продукты
Поставщики
Sign in
Register
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
КО. ПРЕДВАРИТЕЛЬНОГО МАТЕРИАЛА СИАМЭН ПОВЭРВАИ, ЛТД.
Manufacturer from China
Активный участник
7 лет
Главная
продукты.
Профиль Компании
Контроль качества
Свяжитесь с нами
Запрос цены:
Русский язык
English
Français
Español
日本語
Português
ган вафля (36)
вафля сик (44)
вафля гаас (20)
вафля иньп (21)
Вафля ИнАс (16)
Вафля ИнСб (11)
Вафля ГаСб (16)
Вафля германия (15)
Вафля КдЗнТе (1)
Кремниевая пластина (65)
Стеклянная вафля (1)
Главная
/
продукты
/
Silicon Wafer
/
6" толщина 290±20µм субстрата вафли кремния эпитаксиальная/резистивность 0.008-0.025Ωкм, толщина 10-15μм слоя Эпи
/
show pictures
Категории продукта
ган вафля
[36]
вафля сик
[44]
вафля гаас
[20]
вафля иньп
[21]
Вафля ИнАс
[16]
Вафля ИнСб
[11]
Вафля ГаСб
[16]
Вафля германия
[15]
Вафля КдЗнТе
[1]
Кремниевая пластина
[65]
Стеклянная вафля
[1]
контакт
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Город:
xiamen
Область/Штат:
fujian
Страна/регион:
china
контактная информация
контакт
6" толщина 290±20µм субстрата вафли кремния эпитаксиальная/резистивность 0.008-0.025Ωкм, толщина 10-15μм слоя Эпи
продукты подробные
6" толщина 290±20µм субстрата вафли кремния эпитаксиальная/резистивность 0.008-0.025Ωкм, толщина 10-15μм слоя Эпи Обслуживания эпитаксиальных ПАМ-СИАМ...
список продуктов, подробные →
Метки товара:
si толщина вафли
толщина кремниевой пластины
толщина пластины