CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
7 лет
Главная / продукты / Mos Field Effect Transistor /

МОСФЭТ канала 20-В н транзистора влияния поля Мос ХСИ2302З (Д-С)

контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контакт

МОСФЭТ канала 20-В н транзистора влияния поля Мос ХСИ2302З (Д-С)

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :1000-2000 ПК
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Срок поставки :1 до 2 недели
Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день
Номер модели :ХСИ2302З
Название продукта :транзистор силы mosfet
Транзистор Mosfet силы :СОТ-23 Пластмасс-помещают
TJ :150℃
РДС (ДАЛЬШЕ) < 23мΩ :(ВГС = 10В)
Тип :Транзистор Mosfet
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

СОТ-23 Пластмасс-помещают МОСФЭТ Н-канала 20-В МОСФЭТС ХСИ2302З (Д-С)

 

 

Сводка продукта

 
РДС (дальше)<60m>
РДС (дальше)<73m>
ИД=2.3А
ВДСС=20В
 
 
Максимальные оценки (Та=25℃ если не указано иное)
 
МОСФЭТ канала 20-В н транзистора влияния поля Мос ХСИ2302З (Д-С)
 
 
Т =25 ℃ если не указано иное
 
МОСФЭТ канала 20-В н транзистора влияния поля Мос ХСИ2302З (Д-С)
 
Типичная характеристика
 
 
МОСФЭТ канала 20-В н транзистора влияния поля Мос ХСИ2302З (Д-С)МОСФЭТ канала 20-В н транзистора влияния поля Мос ХСИ2302З (Д-С)
 
Запрос Корзина 0