XIAMEN POWERWAY ВЫДВИНУЛ МАТЕРИАЛЬНОЕ CO., LTD.
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Add to Cart
ПАМ-СИАМЭН предлагает вафлю ИнАс сложного полупроводника - арсенид индия которое растется ЛЭК (Кзокральски помещенным жидкостью) как епи-готовая или механическая ранг с типом н, типом п или полу-изолировать в различной ориентации (111) или (100).
Арсенид индия, ИнАс, полупроводник составленный индия и мышьяка. Он имеет возникновение серых кубических кристаллов с точкой плавления арсенида индия 942 °К. использован для конструкции ультракрасных детекторов, для диапазона длины волны µм 1-3.8. Детекторы обычно фотовольтайческие фотодиоды. Криогенно охлаженные детекторы имеют малошумное, но детекторы ИнАс можно использовать в более высокомощных применениях на комнатной температуре также. Арсенид индия также использован для делать из лазеров диода.
Арсенид индия подобен арсениду галлия и сразу материал бандгап. Арсенид индия иногда использован вместе с фосфидом индия. Сплавленный с арсенидом галлия он формирует арсенид галлия индия - материал с иждивенцем зазора диапазона на коэффициенте Ин/Га, метод главным образом подобный сплавляя нитриду галлия нитридевитх индия для того чтобы произвести нитрид галлия индия.
Здесь детальная спецификация:
2" (50.8мм) спецификация вафли ИнАс
3" (76.2мм) спецификация вафли ИнАс
4" (100мм) спецификация вафли ИнАс
2" спецификация вафли ИнАс
| Деталь | Спецификации | |||
| Допант | Ундопед | Станнум | Сера | Цинк |
| Тип кондукции | Н типа | Н типа | Н типа | П типа |
| Диаметр вафли | 2" | |||
| Ориентация вафли | (100) ±0.5° | |||
| Толщина вафли | 500±25ум | |||
| Основная плоская длина | 16±2мм | |||
| Вторичная плоская длина | 8±1мм | |||
| Концентрация несущей | 5кс1016км-3 | (5-20) кс1017км-3 | (1-10) кс1017км-3 | (1-10) кс1017км-3 |
| Подвижность | ≥2кс104км2/В.с | 7000-20000км2/В.с | 6000-20000км2/В.с | 100-400км2/В.с |
| ЭПД | <5x10>4см-2 | <5x10>4см-2 | <3x10>4см-2 | <3x10>4см-2 |
| ТТВ | <10um> | |||
| СМЫЧОК | <10um> | |||
| ИСКРИВЛЕНИЕ | <12um> | |||
| Маркировка лазера | по требованию | |||
| Финиш Суфасе | П/Э, П/П | |||
| Эпи готовое | да | |||
| Пакет | Одиночные контейнер или кассета вафли | |||
3" спецификация вафли ИнАс
| Деталь | Спецификации | |||
| Допант | Ундопед | Станнум | Сера | Цинк |
| Тип кондукции | Н типа | Н типа | Н типа | П типа |
| Диаметр вафли | 3" | |||
| Ориентация вафли | (100) ±0.5° | |||
| Толщина вафли | 600±25ум | |||
| Основная плоская длина | 22±2мм | |||
| Вторичная плоская длина | 11±1мм | |||
| Концентрация несущей | 5кс1016км-3 | (5-20) кс1017км-3 | (1-10) кс1017км-3 | (1-10) кс1017км-3 |
| Подвижность | ≥2кс104км2/В.с | 7000-20000км2/В.с | 6000-20000км2/В.с | 100-400км2/В.с |
| ЭПД | <5x10>4см-2 | <5x10>4см-2 | <3x10>4см-2 | <3x10>4см-2 |
| ТТВ | <12um> | |||
| СМЫЧОК | <12um> | |||
| ИСКРИВЛЕНИЕ | <15um> | |||
| Маркировка лазера | по требованию | |||
| Финиш Суфасе | П/Э, П/П | |||
| Эпи готовое | да | |||
| Пакет | Одиночные контейнер или кассета вафли | |||
4" спецификация вафли ИнАс
| Деталь | Спецификации | |||
| Допант | Ундопед | Станнум | Сера | Цинк |
| Тип кондукции | Н типа | Н типа | Н типа | П типа |
| Диаметр вафли | 4" | |||
| Ориентация вафли | (100) ±0.5° | |||
| Толщина вафли | 900±25ум | |||
| Основная плоская длина | 16±2мм | |||
| Вторичная плоская длина | 8±1мм | |||
| Концентрация несущей | 5кс1016км-3 | (5-20) кс1017км-3 | (1-10) кс1017км-3 | (1-10) кс1017км-3 |
| Подвижность | ≥2кс104км2/В.с | 7000-20000км2/В.с | 6000-20000км2/В.с | 100-400км2/В.с |
| ЭПД | <5x10>4см-2 | <5x10>4см-2 | <3x10>4см-2 | <3x10>4см-2 |
| ТТВ | <15um> | |||
| СМЫЧОК | <15um> | |||
| ИСКРИВЛЕНИЕ | <20um> | |||
| Маркировка лазера | по требованию | |||
| Финиш Суфасе | П/Э, П/П | |||
| Эпи готовое | да | |||
| Пакет | Одиночные контейнер или кассета вафли | |||
1)2" (50.8мм) ИнАс
Тип/Допант: Н/С
Ориентация: [111Б] ±0.5°
Толщина: 500±25ум
Эпи-готовый
ССП
2)2" (50.8мм) ИнАс
Тип/Допант: Н/Ундопед
Ориентация: (111) б
Толщина: 500ум±25ум
ССП
3)2" (50.8мм) ИнАс
Тип/Допант: ООН-данный допинг н
Ориентация: <111>±0.5°
Толщина: 500ум±25ум
епи-готовый
Концентрация<>
несущей Ра (км-3): 1Э16~3Э16
Подвижность (см -2): >20000
ЭПД (см -2):<15000>
ССП
4)2" (50.8мм) ИнАс
Тип/Допант: Н/Ундопед
Ориентация: <100> с [001] О.Ф.
Толщина: 2мм
КАК отрезано
5)2" (50.8мм) ИнАс
Тип/Допант: Н/П
Ориентация: (100),
Концентрация несущей (км-3): (5-10) Э17,
Толщина: 500 ум
ССП
Все вафли предложены с отделкой высококачественной эпитаксии готовой. Поверхности охарактеризованы внутренними, предварительными оптически методами метрологии которые включают помох Сурфскан и контроль частицы, спектроскопическую интерферометрию еллипсометры и скользящего падения
Влияние температуры нагрева при отжиге на оптически свойствах поверхностных слоев накопления электрона в н типа (1 0 0) вафлях ИнАс было расследовано спектроскопией Раман. Оно показывает что пики Раман должные к разбрасывать негрохочеными фононами ЛО исчезают с увеличением температуры, которая показывает что слой накопления электрона в поверхности ИнАс исключен путем обжигать. Включенный механизм был проанализирован спектроскопией фотоэлектрона рентгеновского снимка, дифракцией рентгеновских лучей и электронной просвечивающей микроскопией высоко-разрешения. Результаты показывают что аморфические участки Ин2О3 и Ас2О3 сформированы на поверхности ИнАс во время отжига и, между тем, тонкого кристаллического по мере того как слой на интерфейсе между окисленным слоем и вафлей также произведен которое водит к уменшению в толщине поверхностного слоя накопления электрона в виду того что как адатомс введите тип поверхностные государства акцептора.
Относительные продукты: