPBF P3 светодиодный модуль Транзистор Усилители Части Транзисторы [Who - Мы чт.........

Название продукта: PD57018-E Изготовитель: STMicroelectronics Категория продукта: Транзисторы влияния поля полупроводника мет.........

ISO9001.pdf Применение:IPD80R1K4P7 транзистор MOSFET N-канала обыкновенно используемый в применениях конвертеров и электропитания высокой эффективнос.......

NTA4153NT1G IC Электронные компоненты Малый сигнал MOSFET транзистор Описание продукта переоцененный температура от -40°C до +105°C Номер част.........

Хорошее качество.Электронный компонентпоставщик из China ¥GS Electronics, MMBT3906LT1G - Подробная информация о продукте Введение:MMBT3906LT1G пред.........

AOS транзистора интегральных схема AO4447A электронный описание 1.GeneralAO4447A использует предварительную технологию канавы для того чтобы обеспечи.......

DMT6009LSS-13 одиночные транзисторы канала 60V 10.8A MOSFET n Полупроводник MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2 FETS дискретный Спецификация DM.........

MOSFET IRLML5103TRPBF Чипы Диодные транзисторные интегральные схемы ОПИСАНИЕ ПРОДУКТА MOSFET MOSFT P-Ch -0.61A 600мОм 3.4nC LogLvl.........

JY13M n и MOSFET канала 40V p с низкой входной емкостью для H-моста и инверторов Общее описаниеJY13M транзисторы поля силы режима повышения л.........