китай категории
Русский язык
Главная /

gan on si substrate

1 - 20 Результаты поиска по запросу gan on si substrate от 39 продукты

GaN-on-Si ((111) N/P Ttype субстрат Epitaxy 4inch 6inch 8inch для светодиодного или энергетического устройства Абстракт субстрата GaN-on-Si Субстраты.......

Time : May,06,2025
контакт

Add to Cart

GaN на Si Composite Wafer, Si wafer, Silicon Wafer, Compound Wafer, GaN на Si Substrate, Silicon Carbide Substrate, 4 дюйма, 6 дюйма, 8 дюйма, слой га......

Time : Jun,18,2025
контакт

Add to Cart

Субстраты и вафли си-ГаН ГаН 2 дюймов Фрестандинг (нитрида галлия) ПАМ-СИАМЭН установило технологию изготовления для фрестандинг (нитрид галлия) ваф........

Time : Jun,05,2024
контакт

Add to Cart

Кристаллический субстрат ZnO используется в устройствах широкополосного соединения эпитаксиального субстрата GaN ((синий светодиод) и других областях ......

Time : Nov,19,2024
контакт

Add to Cart

Описание (MgScAlO4SCAM) кристалл ScAlMgO4 вид GaN и ZnO heteroepitaxy недавно превратилось с идеальным материалом субстрата, в настоящее время оно с........

Time : Jun,05,2024
контакт

Add to Cart

Субстрат сапфира для голубых и зеленых компонентов СИД Характер продукции Материалы используемые в голубых и зеленых светоизлучающих диодах.........

Time : Jun,05,2024
контакт

Add to Cart

Описание продукта: Обзор керамической продукции из нитрида алюминия GaN-on-QST предоставляется компанией Qromis из США, которая может использоват.........

Time : Jun,27,2025
контакт

Add to Cart

шаблоны GaN 2 дюймов: Размеры: Толщина ± 0.1mm Ф 50.8mm: 4 µm, µm 20; ориентация 4 µm: тип кондукции ± 0.5° C-самолета (0001): N типа (Undoped); N тип......

Time : Dec,25,2017
контакт

Add to Cart

Благодаря широкому прямому диапазону (в диапазоне 3,4 eV), сильным атомным связям, высокой теплопроводности и превосходной устойчивости к излучению, G......

Time : May,13,2025
контакт

Add to Cart

Пакет MOSFET TO247 канавы транзисторов IMZA120R014M1HXKSA1 1200V 14mΩ SiC Описание CoolSiC™ 1200 v, MOSFET SiC 14 mΩ в строении пакета TO247-4 н.........

Time : Apr,21,2025
контакт

Add to Cart

2400MHz-2500MHz 2,4GHz 2,5GHz 20W беспилотник GAN FPV джаммер 1. Описания Независимо разработанный ACASOM 50W дрон FPV jammer в основном и.........

Time : Apr,24,2025
контакт

Add to Cart

Промышленный высокий субстрат АлН нитрида алюминия термальной проводимости керамический Основные особенности субстрата АлН керамического 1. Высок.........

Time : Jun,05,2024
контакт

Add to Cart

Смельчатые колеса для светодиодного подложки Применение Смелистые колеса для светодиодной подложки в основном используются для обратного разжижения.........

Time : Dec,01,2024
контакт

Add to Cart

Бородопированные алмазные электроды CVD Bdd для покрытия си/ниобиевой подложки Спецификация Наименование продукта Электроды CVD Bdd с допированным.........

Time : Jul,31,2025
контакт

Add to Cart

Субстрат наносортного класса, полирующий порошок из алюминия Альфа-алюминий (корунд) обладает высокой твердостью и хорошей стабильностью. Нанома.........

Time : Oct,16,2024
контакт

Add to Cart

Абразивный диск ХТ-БГВ стеклянный для высокой эффективности вафли ГаН арсенида галлия Хонтуо, как главный дизайнер, изготовитель и раздатчик диа.........

Time : Dec,09,2024
контакт

Add to Cart

Отполированный кристалл поверхностного кремния Si одиночный Черный аморфический кремний получен уменьшением песка (SiO2) с углеродом. Ультра-чистые кр......

Time : May,20,2023
контакт

Add to Cart

Запрос Корзина 0