МОСФЭТ канала 20-В н транзистора влияния поля Мос ХСИ2302З (Д-С)
Место происхождения:Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа:1000-2000 ПК
Упаковывая детали:Положенный в коробку
Срок поставки:1 до 2 недели
Термины компенсации:Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы:18,000,000ПКС/в день
контакт
Add to Cart
Проверенные Поставщика
Shenzhen Guangdong China
Адрес:
Комната 2013, здание DingCheng международное, дорога ZhenHua, район FuTian, Шэньчжэнь, провинция Гуандун
последний раз поставщика входа:
в рамках 14 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
СОТ-23 Пластмасс-помещают МОСФЭТ Н-канала 20-В МОСФЭТС ХСИ2302З (Д-С)
Сводка продукта
РДС (дальше)<60m>
РДС (дальше)<73m>
ИД=2.3А
ВДСС=20В
Максимальные оценки (Та=25℃ если не указано иное)
Т =25 ℃ если не указано иное
Типичная характеристика
МОСФЭТ канала 20-В н транзистора влияния поля Мос ХСИ2302З (Д-С)
Запрос Корзина
0