CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price
Add to Cart
TO-92 Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов A92 (PNP)
Высокое напряжение
МАРКИРОВКА
УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ
| Номер детали | Пакет | Способ уплотнения прокладками | Количество пакета |
| A92 | TO-92 | Большая часть | 1000pcs/Bag |
| A92-TA | TO-92 | Лента | 2000pcs/Box |
МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (животики =25 Š если не указано иное)
| Символ | Параметр | Значение | Блоки |
| VCBO | Напряжение тока коллектора- база | - 310 | V |
| VCEO | Напряжение тока коллектор- эмиттера | - 305 | V |
| VEBO | Напряжение тока Излучател-основания | -5 | V |
| IC | Течение сборника - непрерывное | - 200 | мамы |
| ICM | Пульсированное течение сборника - | -500 | мамы |
| ПК | Диссипация силы сборника | 625 | mW |
| Tj | Температура соединения | 150 | ℃ |
| Tstg | Температура orage St | -55~150 | ℃ |
| RӨJA | Термальное сопротивление, соединение к окружающему | 200 | ℃ /mW |
| RӨJC | Термальное сопротивление, соединение, который нужно покрывать | 83,3 | ℃ /mW |
Животики =25 Š если не указано иное
| Параметр | Символ | Условия испытаний | Минута | Тип | Макс | Блок |
| Пробивное напряжение коллектора- база | V (BR) CBO | IC =-100UA, IE =0 | -310 | V | ||
| Пробивное напряжение коллектор- эмиттера | ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР V (BR) | IC =-1MA, IB =0 | -305 | V | ||
| пробивное напряжение Излучател-основания | V (BR) EBO | IE =-100ΜA, IC =0 | -5 | V | ||
| Течение выключения сборника | ICBO | VCB = -200 V IE =0 | -0,25 | μA | ||
| Течение выключения излучателя | IEBO | VEB = -5 V, IC =0 | -0,1 | μA | ||
|
Увеличение DC настоящее |
hFE (1) | VCE = -10 v, мамы IC=- 1 | 60 | |||
| hFE (2) | VCE = -10V, IC = -10 мам | 80 | 250 | |||
| hFE (3) | VCE = -10 v, IC = -80 мам | 60 | ||||
| Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера | VCE (сидел) | IC = -20 мам, мамы IB= -2 | -0,2 | V | ||
| напряжение тока сатурации Основани-излучателя | VBE (сидел) | IC = -20 мам, мамы IB= -2 | -0,9 | V | ||
| Частота перехода | fT | VCE = -20 v, мамы IC= -10 f = 30MHz | 50 | MHz |
| Ряд | B | C | |
| Ряд | 80-100 | 100- 200 | 200-250 |
Типичные характеристики
Размеры плана пакета
| Символ | Размеры в миллиметрах | Размеры в дюймах | ||
| Минута | Макс | Минута | Макс | |
| 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 | |
| A1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
| b | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
| c | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
| D | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| D1 | 3,430 | 0,135 | ||
| E | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| e | 1,270 ТИП | 0,050 ТИПА | ||
| e1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
| L | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
| 0 | 1,600 | 0,063 | ||
| h | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |