
Add to Cart
Кремниевая пластина Поплавк-зоны с Высоко-резистивностью и хорошей продолжительностью жизни.
ФЗ-кремний
Моно-кристаллический кремний с характеристиками низкого содержания чуж-материала, низкой плотности дефекта и идеальной кристаллической структуры произведен с процессом поплавк-зоны; никакой материал не введен во время выращивания кристаллов. Проводимость ФЗ-кремния обычно над Ω-см 1000, и ФЗ-кремний главным образом использован для произведения высоких элементов обратного напряжения и фотоелектроник приборов.
НТДФЗ-кремний
Моно-кристаллический кремний с высоко-резистивностью и единообразием может быть достиган облучением нейтрона ФЗ-кремния, для обеспечения выхода и единообразия произведенных элементов, и главным образом использован для произведения выпрямителя тока кремния (SR), управления (SCR) кремния, гигантского транзистора (GTR), тиристора ворот-поворота- (ГТО), статического тиристора (SITH) индукции, транзистора (IGBT) изолировать-ворот двухполярного, дополнительного диода ХВ (ПИН), умной силы и силы ИК, етк; главный функциональный материал для различных преобразователей частоты, выпрямителей тока, управляющих элементов больш-силы, новых электронных устройств силы, детекторов, датчиков, фотоелектроник приборов и особенных приборов силы.
ГДФЗ-кремний
Использующ механизм диффузии чуж-материала, добавьте газофазовый чуж-материал во время процесса поплавк-зоны монокрысталлине кремния, для того чтобы разрешить давая допинг проблему процесса поплавк-зоны от корня, и получить ГДФЗ-кремний который Н типа или П типа, имеет резистивность 0.001-300 Ω.км, относительного хорошего единообразие резистивности и облучение нейтрона. Он применим для произведения различных элементов силы полупроводника, транзистора (IGBT) изолировать-ворот двухполярного и фотоэлемента высокой эффективности, етк.
КФЗ-кремний
Монокрысталлине-кремний произведен с сочетанием из Кзокральски и процессами поплавк-зоны, и имеет качество между кремнием КЗ монокрысталлине и кремнием ФЗ монокрысталлине; особенным элементам можно дать допинг, как Га, Ге и другие. Вафли кремния нового поколения КФЗ солнечные лучшие чем различные кремниевые пластины в глобальной индустрии ПВ на каждом индексе представления; эффективность преобразования панели солнечных батарей до 24-26%. Продукты главным образом приложены в солнечных батареях высокой эффективности с особенной структурой, задним контактом, УДАРОМ и другими особенными процессами, и более широко использованы в СИД, элементах силы, автомобиле, спутнике и других различных продуктах и полях.
Наши преимущества с одного взгляда
оборудование и испытательное оборудование роста эпитаксии 1.Адвансед.
2.Оффер самое высококачественное с низкой плотностью дефекта и хорошей шероховатостью поверхности.
поддержка и технологическая поддержка научно-исследовательской группы 3.Стронг для наших клиентов
Спецификация кремния ФЗ монокрысталлине
Тип | Тип кондукции | Ориентация | Диаметр (мм) | Проводимость (Ω•см) |
Высокоомный | Н&П | <100>&<111> | 76.2-200 | >1000 |
НТД | Н | <100>&<111> | 76.2-200 | 30-800 |
КФЗ | Н&П | <100>&<111> | 76.2-200 | 1-50 |
ГД | Н&П | <100>&<111> | 76.2-200 | 0.001-300 |
Спецификация вафли
Параметр слитка | Деталь | Описание |
Растущий метод | ФЗ | |
Ориентация | <111> | |
-ориентация | степень 4±0.5 к близко <110> | |
Тип/Допант | П/Борон | |
Резистивность | 10-20 В.км | |
РРВ | ≤15% (кра-Сен) Макса/Сен |
Параметр вафли | Деталь | Описание |
Диаметр | 150±0.5 мм | |
Толщина | 675±15 ум | |
Основная плоская длина | 57.5±2.5 мм | |
Основная плоская ориентация | <011>степень ±1 | |
Вторичная плоская длина | Никакие | |
Вторичная плоская ориентация | Никакие | |
ТТВ | ≤5 ум | |
Смычок | ≤40 ум | |
Искривление | ≤40 ум | |
Профиль края | СЭМИ стандарт | |
Лицевая поверхность | Полировать химиката-Меченикал | |
ЛПД | ПК ≥0.3 ум@≤15 | |
Задняя поверхность | Вытравленная кислота | |
Обломоки края | Никакие | |
Пакет | Упаковка вакуума; Внутренняя пластмасса, наружный алюминий |