XIAMEN POWERWAY ВЫДВИНУЛ МАТЕРИАЛЬНОЕ CO., LTD.

XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.

Manufacturer from China
Активный участник
6 лет
Главная / продукты / GaSb Wafer /

Ундопед вафля ГаСб, 2", отполированная вафля, Эпи готовое

контакт
XIAMEN POWERWAY ВЫДВИНУЛ МАТЕРИАЛЬНОЕ CO., LTD.
Город:xiamen
Область/Штат:fujian
Страна/регион:china
контакт

Ундопед вафля ГаСб, 2", отполированная вафля, Эпи готовое

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Китай
Количество минимального заказа :1-10,000пкс
Термины компенсации :T/T
Способность поставкы :10 000 вафель/месяц
Срок поставки :5-50 рабочих дней
Название продукта :Ундопед вафля ГаСб
Тип кондукции :Тип п
Допант :Ундопед
Толщина вафли :500±25ум
Другое имя :ГаСб отполировало вафлю
Диаметр вафли :2 дюйма
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Ундопед вафля ГаСб, 2", отполированная вафля, Эпи готовое

ПАМ-СИАМЭН предлагает вафлю ГаСб – антимонид галлия которое растется ЛЭК (Кзокральски помещенным жидкостью) как епи-готовая или механическая ранг с типом н, типом п или ундопед в различной ориентации (111) или (100). Антимонид галлия (ГаСб) кристаллическая смесь сделанная из галлия (Ga) элементов и сурьмы (Сб).

 

2" спецификация вафлиГаСб

Деталь Спецификации
Допант Ундопед
Тип кондукции П типа
Диаметр вафли 2"
Ориентация вафли (100) ±0.5°
Толщина вафли 500±25ум
Основная плоская длина 16±2мм
Вторичная плоская длина 8±1мм
Концентрация несущей (1-2) кс1017км-3
Подвижность 600-700км2/В.с
ЭПД <2x10>3км-2
ТТВ <10um>
СМЫЧОК <10um>
ИСКРИВЛЕНИЕ <12um>
Маркировка лазера по требованию
Финиш Суфасе П/Э, П/П
Эпи готовое да
Пакет Одиночные контейнер или кассета вафли

 

Основные параметры на 300 к из вафли ГаСб

Кристаллическая структура Сфалерит цинка
Группа в составе симметрия Тд2-Ф43м
Количество атомов в 1 км3 3,53·1022
Температура Дебе 266 к
Плотность 5,61 г км-3
Диэлектрическая константа (статическая) 15,7
Диэлектрическая константа (частота коротковолнового диапазона) 14,4
Масса эффективного электрона 0.041мо
Эффективное отверстие скапливает мх 0.4мо
Эффективное отверстие скапливает млп 0.05мо
Сродство к электрону еВ 4,06
Константа решетки 6,09593 а
Оптически энергия фонона 0,0297 еВ

 

Вы ищете субстрат ГаСб?

ПАМ-СИАМЭН гордо предложить субстрат антимонида галлия для всех различных видов проектов. Если вы ищете вафли ГаСб, то отправьте нами дознание сегодня для того чтобы выучить больше о том, как мы можем работать с вами для того чтобы получить вам вафли ГаСб вам для вашего следующего проекта. Наша команда группы смотрит вперед к обеспечивать и качественные продучты и превосходное обслуживание для вас!

 

Запрос Корзина 0