транзистор мос

...

Транзисторы MOSFET частей транзистора IMBG65R039M1HXTMA1 MOS канала n транзистора новые Характер продукции Диод тела коммутирования крепки.........

Интегрированный микросхема IXBH10N300HV 3000V Монолитический биполярный MOS транзистор 180W Описание продуктаIXBH10N300HV IXBH10N300HV представляе.........

Транзистор mosfet наивысшей мощности обслуживания Bom трансформатора MOS электронной части FDPC5018SG первоначальный Обзор продукта MO.........

RS-920A К формировать и автомату для резки транзистора 220 Вступление: RS-920A автоматическое руководство транзистора формируя машину для.........

Защита сети IPD060N03LGATMA1 полупроводников обломока транзистора влияния поля дискретная Вид продукции OptiMOSª3? Сил-транзистор, MOSFET N-CH.........

Параметры продукта Производитель:СтандартныйОпаковка:ТрубкаКатегория продукции:MOSFETМарка:стандартныйRoHS:Подробная информацияКонфигурация:Одиноки.........

Золота электрической индукции 15KW 2KG печь мини плавя Золота электрической индукции 15KW 2KG печь мини плавя широко использована в небольшой плавит........

Линейная структура 3403Д-У-В транзистора влияния поля Мос силы вертикальная Описание транзистора влияния поля Мос Транзистор влияния поля.........

Транзистор влияния поля 13A TK13A60D (STA4, q, m) ТОШИБА 600V MOS N-канала 0,33 омов Тип MOS канала n кремния транзистора влияния поля ТОШИБА Примен........

Предложение штока транзистора влияния поля MOS транзистора 2SK3797 Pin IC 3 тип MOS N-Канала кремния транзистора влияния поля 2SK3797 .........

Держатель поверхности 417мВ П-канала 60В 300мА транзисторов БСХ201 НПН ПНП (животиков) (животики) транзистор МОС режима БСХ201 повышения П-канала СПРА......

Транзистор 2SD669A наивысшей мощности NPN эпитаксиальный плоскостныйХарактер продукции Номер модели2SD669A ПакетTO-3PКод даты18+УпаковкаЛента и тру.........

высоковольтный транзистор MOS-Gate с встроенным FRD Описание продукта: Высоковольтный MOSFET - это ультравысоковольтный MOS-Gate транзистор с встр.........