XIAMEN POWERWAY ВЫДВИНУЛ МАТЕРИАЛЬНОЕ CO., LTD.

XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.

Manufacturer from China
Активный участник
6 лет
Главная / продукты / Silicon Wafer /

кремниевая пластина поплавк-зоны с высоко-резистивностью и хорошей продолжительностью жизни.

контакт
XIAMEN POWERWAY ВЫДВИНУЛ МАТЕРИАЛЬНОЕ CO., LTD.
Город:xiamen
Область/Штат:fujian
Страна/регион:china
контакт

кремниевая пластина поплавк-зоны с высоко-резистивностью и хорошей продолжительностью жизни.

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Китай
Количество минимального заказа :1-10,000пкс
Термины компенсации :T/T
Способность поставкы :10 000 вафель/месяц
Срок поставки :5-50 рабочих дней
Название продукта :вафе кремния зоны поплавка
Функция :Высокая резистивность
Диаметр :150±0.5 мм
Толщина :675±15 ум
Тип/Допант :П/Борон
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Характер продукции

Кремниевая пластина Поплавк-зоны с Высоко-резистивностью и хорошей продолжительностью жизни.

 

ФЗ-кремний

Моно-кристаллический кремний с характеристиками низкого содержания чуж-материала, низкой плотности дефекта и идеальной кристаллической структуры произведен с процессом поплавк-зоны; никакой материал не введен во время выращивания кристаллов. Проводимость ФЗ-кремния обычно над Ω-см 1000, и ФЗ-кремний главным образом использован для произведения высоких элементов обратного напряжения и фотоелектроник приборов.

НТДФЗ-кремний

Моно-кристаллический кремний с высоко-резистивностью и единообразием может быть достиган облучением нейтрона ФЗ-кремния, для обеспечения выхода и единообразия произведенных элементов, и главным образом использован для произведения выпрямителя тока кремния (SR), управления (SCR) кремния, гигантского транзистора (GTR), тиристора ворот-поворота- (ГТО), статического тиристора (SITH) индукции, транзистора (IGBT) изолировать-ворот двухполярного, дополнительного диода ХВ (ПИН), умной силы и силы ИК, етк; главный функциональный материал для различных преобразователей частоты, выпрямителей тока, управляющих элементов больш-силы, новых электронных устройств силы, детекторов, датчиков, фотоелектроник приборов и особенных приборов силы.

ГДФЗ-кремний

Использующ механизм диффузии чуж-материала, добавьте газофазовый чуж-материал во время процесса поплавк-зоны монокрысталлине кремния, для того чтобы разрешить давая допинг проблему процесса поплавк-зоны от корня, и получить ГДФЗ-кремний который Н типа или П типа, имеет резистивность 0.001-300 Ω.км, относительного хорошего единообразие резистивности и облучение нейтрона. Он применим для произведения различных элементов силы полупроводника, транзистора (IGBT) изолировать-ворот двухполярного и фотоэлемента высокой эффективности, етк.

КФЗ-кремний

Монокрысталлине-кремний произведен с сочетанием из Кзокральски и процессами поплавк-зоны, и имеет качество между кремнием КЗ монокрысталлине и кремнием ФЗ монокрысталлине; особенным элементам можно дать допинг, как Га, Ге и другие. Вафли кремния нового поколения КФЗ солнечные лучшие чем различные кремниевые пластины в глобальной индустрии ПВ на каждом индексе представления; эффективность преобразования панели солнечных батарей до 24-26%. Продукты главным образом приложены в солнечных батареях высокой эффективности с особенной структурой, задним контактом, УДАРОМ и другими особенными процессами, и более широко использованы в СИД, элементах силы, автомобиле, спутнике и других различных продуктах и полях.

Наши преимущества с одного взгляда

оборудование и испытательное оборудование роста эпитаксии 1.Адвансед.

2.Оффер самое высококачественное с низкой плотностью дефекта и хорошей шероховатостью поверхности.

поддержка и технологическая поддержка научно-исследовательской группы 3.Стронг для наших клиентов

Спецификация кремния ФЗ монокрысталлине

Тип Тип кондукции Ориентация Диаметр (мм) Проводимость (Ω•см)
Высокоомный Н&П <100>&<111> 76.2-200 >1000
НТД Н <100>&<111> 76.2-200 30-800
КФЗ Н&П <100>&<111> 76.2-200 1-50
ГД Н&П <100>&<111> 76.2-200 0.001-300

Спецификация вафли

Параметр слитка Деталь Описание
Растущий метод ФЗ
Ориентация <111>
-ориентация степень 4±0.5 к близко <110>
Тип/Допант П/Борон
Резистивность 10-20 В.км
РРВ ≤15% (кра-Сен) Макса/Сен

 

Параметр вафли Деталь Описание
Диаметр 150±0.5 мм
Толщина 675±15 ум
Основная плоская длина 57.5±2.5 мм
Основная плоская ориентация <011>степень ±1
Вторичная плоская длина Никакие
Вторичная плоская ориентация Никакие
ТТВ ≤5 ум
Смычок ≤40 ум
Искривление ≤40 ум
Профиль края СЭМИ стандарт
Лицевая поверхность Полировать химиката-Меченикал
ЛПД ПК ≥0.3 ум@≤15
Задняя поверхность Вытравленная кислота
Обломоки края Никакие
Пакет Упаковка вакуума; Внутренняя пластмасса, наружный алюминий

 

Запрос Корзина 0