XIAMEN POWERWAY ВЫДВИНУЛ МАТЕРИАЛЬНОЕ CO., LTD.
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Add to Cart
12 тип ранг данная допинг фосфором ориентации 100 основная 12" кремниевой пластины ФЗ п дюйма
ПАМ-СИАМЭН изготовитель КЗ и кремниевая пластина ФЗ, мы теперь будем всемирным источником для высоких чистых кремниевых пластин, термальным кремнием окиси и вафлями епи. Кремниевая пластина использована для интегральных схема, прибора детектора/датчика, изготовления МЭМС, опто-электронных компонентов, и фотоэлементов и в конце концов применяется к компьютеру, черни, датчику и другой электронике. С богатыми опытами, ПАМ-СИАМЭН понимают ваши требования и могут обеспечить точно продукты кремния вам с соответствующим качеством и предельно низкой ценой. ПАМ-СИАМЭН может обеспечить и стандартные и подгонянные кремниевые пластины для встречи вашей кремниевой пластины полупроводника предложения демандс.ПАМ-СИАМЭН с диаметрами от 1' „(25,4 мм) до 12" „(300 мм). Мы работаем или кремниевые пластины Кз (Кзокральски) или ФЗ (зоны поплавка). Полируя процесс также сделан согласно СЭМИ стандарту (оборудование полупроводника и международные стандарты материалов). Мы также работаем ультра тонкая вафля, фильм вафли СиО2 окиси кремния тонкий, фильм вафли Си3Н4 нитрида кремния тонкий, низложение тонкого фильма и металлизирование на кремниевых пластинах.
12инч тип ранг данная допинг фосфором ориентации 100 основная 12" кремниевой пластины ФЗ п
| Тип | Тип кондукции | Ориентация | Диаметр (мм) | Резистивность (Ω•см) |
| Высокоомный | Н&П | <100>&<111> | 50 - 300 | >1000 |
| НТД | Н | <100>&<111> | 50 - 300 | 30-800 |
| КФЗ | Н&П | <100>&<111> | 50 - 300 | 1-50 |
| ГД | Н&П | <100>&<111> | 50 - 300 | 0.001-300 |
| Параметр | Блок | Значение |
| Кристаллическое строение | - | Монокрысталлине |
| Метод роста | - | ФЗ |
| Ориентировка кристаллов | - | 100 |
| Тип електропроводимостьи | - | П |
| Допант | - | Бор |
| Диаметр | мм | 300±0.2 мм |
| Резистивность | Ω/км2 | 8000-14000Ωкм |
| Толщина | ум | 650±5µм |
| ТТВ | ум | ≤15 ум |
| СМЫЧОК | ум | ≤35 ум |
| Искривление | ум | ≤35 ум |
| Плоскостность СФКД места | ум | 20С20мм: 0.40ум |
| Поверхностные металлы (Ал, Ка, Ку, Фе, Ни, Зн, Кр, На) | Атомс/км2 | Макс 5Э10/км2 |
| СТИР (Г) | ум | Стандарт клиента |
| Плоскостност-СТИР места | ум | Стандарт клиента |
| Исключение края метрологии (лпд, механические параметры) | мм | 3 |
| ЛПД | - | Μм >= 0,16 ЛПДс µм >= 0,20 ЛПДс <>µм >= 0,30 ЛПДс (включая ПОЛИСМЕН) <>(включая ПОЛИСМЕН) (включая ПОЛИСМЕН) <> |
| Концентрация кислорода | ппма | 11-15 ППМА |
| Концентрация углерода | ппма | <1e16> |
| РРГ | - | ≤15% |
| Лицевая поверхность | - | Отполированный |
| Задняя поверхность | - | Отполированный |
| Состояние поверхности края | СЭМИ СТД или запрос клиента | |
| Зазубрина | - | СЭМИ СТД |
| Метка лазера | - | СЭМИ СТД или запрос клиента |
| Упаковка | Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, Жар-загерметизированные пластиковые сумки внутренней/алюминиевой фольги наружные, Упаковка вакуума | |
| Если специфический требование клиентом, отрегулирует соответственно | ||
| Параметр | Блок | Значение |
Что кремниевая пластина?
Кремниевая пластина самый общий полупроводник и наиболее широко используемое в электронном и технологическом секторе, который ключевой компонент в интегральных схемаах, во время добавлений процесса роста преднамеренных допанц можно добавить, что к изменило очищенность кремния в зависимости от чего цель ее будет, бор, алюминий, азот, галлий и индий общие допанц кремния. В зависимости от какому уровню кремнию давал допинг, полупроводник можно рассматривать внешним или дегенеративным. Внешний был слегка к в меру данный допинг тогда как дегенеративный поступок полупроводников больше как проводники из-за высоких уровней давать допинг этому происходит во время изготовления.
ПАМ-СИАМЭН может предложить вам технологию и поддержка вафли, для больше информации, пожалуйста посещает наш вебсайт: https://www.powerwaywafer.com,
отправьте нами электронную почту на sales@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com
Качество наш наиболее высокий приоритет. ПАМ-СИАМЭН ИСО9001: 2008, имеет и делит 4 современных факорис которое могут обеспечить довольно большой ряд квалифицированных продуктов для того чтобы отвечать различные потребностямы наших клиентов, и каждый заказ должен быть обращан через нашу неукоснительную качественную систему. Отчет по испытанию обеспечен для каждой пересылки, и каждая вафля гарантия. Перед 1990, мы заявлены имели сконденсированный исследовательский центр физики дела. В 1990, разбивочное запущенное КО. предварительного материала Сямен Повервай, Лтд (ПАМ-СИАМЭН), теперь это ведущий изготовитель материала сложного полупроводника в Китае.