Эпитаксиальная пластина GaN 375 мкм Отдельно стоящие подложки U-GaN SI-GaN
Номер модели:JDCD01-001-019
Место происхождения:Сучжоу Китай
Условия оплаты:T/T
Способность поставки:10000pcs/Month
Срок поставки:3-4 рабочих дня
Упаковывая детали:Вакуумная упаковка в чистом помещении класса 10000, в кассетах по 6 шт. или в одинарных вафельных ко
контакт
Add to Cart
Активный участник
Shanghai Shanghai China
Адрес:
Здание 11, переулок 1333, проспект Цзяннань, город Чансин, район Чунмин, Шанхай
последний раз поставщика входа:
в рамках 2 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
350 ± 25 мкм (11-20) ± 3о, 8 ± 1 мм 2-дюймовые отдельно стоящие подложки U-GaN/SI-GaN
2-дюймовая C-образная нелегированная отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN n-типа Удельное сопротивление < 0,1 Ом·см Силовое устройство/лазерная пластина
Обзор
Стандарт в промышленности полупроводниковых материалов определяет
метод проверки шероховатости поверхности монокристаллической
подложки GaN с помощью атомно-силового микроскопа, который
применяется к монокристаллическим подложкам GaN, выращенным
химическим осаждением из паровой фазы и другими методами с
шероховатостью поверхности менее 10 нм.
| 2-дюймовые отдельно стоящие подложки U-GaN/SI-GaN | |||||||
Отличный уровень (С) | Уровень производства (А) | Исследовать уровень (В) | Дурачок уровень (С) | Примечание: (1) Полезная площадь: исключение кромок и макродефектов (2) 3 балла: углы смещения позиций (2, 4, 5) составляют 0,35 ± 0,15о | |||
| С-1 | С-2 | А-1 | А-2 | ||||
| Размеры | 50,8 ± 1 мм | ||||||
| Толщина | 350 ± 25 мкм | ||||||
| Ориентация плоская | (1-100) ± 0,5о, 16 ± 1 мм | ||||||
| Вторичная ориентация плоская | (11-20) ± 3о, 8 ± 1 мм | ||||||
| Удельное сопротивление (300K) | < 0,5 Ом·см для N-типа (нелегированный; GaN-FS-CU-C50) или > 1 х 106Ом·см для полуизолирующих (легированных Fe; GaN-FS-C-SI-C50) | ||||||
| ТТВ | ≤ 15 мкм | ||||||
| ПОКЛОН | ≤ 20 мкм ≤ 40 мкм | ||||||
| Шероховатость поверхности Ga | < 0,2 нм (полированный) или < 0,3 нм (полировка и обработка поверхности для эпитаксии) | ||||||
| N шероховатость лицевой поверхности | 0,5 ~ 1,5 мкм вариант: 1~3 нм (мелкий помол);< 0,2 нм (полированный) | ||||||
| Упаковка | Упаковано в чистом помещении в одиночный вафельный контейнер | ||||||
| Полезная площадь | > 90% | >80% | >70% | ||||
| Плотность дислокаций | <9,9x105см-2 | <3x106см-2 | <9,9x105см-2 | <3x106см-2 | <3x106см-2 | ||
| Ориентация: плоскость C (0001) под углом к оси M | 0,35 ± 0,15о (3 балла) | 0,35 ± 0,15о (3 балла) | 0,35 ± 0,15о (3 балла) | ||||
| Плотность макродефектов (отверстие) | 0 см-2 | < 0,3 см-2 | < 1 см-2 | ||||
| Максимальный размер макродефектов | < 700 мкм | < 2000 мкм | < 4000 мкм | ||||
О нас
Мы специализируемся на переработке различных материалов в пластины, подложки и индивидуальные детали из оптического стекла. Компоненты широко используются в электронике, оптике, оптоэлектронике и многих других областях.Мы также тесно сотрудничаем со многими отечественными и зарубежными университетами, научно-исследовательскими институтами и компаниями, предоставляя индивидуальные продукты и услуги для их научно-исследовательских проектов.Наше видение - поддерживать хорошие отношения сотрудничества со всеми нашими клиентами благодаря нашей хорошей репутации.
Часто задаваемые вопросы
В: вы торговая компания или производитель?
Мы фабрика.
Q: Как долго ваше время доставки?
Обычно это 3-5 дней, если товар есть на складе.
или 7-10 дней, если товара нет на складе, в зависимости от
количества.
Q: Предоставляете ли вы образцы?это бесплатно или дополнительно?
Да, мы можем предложить образец бесплатно, но не оплачиваем
стоимость перевозки.
В: Каковы ваши условия оплаты?
Оплата <=5000USD, 100% предоплата.
Paymen> = 5000USD, 80% T/T заранее, остаток перед отправкой.
Эпитаксиальная пластина GaN 375 мкм Отдельно стоящие подложки U-GaN SI-GaN
Запрос Корзина
0