XIAMEN POWERWAY ВЫДВИНУЛ МАТЕРИАЛЬНОЕ CO., LTD.
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Add to Cart
Тип ранг данная допинг фосфором ориентации 100 теста 4" КЗ н кремниевой пластины 4 дюймов вафля теста
ПАМ-СИАМЭН начинает предварительные технологии выращивания кристаллов и эпитаксии, ряд от субстрата кремния к сложному полупроводнику, субстрату кремния полупроводника предложения ПАМ-СИАМЭН с диаметрами от 1' „(25,4 мм) до 12" „(300 мм). Мы работаем или Кз (Кзокральски) или субстрат кремния ФЗ (зоны поплавка). Полируя процесс также сделан согласно СЭМИ стандарту (оборудование полупроводника и международные стандарты материалов). Мы также работаем ультра тонкая вафля, фильм вафли СиО2 окиси кремния тонкий, фильм вафли Си3Н4 нитрида кремния тонкий, металлизирование на субстрате кремния, и обслуживание вафли епи.
тип ранг данная допинг фосфором ориентации 100 теста 4" КЗ н кремниевой пластины 4инч вафля теста
| Ранг | Тип кондукции | Ориентация | Диаметр (мм) | Резистивность (Ω•см) |
| Тест | Н&П | <100><110>&<111> | 50-300 | Запрос клиента |
| Фиктивный | Н&П | <100><110>&<111> | 50-300 | Запрос клиента |
| Реклайм | Н&П | <100><110>&<111> | 50-300 | Запрос клиента |
| Параметр | Блок | Значение |
| Кристаллическое строение | - | Монокрысталлине |
| Метод роста | - | КЗ Ранг теста |
| Ориентировка кристаллов | - | 100±0.5° |
| Тип електропроводимостьи | - | Н |
| Допант | - | Фосфор |
| Диаметр | мм | 100±0.2мм |
| Резистивность | Ωкм | 1-10 |
| Толщина | ум | 500±20µм |
| ТТВ | ум | < 15="" um=""> |
| СМЫЧОК | ум | - |
| Искривление | ум | ≤20 ум |
| СТИР (Г) | ум | Стандарт клиента |
| Плоскостност-СТИР места | ум | Стандарт клиента |
| Зона отчуждения края | мм | СЭМИ СТД или запрос клиента |
| ЛПД | - | |
| Концентрация кислорода | ппма | <1e16> |
| Концентрация углерода | ппма | <1e16> |
| РРГ | - | - |
| Лицевая поверхность | - | Отполированный Поверхность Роугхнесс<0.3нм |
| Задняя поверхность | - | Вытравленный |
| Состояние поверхности края | СЭМИ СТД или запрос клиента | |
| Основная плоская длина | мм | СЭМИ СТД |
| Основная плоская ориентация (100/111) & угол (°) | СЭМИ СТД | |
| Вторичная плоская длина | мм | СЭМИ СТД |
| Вторичная плоская ориентация (100/111) & угол (°) | СЭМИ СТД | |
| Метка лазера | - | СЭМИ СТД или запрос клиента |
| Упаковка | Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, Жар-загерметизированные пластиковые сумки внутренней/алюминиевой фольги наружные, Упаковка вакуума |
|
| Если специфический требование клиентом, отрегулирует соответственно | ||
Чего кремниевая пластина использована для?
Первичное использование кремниевой пластины в интегральных схемаах. Интегральные схемаы приводят много в действие из приборов что современное общество использует каждый день. Компьютеры и смартфоны как раз 2 из приборов которые зависят на этой технологии. Хотя другие полупроводники испытанное дополнительное время, кремний доказывал быть стабилизированным вариантом. Другие пользы включают датчики, как система датчика давления автошины, и фотоэлементы. Кремниевые пластины поглощают фотоны в солнечном свете и это в свою очередь создает электричество.
Вы ищете кремниевая пластина?
ПАМ-СИАМЭН ваше идти-к месту для вафель полупроводника, включая кремниевые пластины, по мере того как мы делаем его на почти 30 лет! Отправьте нами дознание для того чтобы выучить больше о вафлях которые мы предлагаем и как мы можем помочь вам с вашим следующим проектом. Наша команда группы может дать вам технологическую поддержку. отправьте нами электронную почту на sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com