CO. технологии Шэньчжэня GS электронное, CN Ltd.

Shenzhen GS Electronic Technology Co., Ltd. CN

Manufacturer from China
Проверенные Поставщика
2 лет
Главная / продукты / Discrete Semiconductor Products /

Оригинальный новый на складе MOSFET транзистор диодный тиристор SOT-23 MMBT3906LT1G IC чип электронный компонент

контакт
CO. технологии Шэньчжэня GS электронное, CN Ltd.
Посетите вебсайт
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MsEva
контакт

Оригинальный новый на складе MOSFET транзистор диодный тиристор SOT-23 MMBT3906LT1G IC чип электронный компонент

Спросите последнюю цену
Описание :MMBT3906LT1G
Запасы :10000
Минимальное количество заказов :1
Условия оплаты :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Способ перевозки :LCL, AIR, FCL, Express
P/N :MMBT3906LT1G
ПАКЕТ :SOT-23
Бренд :НА
Qty :1 шт.
D/C :2023+
D/T :В наличии
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Хорошее качество.Электронный компонентпоставщик из China ¥GS Electronics,

Оригинальный новый на складе MOSFET транзистор диодный тиристор SOT-23 MMBT3906LT1G IC чип электронный компонент

MMBT3906LT1G - Подробная информация о продукте

 

Введение:
MMBT3906LT1G представляет собой высококачественный транзистор PNP, который предлагает отличную производительность и надежность в компактном комплекте.Этот транзистор хорошо подходит для использования в усилителях.Его исключительные электрические характеристики и небольшой форм-фактор делают его идеальным выбором для проектов, где пространство ограничено и производительность имеет решающее значение.

 

Ключевые особенности:

  1. Транзистор PNP: MMBT3906LT1G - это транзистор PNP (положительно-отрицательно-положительно), позволяющий эффективно усиливать и переключать электрические сигналы.

  2. Усиление небольшого сигнала: этот транзистор специально разработан для применения для усиливания небольшого сигнала, что делает его подходящим для аудиоусилителей, осцилляторов и других микросхем с низкой мощностью.

  3. Высокая прибыль: MMBT3906LT1G обеспечивает высокую прибыль тока (hFE) до 300, обеспечивая эффективное усиление сигнала и точное воспроизведение.

  4. Низкий уровень шума: этот транзистор с низким уровнем шума минимизирует нежелательный шум и помехи, что делает его идеальным для чувствительных аудио- и радиочастотных приложений.

  5. Быстрая скорость переключения: MMBT3906LT1G имеет быструю скорость переключения, позволяющую быстрое включение/выключение в цифровых схемах и приложениях переключения.

  6. Широкий диапазон напряжения: этот транзистор работает в широком диапазоне напряжения -40 В, что делает его подходящим для широкого спектра электронных конструкций.

  7. SMD-пакет: MMBT3906LT1G поставляется в компактном пакете SMD (Surface Mount Device), облегчающем легкую интеграцию в плотно заселенные платы с микросхемами и ограниченные пространством приложения.

 

Электрические характеристики:

Для лучшего понимания электрической производительности MMBT3906LT1G обратитесь к таблице ниже:

Параметр Символ Стоимость
Коллекторный ток (DC) И 200 мА
Мощность коллектора (макс.) ПК 350 мВт
Напряжение коллектора-излучателя (макс.) Вцео -40 В
Напряжение базы коллектора (макс.) Vcbo -40 В
Базовое напряжение излучателя (макс.) Вебо -5 В
Частота перехода Фт 250 МГц
Диапазон рабочей температуры Сверху -55°C до +150°C

 

Применение:

Транзистор MMBT3906LT1G используется в широком спектре электронных цепей, включая:

  1. Усилители: используйте MMBT3906LT1G в аудиоусилителях, предварительных усилителях и других низкомощных стадиях усиления.

  2. Переключающие схемы: используйте этот транзистор в переключающих схемах, таких как цифровые переключатели, драйверы реле и логические ворота.

  3. Осцилляторы: MMBT3906LT1G может использоваться в циклах осцилляторов для генерации стабильных и точных частот.

  4. Обработка сигнала: Используйте этот транзистор в приложениях обработки сигнала, таких как фильтры, смесители и модуляторы.

  5. RF (радиочастотные) схемы: Низкий уровень шума и высокая прибыль MMBT3906LT1G делают его подходящим для радиочастотных схем, включая радиочастотные усилители и приемники.

 

Обратите внимание, что это лишь краткий обзор характеристик и применений транзистора MMBT3906LT1G.Пожалуйста, обратитесь к листу данных продукта и примечаниям к применению..

В заключение, транзистор MMBT3906LT1G PNP является компактным и надежным компонентом, который обеспечивает высокую производительность в широком диапазоне электронных цепей.низкий шум, и быстрая скорость переключения, это отличный выбор для усиления, переключения и обработки сигналов.

 

Используйте MMBT3906LT1G в своих проектах для повышения производительности и достижения оптимальных результатов.

Для получения дополнительной информации, таблиц данных и поддержки, пожалуйста, посетите наш веб-сайт или свяжитесь с нашей командой продаж.

 

Усилитель,Ключевые модули управления питанием,Мемориальные микросхемы,MCU,Микроконтроллер,ИК для сбора данных,Встроенный процессор,Часовые интерфейсы,Интерфейсные интерфейсы,Логические интегральные узлы,Радиочастотные интерфейсы,Датчик,Дискретные полупроводниковые изделия,Пассивные компоненты электроники

 

Посещениеwww.gselectro.comдля получения дополнительной информации

Запрос Корзина 0