XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
КО. ПРЕДВАРИТЕЛЬНОГО МАТЕРИАЛА СИАМЭН ПОВЭРВАИ, ЛТД.
Add to Cart
Вафля германия одиночного кристалла (Ге)
Материалы полупроводника ПАМ-СИАМЭНофферс, кристаллы и вафли Ге, который (германия) одиночные выросло ВГФ/ЛЭК
Общие свойства вафли германия
| Общая структура свойств | Кубический, а = 5,6754 Å | ||
| Плотность: 5,765 г/км3 | |||
| Точка плавления: 937,4 оК | |||
| Термальная проводимость: 640 | |||
| Технология выращивания кристаллов | Кзокральски | ||
| Давать допинг доступный | Ундопед | Давать допинг Сб | Давать допинг внутри или Га |
| Проводной тип | / | Н | П |
| Резистивность, охм.км | >35 | < 0=""> | 0,05 до 0,1 |
| ЭПД | < 5=""> | < 5=""> | < 5=""> |
| < 5=""> | < 5=""> | < 5=""> | |
Ранги и применение вафли германия
| Электронная ранг | Использованный для диодов и транзисторов, |
| Ультракрасная или опитикал ранг | Использованный для окна или дисков инфракрасн оптически, опитикал компоненты |
| Ранг клетки | Использованный для субстратов фотоэлемента |
Стандартные спецификации германия Кристл и вафли
| Ориентировка кристаллов | <111>, <100> и <110> ± 0.5о или изготовленная на заказ ориентация | |||
| Кристаллический боуле как выросли | 1 ″ | диаметр кс 6 ″ длина 200 мм | |||
| Стандартный пробел как отрезано | 1 ″ кс 0.5мм | 2 ″ кс0.6мм | 4 ″ кс0.7мм | 5 ″ кс0.8мм ″ &6 |
| Стандартная отполированная вафля (одно/2 отполированной стороны) | 1 ″ кс 0,30 мм | 2 ″ кс0.5мм | 4 ″ кс0.5мм | 5 ″ кс0.6мм ″ &6 |
Особенные размер и ориентация доступны на спрошенных вафлях
Спецификация вафли германия
| Деталь | Спецификации | Примечания |
| Метод роста | ВГФ | |
| Тип кондукции | н типа, тип п, ундопед | |
| Допант | Галлий или сурьма | |
| Вафля Дямтер | 2, 3,4 & 6 | дюйм |
| Ориентировка кристаллов | (100), (111), (110) | |
| Толщина | 200~550 | ум |
| ЭДЖ или США | ||
| Концентрация несущей | запрос на клиентах | |
| Резистивность на РТ | (0.001~80) | Охм.км |
| Плотность ямы травления | <5000> | /cm2 |
| Маркировка лазера | по требованию | |
| Поверхностный финиш | П/Э или П/П | |
| Эпи готовое | Да | |
| Пакет | Одиночные контейнер или кассета вафли |
| спецификация вафли 4 Ге дюйма | для фотоэлементов | |
| Давать допинг | П | |
| Давать допинг веществам | Ге-Га | |
| Диаметр | 100±0.25 мм | |
| Ориентация | (100) 9° к <111>+/--0,5 | |
| угол наклона -ориентации | Н/А | |
| Основная плоская ориентация | Н/А | |
| Основная плоская длина | 32±1 | мм |
| Вторичная плоская ориентация | Н/А | |
| Вторичная плоская длина | Н/А | мм |
| кк | (0.26-2.24) Э18 | /c.c |
| Резистивность | (0.74-2.81) Э-2 | охм.км |
| Подвижность электрона | 382-865 | км2/в.с. |
| ЭПД | <300> | /cm2 |
| Лазер Марк | Н/А | |
| Толщина | 175±10 | μм |
| ТТВ | <15 | μм |
| ТИР | Н/А | μм |
| СМЫЧОК | <10> | μм |
| Искривление | <10 | μм |
| Передняя грань | Отполированный | |
| Задняя сторона | Земля | |
Процесс вафли германия
В производственном процессе вафли германия, двуокись германия от обработки выпарки более добавочно очищена в шагах хлорирования и гидролиза.
1)Германий особой чистоты получен во время рафинировки зоны.
2)Кристалл германия произведен через процесс Кзокральски.
3)Вафля германия изготовлена через несколько вырезывание, меля, и вытравляя шаги.
4)Очищены вафли и осмотр. Во время этого процесса, вафли одиночная отполированная сторона или двойная сторона отполированное в соответствии с обычаем требование, епи-готовая вафля приходит.
5)Вафли упакованы в одиночных контейнерах вафли, под атмосферой азота.
Применение:
Пробел или окно германия использованы в ночном видении и термографик решениях воображения для коммерчески контрольного оборудования безопасностью, противопожарным и промышленными. Также, они использованы как фильтры для аналитического и измерительного оборудования, окон для удаленного измерения температуры, и зеркал для лазеров.
Тонкие субстраты германия использованы в фотоэлементах тройн-соединения ИИИ-В и для сконцентрированных силой систем ПВ (КПВ).