XIAMEN POWERWAY ВЫДВИНУЛ МАТЕРИАЛЬНОЕ CO., LTD.

XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.

Manufacturer from China
Активный участник
6 лет
Главная / продукты / InSb Wafer /

Н печатает, Те-данная допинг вафля ИнСб, 4", основная ранг - вафля Повервай

контакт
XIAMEN POWERWAY ВЫДВИНУЛ МАТЕРИАЛЬНОЕ CO., LTD.
Город:xiamen
Область/Штат:fujian
Страна/регион:china
контакт

Н печатает, Те-данная допинг вафля ИнСб, 4", основная ранг - вафля Повервай

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Китай
Количество минимального заказа :1-10,000пкс
Термины компенсации :T/T
Способность поставкы :10 000 вафель/месяц
Срок поставки :5-50 рабочих дней
Упаковывая детали :Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в одиночном контейнере, под атмосферой азо
Название продукта :Н печатает вафлю ИнСб
Вафля Дямтер :4 дюйма
Применение :фотоелектроманьетик прибор
Класс :Основная ранг
Толщина вафли :1000.0±0.5мм
Ключевое слово :Вафля антимонида индия
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Н печатает, Те-данная допинг вафля ИнСб, 4", основная ранг - вафля Повервай

 

ПАМ-СИАМЭН обеспечивает рост вафли ИнСб одиночного кристалла (антимонида индия) помещенным жидкостью методом Кзокральски (LEC). Антимонид индия (ИнСб) можно поставить как вафли с финишами как-отрезка, вытравленных или отполированных и доступен в широком диапазоне концентрации несущей, диаметр и тхикнесс.ПАМ-СИАМЭН могут обеспечить вафлю ИнСб ранга епи готовую для вашего применения МОКВД & МБЭ эпитаксиального. Пожалуйста свяжитесь наша команда инженера для больше данных по вафли.

 

Н печатает, вафля ИнСб, 4", основная ранг

Спецификация вафли
Деталь Спецификации
Диаметр вафли

 

4 ″ 1000.0±0.5мм

Ориентировка кристаллов

 

″ 4 (111) АорБ±0.1°

Толщина

 

4 ″ 1000±25ум

Основная плоская длина

 

4 ″ 32.5±2.5мм

Вторичная плоская длина

 

4 ″ 18±1мм

Поверхностный финиш П/Э, П/П
Пакет Эпи-готовые, одиночные контейнер вафли или кассета КФ

 

Электрический и дающ допинг спецификации
Тип кондукции н типа н типа н типа
Допант Теллурий Низкий теллурий Высокий теллурий
См-2 ЭПД ≤50
² В-1с-1 см подвижности ≥2.5*104 ≥2.5*105 Не определенный
Концентрация несущей км-3 (1-7) *1017 4*1014-2*1015 ≥1*1018

 

Термальные свойства вафли ИнСб

Модуль основной массы 4,7·1011 см-1 дын
Точка плавления °К 527
Специфическая жара 0,2 дж г-1°К-1
Термальная проводимость 0,18 см-1 °К-1 в
Термальная диффузорность 0,16 км2 с-1
Тепловое расширение, линейное 5,37·10-6 °К-1

 

Н печатает, Те-данная допинг вафля ИнСб, 4 Зависимость температуры н-ИнСб термальной проводимости. Концентрация электрона на 78 к н (км-3):
1. 2·1014;
2. 4,8·1016;
3. 4·1018.

Сплошная линия показывает зависимость температуры термальной проводимости в условиях высоких температур
Н печатает, Те-данная допинг вафля ИнСб, 4 Зависимость температуры п-ИнСб термальной проводимости.
Концентрация электрона на 78К п (км-3):
1. 2,7·1014;
2. 5,3·1015;
3. 7,2·1017;
4. 6·1018.
 
Н печатает, Те-данная допинг вафля ИнСб, 4 Зависимость температуры специфической жары на давлении постоянного.
 
Н печатает, Те-данная допинг вафля ИнСб, 4 Зависимость температуры линейного коэффициента расширения (низких температур)
 
Н печатает, Те-данная допинг вафля ИнСб, 4 Зависимость температуры линейного коэффициента расширения (высоких температур)
 
Н печатает, Те-данная допинг вафля ИнСб, 4 Зависимость температуры давления пара сатурации Сб
 

Точка плавления Тм = 800К.

Вы ищете вафля ИнСб?

ПАМ-СИАМЭН ваше идти-к месту для всего вафли, включая вафли ИнСб, по мере того как мы делаем его на почти 30 лет! Запросите нас сегодня для того чтобы выучить больше о вафлях которые мы предлагаем и как мы можем помочь вам с вашим следующим проектом. Наша команда группы смотрит вперед к обеспечивать и качественные продучты и превосходное обслуживание для вас!

Запрос Корзина 0