XIAMEN POWERWAY ВЫДВИНУЛ МАТЕРИАЛЬНОЕ CO., LTD.
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Add to Cart
Ундопед вафля ИнСб, 2", вафля Как-отрезка, механическая вафля, или отполированная вафля
ПАМ-СИАМЭН обеспечивает рост вафли ИнСб одиночного кристалла (антимонида индия) помещенным жидкостью методом Кзокральски (LEC). Антимонид индия (ИнСб) можно поставить как вафли с финишами как-отрезка, вытравленных или отполированных и доступен в широком диапазоне концентрации несущей, диаметр и тхикнесс.ПАМ-СИАМЭН могут обеспечить вафлю ИнСб ранга епи готовую для вашего применения МОКВД & МБЭ эпитаксиального.
Ундопед вафля ИнСб, 2", вафля Как-отрезка, механическая вафля, или отполированная вафля
Пожалуйста свяжитесь наша команда инженера для больше данных по вафли.
| Спецификация вафли | |
| Деталь | Спецификации |
| Диаметр вафли |
2 ″ 50.5±0.5мм |
| Ориентировка кристаллов |
″ 2 (111) АорБ±0.1° |
| Толщина |
2 ″ 625±25ум |
| Основная плоская длина |
2 ″ 16±2мм |
| Вторичная плоская длина |
2 ″ 8±1мм |
| Поверхностный финиш | П/Э, П/П |
| Пакет | Эпи-готовые, одиночные контейнер вафли или кассета КФ |
| Электрический и дающ допинг спецификации | |
| Тип кондукции | н типа |
| Допант | Ундопед |
| См-2 ЭПД | ≤50 |
| ² В-1с-1 см подвижности | ≥4*105 |
| Концентрация несущей км-3 | 5*1013-3*1014 |
Концентрация лентообразной структуры и несущей вафли ИнСб
Концентрация лентообразной структуры и несущей вафли ИнСб включает основные параметры, температуру, зависимость, зависимость перепада энергии на гидростатическом давлении, эффективные массы, дарителей и акцепторы
Основные параметры
Зависимость температуры
Зависимость перепада энергии на гидростатическом давлении
Эффективные массы
Дарители и акцепторы
| Перепад энергии | 0,17 еВ |
| Разъединение энергии (ЭΓЛ) между Γ и л долинами | 0,51 еВ |
| Разъединение энергии (ЭΓС) между долинами Γ и кс | 0,83 еВ |
| Разделять энергии закрутк-орбитальный | 0,80 еВ |
| Концентрация внутреннеприсущей несущей | 2·1016 км-3 |
| Внутреннеприсущая резистивность | 4·10-3 Ω·см |
| Эффективная плотность зоны проводимости государств | 4,2·1016 км-3 |
| Эффективная плотность валентной полосы государств | 7,3·1018 км-3 |
 |
Концентрация лентообразной структуры и несущей ИнСб 300 к Например = 0,17 еВ ЭЛ = 0,68 еВ ЭВ ЭС= 1,0 Эсо = 0,8 еВ |
Например = 0,24 до 6·10-4·Т2/(Т+500) (еВ),
где т температуры в градусах к (0 < T="">
Нк~ 8·1012·Т3/2 (км-3)
Нн | 1,4·1015·Т3/2 (км-3).
ни = (Нк·Нν) 1/2експ (- например (2кбТ))
Для 200К < T="">
|
Зависимость температуры концентрации внутреннеприсущей несущей. |
|
Уровень Ферми против температуры для различной концентрации мелких дарителей и акцепторов. |
Например ≈ например (0) + 13,7·10-3П - 3,6·10-5П2 (еВ)
ЭЛ≈ЭЛ (0) + 4,7·10-3П - 1,1·10-5П2 (еВ)
ЭС≈ЭС (0) - 3,5·10-3П + 0,64·10-5П2 (еВ),
где п давление в кбар.
| Электроны: | |
| Для Γ-долины | мΓ = 0.0.14мо |
| Нон-параболиситы: Э (1+αЭ) = х2к2/(2мΓ) |
α = 4,1 (еВ-1) |
| В массе Л-долины эффективной плотности государств | мЛ=0.25мо |
|
Масса электрона эффективная против концентрации электрона |
| Отверстия: | мх = 0.43мо |
| Тяжелый | мх = 0.43мо |
| Свет | млп = 0.015мо |
| Диапазон разделения- | мсо = 0.19мо |
| Эффективная масса плотности государств | мв = 0.43мо |
Се, с, Те.
| КД | Зн | Кр | Ку° | Ку |
| 0,01 | 0,01 | 0,07 | 0,028 | 0,056 |
Вы ищете субстрат ИнСб?
ПАМ-СИАМЭН гордо предложить субстрат фосфида индия для всех различных видов проектов. Если вы ищете вафли ИнСб, то отправьте нами дознание сегодня для того чтобы выучить больше о том, как мы можем работать с вами для того чтобы получить вам вафли ИнСб вам для вашего следующего проекта. Наша команда группы смотрит вперед к обеспечивать и качественные продучты и превосходное обслуживание для вас!