XIAMEN POWERWAY ВЫДВИНУЛ МАТЕРИАЛЬНОЕ CO., LTD.

XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.

Manufacturer from China
Активный участник
6 лет
Главная / продукты / GaSb Wafer /

Н печатает, Те-данная допинг вафля ГаСб, 2", ранг теста - Вафля Компания

контакт
XIAMEN POWERWAY ВЫДВИНУЛ МАТЕРИАЛЬНОЕ CO., LTD.
Город:xiamen
Область/Штат:fujian
Страна/регион:china
контакт

Н печатает, Те-данная допинг вафля ГаСб, 2", ранг теста - Вафля Компания

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Китай
Количество минимального заказа :1-10,000пкс
Термины компенсации :T/T
Способность поставкы :10 000 вафель/месяц
Срок поставки :5-50 рабочих дней
Название продукта :Вафля антимонида галлия ГаСб
Тип кондукции :Тип n
Допант :теллурий
Класс :Ранг теста
Другое имя :вафля ГаСб одиночного кристалла
Диаметр вафли :2 дюйма
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

 Н печатает, Те-данная допинг вафля ГаСб, 2", ранг теста - Вафля Компания
 
ПАМ-СИАМЭН обеспечивает рост вафли ГаСб одиночного кристалла (антимонида галлия) помещенным жидкостью методом Кзокральски (LEC). ГаСб (антимонид галлия) можно поставить как вафли с финишами как-отрезка, вытравленных или отполированных и доступно в широком диапазоне концентрации, диаметра и толщины несущей. ПАМ-СИАМЭН может обеспечить вафлю ГаСб ранга епи готовую для вашего применения МОКВД & МБЭ эпитаксиального. Пожалуйста свяжитесь наша команда инженера для больше данных по вафли.

2" спецификация вафли ГаСб  
ДетальСпецификации
ДопантТеллурий
Тип кондукцииН типа
Диаметр вафли2"
Ориентация вафли(100) ±0.5°
Толщина вафли500±25ум
Основная плоская длина16±2мм
Вторичная плоская длина8±1мм
Концентрация несущей(1-20) кс1017км-3
Подвижность2000-3500км2/В.с
ЭПД<2x10>3км-2
ТТВ<10um>
СМЫЧОК<10um>
ИСКРИВЛЕНИЕ<12um>
Маркировка лазерапо требованию
Финиш СуфасеП/Э, П/П
Эпи готовоеда
ПакетОдиночные контейнер или кассета вафли

Концентрация лентообразной структуры и несущей вафли ГаСб

Концентрация лентообразной структуры и несущей вафли ГаСб включает основные параметры, температуру, зависимость, зависимость перепада энергии на гидростатическом давлении, эффективные массы, дарителей и акцепторы

Основные параметры

Перепад энергии0,726 еВ
Разъединение энергии (ЭΓЛ) между Γ и л долинами0,084 еВ
Разъединение энергии (ЭΓС) между долинами Γ и кс0,31 еВ
Разделять энергии закрутк-орбитальный0,80 еВ
Концентрация внутреннеприсущей несущей1,5·1012 км-3
Внутреннеприсущая резистивность103 Ω·см
Эффективная плотность зоны проводимости государств2,1·1017 км-3
Эффективная плотность валентной полосы государств1,8·1019 км-3
Н печатает, Те-данная допинг вафля ГаСб, 2Концентрация лентообразной структуры и несущей ГаСб. 300 к
Например = 0,726 еВ
ЭЛ = 0,81 еВ
БЫВШЕЕ = еВ 1,03
Эсо = 0,8 еВ

Зависимость температуры

Зависимость температуры перепада энергии

Например = 0,813 до 3,78·10-4·Т2/(Т+94) (еВ),
где т температура в градусах к (0 < T="">

Зависимость температуры энергии ЭЛ

ЭЛ = 0,902 до 3,97·10-4·Т2/(Т+94) (еВ)

Зависимость температуры энергии БЫВШАЯ

БЫВШИЕ = 1,142 до 4,75·10-4·Т2/(Т+94) (еВ)

Эффективная плотность состояний в зоне проводимости

Нк = 4,0·1013·Т3/2 (км-3)

Эффективная плотность состояний в зоне проводимости

Нк = 4,0·1013·Т3/2 (км-3)

Эффективная плотность состояний в валентной полосе

Нв = 3,5·1015·Т3/2 (км-3)

Н печатает, Те-данная допинг вафля ГаСб, 2Зависимость температуры концентрации внутреннеприсущей несущей.

Зависимость на гидростатическом давлении

Например = например (0) + 14,5·10-3П (еВ)
ЭЛ = ЭЛ (0) + 5,0·10-3П (еВ)
БЫВШИЕ = БЫВШИЕ (0) - 1,5·10-3П (еВ),
где п давление в кбар.

Перепад энергии суживая на максимуме давая допинг уровням

Н печатает, Те-данная допинг вафля ГаСб, 2Перепад энергии суживая против акцептора акцептора давая допинг плотности.
Кривая высчитана для п-ГаСб согласно
Пункты показывают экспириментально результаты

Для н типа ГаСб

Например = 13,6·10-9·Нд1/3 + 1,66·10-7·Нд1/4 + 119·10-12·Нд1/2 (еВ)

Для п типа ГаСб

Например = 8,07·10-9·На1/3 + 2,80·10-7·На1/4+ 4,12·10-12·На1/2 (еВ)

Эффективные массы

Электроны:

Для Γ-долинымΓ = 0.041мо
В Л- долине поверхности равной энергии эллипсойды
 мл= 0.95мо
 мт= 0.11мо
Эффективная масса плотности государств
 мЛ= 16 (мльмт2) 1/3= 0.57мо
В долине кс- поверхности равной энергии эллипсойды
 мл= 1.51мо
 мт= 0.22мо
Эффективная масса плотности государств
 мС= 9 (мльмт2) 1/3= 0.87мо

Отверстия:

Тяжелыймх = 0.4мо
Светмлп = 0.05мо
Диапазон разделения-мсо = 0.14мо
Эффективная масса плотности государствмв = 0.8мо
Эффективная масса плотности проводимости
 
мвк = 0.3мо

Дарители и акцепторы

Н печатает, Те-данная допинг вафля ГаСб, 2Диаграмма ИВ государств дарителя группы
 

Энергии ионизацией мелких дарителей (еВ)

Те (л)Те (кс)Се (л)Се (кс)С (Л)С (С)
~0,02≤0.08~0,05~0,23~0,15~0,30

Для типичной оказывающей экономическую помощь концентрации Нд≥ 1017 км-3 мелкие оказывающие экономическую помощь государства соединенные с Γ-долиной не появились.

Энергии ионизацией мелких акцепторов (еВ):

Кажется, что будет доминантный акцептор ундопед ГаСб родным дефектом.
Этот акцептор двойн ионизабле

Эа1Эа2СиГеЗн
0,030,1~0,01~0,009~0,037

 
Вы ищете субстрат ГаСб?
ПАМ-СИАМЭН гордо предложить субстрат антимонида галлия для всех различных видов проектов. Если вы ищете вафли ГаСб, то отправьте нами дознание сегодня для того чтобы выучить больше о том, как мы можем работать с вами для того чтобы получить вам вафли ГаСб вам для вашего следующего проекта. Наша команда группы смотрит вперед к обеспечивать и качественные продучты и превосходное обслуживание для вас!

Запрос Корзина 0