продукты Поставщики Sign in Register

Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd

CO. технологии Шэньчжэня Hongxinwei, Ltd Принять новую технологию, для произведения продуктов качества, предложить обслуживание высоко-класса.

Manufacturer from China
Сайт Участник
7 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами просят квоту
Русский язык
Главная / продукты / Electronic Integrated Circuits / Триод 200mW MOSFET канала n кремния BF999 E6327 RF /

show pictures

Категории продукта

электронные интегральные схемаы

 [305]

Модуль IGBT

 [38]

GPS-модуль

 [3]

Датчик ККД КМОС

 [16]

модуль 3G

 [3]

Модуль Кектел

 [2]

модуль 2Г

 [3]

Водитель ИГБТ

 [7]

Реле ТЭ

 [10]

Камера Сок ИП

 [12]

модуль GSM gprs

 [6]

Импульсный источник питания

 [22]

Модуль LTE 4G

 [7]

Охлаждающий вентилятор мотора

 [8]

прототип pcb

 [11]

PCB Ассамблеи

 [9]
контакт
Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:Mr段
контактная информация
контакт

Триод 200mW MOSFET канала n кремния BF999 E6327 RF
Триод 200mW MOSFET канала n кремния BF999 E6327 RF
  • Триод 200mW MOSFET канала n кремния BF999 E6327 RF
  • Триод 200mW MOSFET канала n кремния BF999 E6327 RF
продукты подробные
Триод MOSFET N-канала кремния транзисторов MOSFET BF 999 E6327 RF триод MOSFET N-канала 1.Silicon Для высокочастотных этапов до 300 MHz предпочтительн...
список продуктов, подробные →
Метки товара:
полупроводник Тошиба Корпоратион игбт канала rfp70n06 мосфет IGBT полупроводники

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4