транзистор влияния поля mos

Линейная структура 3403Д-У-В транзистора влияния поля Мос силы вертикальная Описание транзистора влияния поля Мос Транзистор влияния поля.........

Предложение штока транзистора влияния поля MOS транзистора 2SK3797 Pin IC 3 тип MOS N-Канала кремния транзистора влияния поля 2SK3797 .........

Новый и первоначальный транзистор влияния поля SOT-23 MOSFET SMD LP3407LT1G Продукты Описание: 1. Эти приборы Pb−Free, галоид свободный/BFR с.........

Интегрированные схемы IC оригинальный и новый,CJ2304 SOT-23 N-канал MOS Транзистор с эффектом поля CJ/Changdian Original [Who - Мы что?] Shenzh.........

Обломок транзистора влияния поля MOS FDB2614 TO-263 совершенно новый и первоначальный интегральной схемаы ХАРАКТЕР ПРОДУКЦИИ Номер детали FD.........

Транзистор 2SD669A наивысшей мощности NPN эпитаксиальный плоскостныйХарактер продукции Номер модели2SD669A ПакетTO-3PКод даты18+УпаковкаЛента и тру.........

N-канал MOSFET 60V 115mA транзистора силы Mosfet 2N7002LT1G Особенности • приставка 2V для автомобильных и других применений требуя уникальн.........

Транзистор влияния поля 13A TK13A60D (STA4, q, m) ТОШИБА 600V MOS N-канала 0,33 омов Тип MOS канала n кремния транзистора влияния поля ТОШИБА Примен........

Вид продукции Fets P-канала 30v 4a Sot23 Mosfet силы транзистора влияния поля Ao3401a одиночные AO3401A использует предварительную технологию канавы........

Трубка MOS транзистора влияния поля канала AO4486 SOP-8 n p (MOSFET) Спецификация Доставка: 1, мы можем доставка во всем мире DHL, UP.........

Части машины сигареты транзистора влияния поля короля Размера Марк младенца Транзистор полупроводниковое устройство используемое для того чтобы у.........

трубка МОС транзистора силы ИПА80Р1К4П7 800В КоолМОСª П7 Особенности • Лучш-в-класс ФОМ РДС (дальше) * Эосс; уменьшенное Кг, Сисс, и.........

Транзистор Пол-влияния режима повышения N-канала NX7002AK NEXPERIA (FET) в небольшом SOT23 (TO-236AB) Поверхност-установил dТехнические данные продукт......

Описание продукта: Силиконовый карбидный металлоксидный полупроводниковый транзистор с эффектом поля (SiC MOSFET) - это устройство высокой мощности,........

15А 600В 274mΩ TO-220F Транзисторы с полевым эффектом металлического оксида-полупроводника N-канальный суперсоединительный MOSFET Часть No: LC60R2.........

Описание продукта Параметры продукта Наименование продуктаDY-M1 Грузовой трехколесныйДвигатель250cc, охлаждение водойРазмер груза2.5*1.4мПередняя/з.........