XIAMEN POWERWAY ВЫДВИНУЛ МАТЕРИАЛЬНОЕ CO., LTD.
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Add to Cart
ПАМ-СИАМЭН предлагает вафлю ГаСб сложного полупроводника – антимонид галлия которое растется ЛЭК (Кзокральски помещенным жидкостью) как епи-готовая или механическая ранг с типом н, типом п или полу-изолировать в различной ориентации (111) или (100).
Антимонид галлия (ГаСб) семикондуктинг смесь галлия и сурьмы семьи ИИИ-В. Он имеет константу решетки около 0,61 нм. ГаСб можно использовать для ультракрасных детекторов, ультракрасных СИД и лазеров и транзисторов, и термофотоволтайк систем.
Здесь детальная спецификация:
спецификация вафли ГаСб 2 ″ (50.8мм)
спецификация вафли ГаСб 3 ″ (50.8мм)
спецификация вафли ГаСб 4 ″ (100мм)
спецификация вафли ГаСб 2 ″
| Деталь | Спецификации | ||
| Допант | Ундопед | Цинк | Теллурий |
| Тип кондукции | П типа | П типа | Н типа |
| Диаметр вафли | 2 ″ | ||
| Ориентация вафли | (100) ±0.5° | ||
| Толщина вафли | 500±25ум | ||
| Основная плоская длина | 16±2мм | ||
| Вторичная плоская длина | 8±1мм | ||
| Концентрация несущей | (1-2) кс1017км-3 | (5-100) кс1017км-3 | (1-20) кс1017км-3 |
| Подвижность | 600-700км2/В.с | 200-500км2/В.с | 2000-3500км2/В.с |
| ЭПД | <2>3см-2 | ||
| ТТВ | <10um> | ||
| СМЫЧОК | <10um> | ||
| ИСКРИВЛЕНИЕ | <12um> | ||
| Маркировка лазера | по требованию | ||
| Финиш Суфасе | П/Э, П/П | ||
| Эпи готовое | да | ||
| Пакет | Одиночные контейнер или кассета вафли | ||
спецификация вафли ГаСб 3 ″
| Деталь | Спецификации | ||
| Тип кондукции | П типа | П типа | Н типа |
| Допант | Ундопед | Цинк | Теллурий |
| Диаметр вафли | 3 ″ | ||
| Ориентация вафли | (100) ±0.5° | ||
| Толщина вафли | 600±25ум | ||
| Основная плоская длина | 22±2мм | ||
| Вторичная плоская длина | 11±1мм | ||
| Концентрация несущей | (1-2) кс1017км-3 | (5-100) кс1017км-3 | (1-20) кс1017км-3 |
| Подвижность | 600-700км2/В.с | 200-500км2/В.с | 2000-3500км2/В.с |
| ЭПД | <2>3см-2 | ||
| ТТВ | <12um> | ||
| СМЫЧОК | <12um> | ||
| ИСКРИВЛЕНИЕ | <15um> | ||
| Маркировка лазера | по требованию | ||
| Финиш Суфасе | П/Э, П/П | ||
| Эпи готовое | да | ||
| Пакет | Одиночные контейнер или кассета вафли | ||
спецификация вафли ГаСб 4 ″
| Деталь | Спецификации | ||
| Допант | Ундопед | Цинк | Теллурий |
| Тип кондукции | П типа | П типа | Н типа |
| Диаметр вафли | 4 ″ | ||
| Ориентация вафли | (100) ±0.5° | ||
| Толщина вафли | 800±25ум | ||
| Основная плоская длина | 32.5±2.5мм | ||
| Вторичная плоская длина | 18±1мм | ||
| Концентрация несущей | (1-2) кс1017км-3 | (5-100) кс1017км-3 | (1-20) кс1017км-3 |
| Подвижность | 600-700км2/В.с | 200-500км2/В.с | 2000-3500км2/В.с |
| ЭПД | <2>3см-2 | ||
| ТТВ | <15um> | ||
| СМЫЧОК | <15um> | ||
| ИСКРИВЛЕНИЕ | <20um> | ||
| Маркировка лазера | по требованию | ||
| Финиш Суфасе | П/Э, П/П | ||
| Эпи готовое | да | ||
| Пакет | Одиночные контейнер или кассета вафли | ||
1)″ 2 (50.8мм), вафля ГаСб 3 ″ (76.2мм)
Ориентация: (100) ±0.5°
Толщина (μм): 500±25; 600±25
Тип/Допант: П/ундопед; П/Си; П/Зн
Нк (км-3): (1~2) Э17
Подвижность (км2/В ·с): 600~700
Метод роста: КЗ
Блеск: ССП
2)вафля ГаСб 2 ″ (50.8мм)
Ориентация: (100) ±0.5°
Толщина (μм): 500±25; 600±25
Тип/Допант: Н/ундопед; П/Те
Нк (км-3): (1~5) Э17
Подвижность (км2/В ·с): 2500~3500
Метод роста: ЛЭК
Блеск: ССП
3)вафля ГаСб 2 ″ (50.8мм)
Ориентация: (111) А±0.5°
Толщина (μм): 500±25
Тип/Допант: Н/Те; П/Зн
Нк (км-3): (1~5) Э17
Подвижность (км2/В ·с): 2500~3500; 200~500
Метод роста: ЛЭК
Блеск: ССП
4)вафля ГаСб 2 ″ (50.8мм)
Ориентация: (111) Б±0.5°
Толщина (μм): 500±25; 450±25
Тип/Допант: Н/Те; П/Зн
Нк (км-3): (1~5) Э17
Подвижность (км2/В ·с): 2500~3500; 200~500
Метод роста: ЛЭК
Блеск: ССП
5)вафля ГаСб 2 ″ (50.8мм)
Ориентация: (111) Б 2дег.офф
Толщина (μм): 500±25
Тип/Допант: Н/Те; П/Зн
Нк (км-3): (1~5) Э17
Подвижность (км2/В ·с): 2500~3500; 200~500
Метод роста: ЛЭК
Блеск: ССП
Относительные продукты:
Вафля ИнАс
Вафля ИнСб
Вафля ИнП
Вафля ГаАс
Вафля ГаСб
Вафля зазора
Антимонид галлия (ГаСб) можно поставить как вафли с финишами как-отрезка, вытравленных или отполированных и доступен в широком диапазоне концентрации, диаметра и толщины несущей.
Материал ГаСб представляет интересные свойства для приборов (TPV) одиночного соединения термофотоволтайк. ГаСб: Кристалл Те, который одиночный выросли с Кзокральски (Cz) или доработанными методами кральски Кзо- (Мо-Кз) и проблема однородности Те обсужена. По мере того как подвижность несущей один из узловых пунктов для оптового кристалла, измерения Халл унесены. Мы представляем здесь некоторые комплементарные развития основанные на точке зрения материальной обработки: оптовое выращивание кристаллов, подготовка вафли, и вытравливание вафли. Последующие шаги после этих связаны с п/никакой разработкой соединения р н/п. Некоторые результаты полученные для различных подходов к разработки тонк-слоя. Так от простого процесса диффузии участка пара или жидкофазового процесса эпитаксии до процесса низложения химического пара металла органического мы сообщаем некоторую материальную характерность.