китай категории
Русский язык

Боковая часть режима повышения канала н транзистора силы Мосфет МРФ6В2150НБР1

Номер модели:MRF6V2150NBR1
Место происхождения:США
Количество минимального заказа:1 часть
Термины компенсации:T / T, Western Union, Paypal
Способность поставкы:10000 частей в год
Срок поставки:1-2 рабочих дней
контакт

Add to Cart

Сайт Участник
Shenzhen Guangdong China
Адрес: C12F, площадь Huaqiang, Huaqiangbei Шэньчжэнь, Китай 518031
последний раз поставщика входа: в рамках 48 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

МОСФЭЦ боковой части Повышени-режима Н-канала транзисторов силы МРФ6В2150НБР1 РФ


Особенности
• Охарактеризованный с большой серии соответствующая--Параметры импеданса сигнала
• Квалифицированный до максимума деятельности 50 ВДД
• Интегрированное предохранение от ЭСД
• способный пластиковый пакет 225°К
• РоХС уступчивое
• В ленте и вьюрке. Суффикс Р1 = 500 блоков в 44 мм, вьюрок 13 дюймов.


Конструированный главным образом для КВ большого--применения выхода и водителя сигнала с
частоты до 450 МХз. Приборы бесподобный и соответствующие для пользы внутри
промышленные, медицинские и научные применения.


ИзготовительНСП США Инк.
Серия-
УпаковкаЛента & вьюрок (TR)
Состояние частиНе для новых дизайнов
Тип транзистораЛДМОС
Частота220МХз
Увеличение25дБ
Напряжение тока - тест50В
Настоящая оценка-
Диаграмма шума-
Настоящий - тест450мА
Сила - выход150В
Расклассифицированное напряжение тока -110В
Пакет/случайТО-272ББ
Пакет прибора поставщикаТО-272 ВБ-4
Низкопробный номер деталиМРФ6В2150

Список других электронных блоков в запасе
НОМЕР ДЕТАЛИМФГ/БРАНД НОМЕР ДЕТАЛИМФГ/БРАНД
843003АГЛФТИДТ АТ30ТС75-СС8-ТАТМЭЛ/АДЭСТО
НДЖМ2274РДЖРК ТА7900ФТОШИБА
РКК0303МГДКАТЛ-ХРЭНЭСАС СК2С300Э-6ФГ456КСИЛИНС
ОЗ9РРАГНМИКРО- ТЛП5701 (Д4-ТПТОШИБА
08-0911-01СИСКО МП86963ДУТ-ЛФ-ЗМПС
ПН5441А2ЭТ/C30701@157НСП ЭЛ7566АИРЭЗИНТЭРСИЛ
МЛ5824ЭММЛ ЭКХУ1Х223ДЖС5ПАНАСОНИК
ЛТК3735ЭГ#ТРПБФЛИНЕЙНЫЙ ВМ8994ЭКС/РВОЛФСОН
КЛК401АДЖПНС ТИЗ94077ЭГР2ФРЭЭСКАЛЭ
СК6СЛС9-2ТКГ144ИСК С-24КС16А0И-ДЖ8Т1ГСИИ
ВЛС252012Т-1Р5Н1Р4ТДК ОЗ9910СН-Б2-0ОМИКРО
МЛ4861КС-5МИКРО- МАС851ЭСАСЕНТЕНЦИЯ
ЛМ4902ММС/НОПБНС ЛМ49450СК/НОПБТИ
Х5ТК4Г63КФР-ПБАСКХИНИС АУ3873-Б53-ДЖКН-ГРФИТИЛИНК
УТК75185ЛУТК СХ66П51ПСИНОВЭА
ПМ3388-ФГИПМК ПКА9698ДГГНСП
НПДС404ФАИКХИЛ ФР9886СПГТРПИТИПОВ
МРМС501АНЭК 08-0284-01КИСКО
ИМП708ЭСА/ТИМП ТЛК374КДРТИ
КСА1310АКСОНИ МАС207ЭЭАГ+ТСЕНТЕНЦИЯ
China Боковая часть режима повышения канала н транзистора силы Мосфет МРФ6В2150НБР1 supplier

Боковая часть режима повышения канала н транзистора силы Мосфет МРФ6В2150НБР1

Запрос Корзина 0