XIAMEN POWERWAY ВЫДВИНУЛ МАТЕРИАЛЬНОЕ CO., LTD.

XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.

Manufacturer from China
Активный участник
6 лет
Главная / продукты / Silicon Wafer /

2 ранг 2" ориентации 100 кремниевой пластины ФЗ дюйма внутреннеприсущих Ундопед основная

контакт
XIAMEN POWERWAY ВЫДВИНУЛ МАТЕРИАЛЬНОЕ CO., LTD.
Город:xiamen
Область/Штат:fujian
Страна/регион:china
контакт

2 ранг 2" ориентации 100 кремниевой пластины ФЗ дюйма внутреннеприсущих Ундопед основная

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Китай
Количество минимального заказа :1-10,000пкс
Термины компенсации :T/T
Способность поставкы :10 000 вафель/месяц
Срок поставки :5-50 рабочих дней
Название продукта :кремниевая пластина 2 дюймов
Функция :Основная ранг
Допант :Ундопед
Толщина вафли :Путь силы
Другое имя :Монокрысталлине вафля
Диаметр вафли :2 дюйма
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

2 ранг 2" ориентации 100 кремниевой пластины ФЗ дюйма внутреннеприсущих Ундопед основная
 
ПАМ-СИАМЭН изготовитель КЗ и кремниевая пластина ФЗ, мы теперь будем всемирным источником для высоких чистых кремниевых пластин, термальным кремнием окиси и вафлями епи. Кремниевая пластина использована для интегральных схема, прибора детектора/датчика, изготовления МЭМС, опто-электронных компонентов, и фотоэлементов и в конце концов применяется к компьютеру, черни, датчику и другой электронике. С богатыми опытами, ПАМ-СИАМЭН понимают ваши требования и могут обеспечить точно продукты кремния вам с соответствующим качеством и предельно низкой ценой. ПАМ-СИАМЭН может обеспечить и стандартные и подгонянные кремниевые пластины для встречи вашей кремниевой пластины полупроводника предложения демандс.ПАМ-СИАМЭН с диаметрами от 1' „(25,4 мм) до 12" „(300 мм). Мы работаем или кремниевые пластины Кз (Кзокральски) или ФЗ (зоны поплавка). Полируя процесс также сделан согласно СЭМИ стандарту (оборудование полупроводника и международные стандарты материалов). Мы также работаем ультра тонкая вафля, фильм вафли СиО2 окиси кремния тонкий, фильм вафли Си3Н4 нитрида кремния тонкий, низложение тонкого фильма и металлизирование на кремниевых пластинах.
 
2инч ранг 2" ориентации 100 кремниевой пластины ФЗ внутреннеприсущие Ундопед основная

Тип Тип кондукции Ориентация Диаметр (мм) Резистивность (Ω•см)
Высокоомный Н&П <100>&<111> 50 - 300 >1000
НТД Н <100>&<111> 50 - 300 30-800
КФЗ Н&П <100>&<111> 50 - 300 1-50
ГД Н&П <100>&<111> 50 - 300 0.001-300

 

Параметр Блок Значение
Кристаллическое строение - Монокрысталлине
Метод роста - ФЗ
Ориентировка кристаллов - 111
Тип електропроводимостьи - Внутреннеприсущий
Допант - Ундопед
Диаметр мм 50
Резистивность Ω/км2 >1000, 30-800, 1-50, 0.001-300
Толщина ум 350±15ум
230±15ум
380±25ум
ТТВ ум ≤15 ум
СМЫЧОК ум ≤40 ум
Искривление ум ≤40 ум
СТИР (Г) ум Стандарт клиента
Плоскостност-СТИР места ум Стандарт клиента
Зона отчуждения края мм СЭМИ СТД или запрос клиента
ЛПД - ≥0.3μм, <30count or="" Customer="" Request="">
Концентрация кислорода ппма <1e16>
Концентрация углерода ппма <1e16>
РРГ - ≤15%
Лицевая поверхность - Отполированный
Задняя поверхность - Отполированный или вытравленный
Состояние поверхности края   СЭМИ СТД или запрос клиента
Основная плоская длина мм СЭМИ СТД
Основная плоская ориентация (100/111) & угол (°)   СЭМИ СТД
Вторичная плоская длина мм СЭМИ СТД
Вторичная плоская ориентация (100/111) & угол (°)   СЭМИ СТД
Метка лазера - СЭМИ СТД или запрос клиента
Упаковка   Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100,
Жар-загерметизированные пластиковые сумки внутренней/алюминиевой фольги наружные,
Упаковка вакуума
Если специфический требование клиентом, отрегулирует соответственно

 
Что применение кремниевой пластины?
Монокрысталлине кремниевая пластина главным образом использована для того чтобы сделать компоненты полупроводника, свое применение детали: сырье прибора кремния полупроводника, используемое для делать выпрямитель тока наивысшей мощности, транзистор наивысшей мощности, диод, прибор переключателя, етк. Монокрысталлине кремний, который вырос метод Кзокральски главным образом использован в интегральной схемае полупроводника, диод, эпитаксиальный субстрат вафли и фотоэлемент. Кристалл плавить зоны одиночный главным образом использован в поле высоковольтных высокомощных контроллабле приборов выпрямителя тока, широко используемом в высокомощной передаче энергии и преобразовании, электрическом локомотиве, выпрямителе тока, преобразовании частоты, электро-механической интеграции, энергосберегающей лампе, телевидении и других продуктах. Эпитаксиальная вафля главным образом использована в поле интегральных схема
 
Вы ищете кремниевая пластина?
ПАМ-СИАМЭН ваше идти-к месту для вафель полупроводника, включая кремниевые пластины, по мере того как мы делаем его на почти 30 лет! Отправьте нами дознание для того чтобы выучить больше о вафлях которые мы предлагаем и как мы можем помочь вам с вашим следующим проектом. Наша команда группы может дать вам технологическую поддержку. отправьте нами электронную почту на sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com

Запрос Корзина 0