транзистор влияния поля mos

Линейная структура 3403Д-У-В транзистора влияния поля Мос силы вертикальная Описание транзистора влияния поля Мос Транзистор влияния поля.........

Обломок транзистора влияния поля MOS FDB2614 TO-263 совершенно новый и первоначальный интегральной схемаы ХАРАКТЕР ПРОДУКЦИИ Номер детали FD.........

Транзистор 2SD669A наивысшей мощности NPN эпитаксиальный плоскостныйХарактер продукции Номер модели2SD669A ПакетTO-3PКод даты18+УпаковкаЛента и тру.........

N-канал MOSFET 60V 115mA транзистора силы Mosfet 2N7002LT1G Особенности • приставка 2V для автомобильных и других применений требуя уникальн.........

Транзистор влияния поля 13A TK13A60D (STA4, q, m) ТОШИБА 600V MOS N-канала 0,33 омов Тип MOS канала n кремния транзистора влияния поля ТОШИБА Примен........

Трубка MOS транзистора влияния поля канала AO4486 SOP-8 n p (MOSFET) Спецификация Доставка: 1, мы можем доставка во всем мире DHL, UP.........

Транзистор Пол-влияния режима повышения N-канала NX7002AK NEXPERIA (FET) в небольшом SOT23 (TO-236AB) Поверхност-установил dТехнические данные продукт......

Интегральные схемаы MRF175LU микроконтроллера IC MCU электронных блоков MRF175LU N/A Спецификация деталь......

Манометры TG-101 автошины цифров с дисплеем LCD цифровым, изрезанный конструкцией ABS Ряд давления: 5-150PSI; Дисплей LCD цифровой.........

Onsemi NDT3055L/транзистор Фэйрчайлда - N-канал, уровень логики, влияние поля EnhancementMode описание 1.GeneralЭто effecttransistor поля силы ре.........

Откройте профи - и - жулики покупки транзисторов STGH20N50FIВсесторонний проводник к транзисторам STGH20N50FI: Преимущества и недостатки Вы ищете.........

Трубка влияния поля обломока IC флэш-памяти IPD50N04S4 08 40V 50A Пакет трубки N-CH 40V 50A влияния поля IPD50N04S4-08 50N04S4 К совершенно ново.........

автомобиль 238W откалывает транзисторы TO-247-3 диафрагмы поля зрения канавы AFGHL40T65SPD IGBT Характер продукции AFGHL40T65SPD Транзист.........

I/O 484FBGA Intel EP4CE40F23I7N IC FPGA 328 Детали продукта Описание:Altera EP4CE40F23I7N прибор вентильной матрицы поля Programmable (FPGA.........

Общее описание: Продукт использует передовые планарные методы обработки для достижения высокой плотности клеток и уменьшает сопротивление с высоким.........