XIAMEN POWERWAY ВЫДВИНУЛ МАТЕРИАЛЬНОЕ CO., LTD.
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Add to Cart
3 тип ранг данная допинг бором ориентации 111 основная 3" кремниевой пластины ФЗ п дюйма
ПАМ-СИАМЭН начинает предварительные технологии выращивания кристаллов и эпитаксии, ряд от субстрата кремния к сложному полупроводнику, субстрату кремния полупроводника предложения ПАМ-СИАМЭН с диаметрами от 1' „(25,4 мм) до 12" „(300 мм). Мы работаем или Кз (Кзокральски) или субстрат кремния ФЗ (зоны поплавка). Полируя процесс также сделан согласно СЭМИ стандарту (оборудование полупроводника и международные стандарты материалов). Мы также работаем ультра тонкая вафля, фильм вафли СиО2 окиси кремния тонкий, фильм вафли Си3Н4 нитрида кремния тонкий, металлизирование на субстрате кремния, и обслуживание вафли епи.
3инч тип ранг данная допинг бором ориентации 111 основная 3" кремниевой пластины ФЗ п
| Тип | Тип кондукции | Ориентация | Диаметр (мм) | Резистивность (Ω•см) |
| Высокоомный | Н&П | <100>&<111> | 50 - 300 | >1000 |
| НТД | Н | <100>&<111> | 50 - 300 | 30-800 |
| КФЗ | Н&П | <100>&<111> | 50 - 300 | 1-50 |
| ГД | Н&П | <100>&<111> | 50 - 300 | 0.001-300 |
| Параметр | Блок | Значение |
| Кристаллическое строение | - | Монокрысталлине |
| Метод роста | - | ФЗ |
| Ориентировка кристаллов | - | 111 |
| Тип електропроводимостьи | - | П |
| Допант | - | Бор |
| Диаметр | мм | 76,2 |
| Резистивность | Ω/км2 | >1000, 30-800, 1-50, 0.001-300 |
| Толщина | ум | 350±15ум 230±15ум 380±25ум |
| ТТВ | ум | ≤10 ум |
| СМЫЧОК | ум | ≤40 ум |
| Искривление | ум | ≤40 ум |
| СТИР (Г) | ум | Стандарт клиента |
| Плоскостност-СТИР места | ум | Стандарт клиента |
| Зона отчуждения края | мм | СЭМИ СТД или запрос клиента |
| ЛПД | - | ≥0.3μм, <30count or="" Customer="" Request=""> |
| Концентрация кислорода | ппма | <1e16> |
| Концентрация углерода | ппма | <1e16> |
| РРГ | - | ≤15% |
| Лицевая поверхность | - | Отполированный |
| Задняя поверхность | - | Отполированный или вытравленный |
| Состояние поверхности края | СЭМИ СТД или запрос клиента | |
| Основная плоская длина | мм | СЭМИ СТД |
| Основная плоская ориентация (100/111) & угол (°) | СЭМИ СТД | |
| Вторичная плоская длина | мм | СЭМИ СТД |
| Вторичная плоская ориентация (100/111) & угол (°) | СЭМИ СТД | |
| Метка лазера | - | СЭМИ СТД или запрос клиента |
| Упаковка | Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, Жар-загерметизированные пластиковые сумки внутренней/алюминиевой фольги наружные, Упаковка вакуума |
|
| Если специфический требование клиентом, отрегулирует соответственно | ||
Что применение кремниевой пластины?
Монокрысталлине кремниевая пластина главным образом использована для того чтобы сделать компоненты полупроводника, свое применение детали: сырье прибора кремния полупроводника, используемое для делать выпрямитель тока наивысшей мощности, транзистор наивысшей мощности, диод, прибор переключателя, етк. Монокрысталлине кремний, который вырос метод Кзокральски главным образом использован в интегральной схемае полупроводника, диод, эпитаксиальный субстрат вафли и фотоэлемент. Кристалл плавить зоны одиночный главным образом использован в поле высоковольтных высокомощных контроллабле приборов выпрямителя тока, широко используемом в высокомощной передаче энергии и преобразовании, электрическом локомотиве, выпрямителе тока, преобразовании частоты, электро-механической интеграции, энергосберегающей лампе, телевидении и других продуктах. Эпитаксиальная вафля главным образом использована в поле интегральных схема
Вы ищете кремниевая пластина?
ПАМ-СИАМЭН ваше идти-к месту для вафель полупроводника, включая кремниевые пластины, по мере того как мы делаем его на почти 30 лет! Отправьте нами дознание для того чтобы выучить больше о вафлях которые мы предлагаем и как мы можем помочь вам с вашим следующим проектом. Наша команда группы может дать вам технологическую поддержку. отправьте нами электронную почту на sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com