шаблоны GaN 2 дюймов:
Размеры: ± 0.1mm Ф 50.8mm
Толщина: 4 µm, µm 20; µm 4
Ориентация: ± 0.5° C-самолета (0001)
Тип кондукции: N типа (Undoped); N типа (Si-данный допинг); P типа (Mg-данный допинг)
Резистивность (300K): < 0,5 Ω·см; < 0,05 Ω·см; | 10 Ω·см
Концентрация несущей: < 5x1017 cm-3; > 1x1018 cm-3; > 6x1016 cm-3
Подвижность: | 300cm2/V·s; | 200 cm2/V·s; | 10 cm2/V·s
Плотность дислокации: Чем см-2 5x108
Структура субстрата: GaN на сапфире (стандарте: Вариант SSP: DSP)
Годная к употреблению поверхностная область: > 90%
шаблоны GaN 4 дюймов:
Размеры: ± 0.1mm Ф 50.8mm
Толщина: 4 µm, µm 20; µm 4
Ориентация: ± 0.5° C-самолета (0001)
Тип кондукции: N типа (Undoped); N типа (Si-данный допинг); P типа (Mg-данный допинг)
Резистивность (300K): < 0,5 Ω·см; < 0,05 Ω·см: | 10 Ω·см
Концентрация несущей: < 5x1017 cm-3; > 1x1018 cm-3; > 6x1016 cm-3
Подвижность: | 300cm2/V·s; | 200 cm2/V·s; | 10 cm2/V·s
Плотность дислокации: Чем см-2 5x108
Структура субстрата: GaN на сапфире (стандарте: Вариант SSP: DSP)
Годная к употреблению поверхностная область: > 90%
